电场对SnO_2/ZnO UPF的电性质及气敏性质的影响

研究了用直流气体放电活化反应蒸发沉积法技术制备的超微粒子复合薄膜的电学性质及气敏性质，并对其作用机理进行了分析解释．     

尖晶石型复合氧化物气敏性质及制备方法概述

综述了AB2O4复合氧化物气敏材料的研究概况,对该气敏材料的气敏性质、气敏机理、制备方法、气敏膜制备方法进行了简单概述,展望了今后的工作重点.     

CdSnO3 的合成 、结构与气敏性质

如今,人们深知单一组分半导体气敏材料,即使掺杂,其性能也终不能令人满意,因而出现具有特定结构的复合氧化物气敏材料,如ZnSnO_3、LaFeO_3以及稀土氧化物与二氧化锡的复合氧化物.作者为此研究了CdO和SnO_2复合氧化物的合成条件、结构及气敏性质,得到了一些有价值的结果.1 实验1.1 样品材料的制备与微结构测定     

LaxBa1—xSnO3的敏感性质

本文介绍自行合成的LaxBa_(1-x)SnO_3(x=0～0.2)的结构、电学性质、温敏性质和气敏性质,其结构均为立方晶体,晶胞参数随镧含量的增加而减少.La_(0.1)Ba_(0.9)SnO_3在室温至600℃温区内,电阻随温度升高而线性下降,有可能用作温敏元件.当La_(0.1)Ba_(0.9)SnO_3作成旁热式气敏元件时,有可能用于(10～10000)10~(-6)乙醇蒸汽的检测,而不受煤气、液化汽、汽油和烟的干扰.     

半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述

本文结合半导体金属氧化物的电学特性，从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发，对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关，因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义。     

SnO2薄膜的电学气敏特性与光学气敏特性研究

用射频磁控反应溅射法制备了ＳｎＯ２薄膜,并分别测量薄膜在乙醇气体中的电学气敏特性和光学气敏特性。对实验结果的分析表明,ＳｎＯ２薄膜对乙醇气体有较强的电学气敏效应和光学气敏效应。利用ＳｎＯ２薄膜的电学气敏特性适合检测较低浓度乙醇气体,而利用ＳｎＯ２薄膜的光学气敏特性能检测较高浓度乙醇气体。     

LaBaSnO3的敏感性质

本文介绍自行合成的? # 、% # , 一二, ( ? 。?? 一. / . 0 + 的结构、电学性质、温敏性质和 气敏性质, 其结构均为宾方晶体, 晶胞参数随拥含量的增加而减少0 ? # 。, , % # 。0 , , ( ? ! 在室 温至1 . . ℃ 温区内, 电胆随温度升高而线性下降, 有可能用作温教元件0 当? # 。0 , % # 。0 , , ( ? ! 作成旁热式气敏元件时, 有可能用于???. / ?? . . .+ ?? .2 1 口醉蒸汽的检刚, 而不受煤气、液 化汽、汽油和烟的干扰 。     

Fe2O3纳米团簇的电学性质及其在 光敏器件中的应用研究

探讨了Ｆｅ２Ｏ３纳米团簇的合成条件，结果表明，各种合成条件对钠米团簇的形貌及大小有较大的影响，对该团簇的电学性质研究发现，它具有良好的顺磁特性，并对特定的光学区域具有敏感性，同时也对某种特定的电学状态具有较好的量子特性。     

La0.95Pb0.05F2.95气敏性质的研究

本文研究了“Bi(BiF_3~-)/La_(0.95)Pb_(0.05)F_(2.95)/Pt”元件的气敏性质。元件的电动势与氧分压对数呈线性关系,温度升高,响应时间变短。20℃,在所测的范围内,电动势与空气中氢分压呈对数关系:E=E_0-961gPH_2(mV);敏感电极反应归结为局域电流或称作混合电势机理。元件对空气中1000Pa 氢气的90%响应时间仅用15S。元件对 CO 也有一定的敏感性能,但对甲烷、丁烷、乙炔等不具敏感性能。     

金属氧化物半导体气敏材料的研究进展

金属氧化物是重要的半导体材料,具有较好的气敏特性,作为气敏材料被广泛应用。本文较系统地对金属氧化物气敏材料的研究现状作了阐述,重点介绍了复合氧化物气敏材料的研究状况,并对其气敏性质进行了概述。展望了金属氧化物半导体气敏材料今后的研究重点及发展方向。     

