实用化34Mb/s PIN FET光接收机灵敏度分析

本文以公式S=101g(6V_N/R_fR_0)为基点,定量分析了各种因素对34Mb/s FIN FET光接收机灵敏度的影响。     

一种检测光耦合器的简易方法

找一根带插接头的绝缘双导线,(可在废弃电视机路板上找到,如音频输出线上带插头的双导线)长度10cm左右,一端为插头的了阴头,另一端两线分别焊在一节5号电池(1.5V)的正、负极上,用万用表测量好两个插孔的正、负极并标注记号.……     

一种光集成定向耦合器的优化

本文研究的定向耦合器是由两条平行的光波导组成,每个波导具有三个折射率台阶。折射率分布与工作波长约为λ=1.3μm四元的InGaAsl'/InP装置相符合。在2C—150λ范围内给定一个耦合器长度,为了获得最高耦合效率,对各层的折射率和厚度进行了优化。     

一种检测光耦合器的简易方法

找一根带插接头的绝缘双导线,(可在废弃电视机路板上找到,如音频输出线上带插头的双导线)长度10cm左右,一端为插头的了阴头,另一端两线分别焊在一节5号电池(1.5V)的正、负极上,用万用表测量好两个插孔的正、负极并标注记号.     

一种集成式光波分复用单PIN探测器

文章对一种主要应用于光纤有线电视(CATV)中的集成光波分复用的单PIN探测器进行了分析和实验,该器件用于数据的上传、下载以及CATV信号的接收.实验指标可以满足:响应度在1 550 nm波段＞0.9 A/W,插损＜0.8 dB,1 550 nm隔离度＞20 dB,回损＞45 dB,双通道二阶互调非线性指标(CSO)＞70 dB,工作温度为-40～85℃.     

一种集成式光波分复用单PIN探测器

本文对一种主要应用于光纤CATV中的集成光波分复用的单PIN探测器进行了分析和实验。该器件用于实现数据的上传、下载以及CATV信号的接收。实验指标可以满足:响应度在1550nm波段达到0.9A/W以上,插损小于0.8dB,1550nm隔离度大于20dB,回损大于45dB,双通道二阶互调非线性指标(CSO)大于70dB,工作温度为-40～85°C。     

Gb/s级APD光接收机

高速雪崩光电二极管和高灵敏度接收机是未来的Gb/s级光通信系统的重要组成部分。本文论述了高速Ⅲ-Ⅴ族雪崩光电二极管的理论和实验特性,以及用场效应晶体管(FET)和双极晶体管放大器组成的Gb/s级光接收机。特别讨论了APD增益带宽积以及对高速接收机灵敏度的影响。对目前比特率高达8Gb/s的接收机灵敏度测量值和理论计算结果进行了比较。     

光导纤维与DHLED、PIN、APD的耦合

一、前言耦合连接问题是光导纤维通信实用化中必须解决的重要问题之一,所以国内外愈来愈多的人从事这项工作,开展了多种耦合方式的尝试,取得了可喜的进展。与此同时,由于器件和光纤等研制水平的不断提高,为光纤通信的实用化展现了美好的前景。参照国外的研究试验工作,结合我们所的具体情况,我们在这方面也做了一些研究试验工作,现将试验情况和获得的初步结果介绍如下:     

一种PIN开关调制器

介绍了一种用ＦＥＴ和为开关的高性能ＰＩＮ开关调制器的工作原理和设计方法，给产际应用调整器的波形。     

一种PIN开关调制器

介绍了一种用FET作为开关的高性能PIN开关调制器的工作原理和设计方法。给出了实际应用调制器的波形。     

一种基于多模干涉耦合器的集成光开关研制

设计并制作了一种采用InP/InGaAsP材料的2×2基于多模干涉(MMI)器的Mach-Zehnder干涉仪(MZI)光开关,用三维有限差分束传播法(3D-BPM)对器件进行了优化设计与模拟分析。开关端口设计为单模波导且对偏振不敏感,采用电流注入调制相移区折射率,当折射率的改变引起π相位差时实现开关状态转换。测试结果表明,当注入电流达到43 mA时光信号从交叉端口交换到直通端口,开和关状态的串扰分别为-19.2 dB和-14.3 dB。     

一种圆极化多模耦合器

从圆柱波导横电波（TE₂₁）模自动跟踪原理出发,深入研究了耦合孔数、耦合强度分布对耦合器性能的影响,详细阐述了一种多孔圆极化TE₂₁模耦合器的设计原理与方法,设计出一个适合星载应用的紧凑型宽带Ka频段圆极化TE₂₁模耦合器,该耦合器实测结果与设计性能达到很好的一致性。     

碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计

碲镉汞(HgCdTe)线性雪崩焦平面因其相对低的过剩噪声、较小的工作电压、线性可调等优点,得到了广泛关注。基于电子雪崩中波HgCdTe PIN二极管结构,开展暗电流模型和Okuto-Crowell增益模型仿真。通过改变器件材料结构参数模拟不同电压下的暗电流和增益特性。计算讨论了不同I区(本征区)厚度和载流子浓度对器件暗电流和增益的影响。结果表明结区峰值场强的变化会导致直接隧穿(BBT)电流产生率数量级上的剧烈变化;增加I区厚度和降低I区掺杂浓