稀土La掺杂SnO_2薄膜气敏特性

用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结果显示:经T=550℃,t=45 min氧化、热处理后,得到n型金红石结构SnO2薄膜。适当掺La可改善SnO2薄膜结晶状况,掺La后SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,在气体体积分数为1×10-2时,掺La(5%)的SnO2薄膜对乙醇的灵敏度为12;掺La(3%)的SnO薄膜对丙酮的灵敏度可达到14。     

喷墨打印制备的SnO_2薄膜的气敏特性

简介了喷墨打印制备薄膜技术的优势与特点,配制了SnO2前驱溶液墨水,并利用该技术在金叉指氧化铝基片上喷镀SnO2前驱溶液墨水,而制得了SnO2气敏薄膜元件。利用XRD分析了SnO2薄膜的晶体结构。通过控制喷打墨水的次数,方便地控制了最终薄膜的厚度。并初步探讨了喷墨打印次数对最终薄膜元件性能的影响。当薄膜只喷打一次时,具有极高的电阻值,而且灵敏度比较低。而随着喷打次数的增加,即薄膜厚度的提高,薄膜电阻也随之降低,并对乙醇具有较好的气敏性能。     

La掺杂ZnO和SnO2薄膜的气敏特性

真空蒸发沉积薄膜再经热氧化获得n型掺La的ZnO和SnO2薄膜(玻璃衬底)研究掺La含量与热氧化工艺对薄膜的物相结构、表面形貌和气敏特性的影响.实验给出:掺La使薄膜表面颗粒细化,随La含量增加,ZnO,SnO2薄膜平均晶粒尺寸均增大.掺La可明显降低2种薄膜的气敏工作温度相比之下,掺La对ZnO薄膜的灵敏度改善明显优...     

ZnO、SnO_2复合UPF的热处理特性及其显微结构

采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锌、氧化用超微粒复合膜进行热处理，并对热处理前后样品的微观结构及所产生效应的机理进行了讨论．     

SnO2基薄膜气体传感器制作与敏感性测试

在现有的粉末烧结型SnO2基气敏传感器基础上研制了薄膜型SnO2基气体传感器,以抛光的丽热石英玻璃为基片,真空磁控溅射50～70nm厚度的SnO2薄膜,在SnO2薄膜上分别溅射不连续的ZnO、Al2O3、CeO2、InO2等薄膜,传感器背面溅射30μm的Ni80Cr20电阳合金作为传感器加热电阻,用薄膜热电偶测量传感器工作温度。测试了不同的复合瞑对传感器灵敏度和选择性的影响,并对传感器的吸附与解吸速度进行了测试,薄嗅传感器达到相同灵敏度所需的工作温度比粉末烧结型传感器下降100～150℃,吸附解吸速度比粉末烧结型快。     

Y沸石改善SnO2气体传感器性能的研究

为了改善气体传感器的敏感性能,分别采用SnO2外涂Y沸石的涂覆法和Y沸石与SnO2混合法,用Y沸石对SnO2气体传感器进行改性.用X-射线衍射(XRD)、电子扫描显微镜(SEM)对混合法制备的Y沸石/SnO2复合材料的结构和表面进行了表征与分析.将这两类敏感元件进行了VOC气体的气敏测试.结果表明,与纯SnO2相比,Y沸石与SnO2直接混合的复合材料提高了对丙酮的响应值,而对其他气体响应值基本不变;涂覆法制备的气敏元件不仅提高对丙酮的响应值,而且减小了对乙醇的响应值,对乙醇起到一定抑制作用.初步分析了Y沸石对SnO2气敏特性改善的机理.     

溅射Au对SnO_2/Fe_2O_3薄膜气敏特性的影响

通过直流溅射Au对PCVD方法制备的SnO2/Fe2O3双层薄膜的SnO2表面进行了修饰,并对修饰后的Au SnO2/Fe2O3薄膜的气敏特性进行了观测。结果表明,Au的催化作用使Au SnO2/Fe2O3薄膜气敏器件对CO,H2,C2H5OH等气体的灵敏度增大2～3倍,相应于最大灵敏度的工作温度均降低约60℃。这显示直流溅射Au是改善SnO2/Fe2O3双层薄膜气敏性能的一种有效手段。     

基体对SnO_2 UPF成膜结构的影响

对不同基体上采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法（ＤＣ－ＧＤＡＲＥ）制备的氧化锡超微粒薄膜的晶相结构进行了分析。结果表明：不同的基体对此类薄膜的生长有极重要的影响作用。     

超微粒锌、锡氧化物薄膜的阻温特性

报道了锌、锡氧化物超微粒子薄膜的阻温特性，并根据氧表面吸附模型和截流子穿越势垒理论对其结果加以解释。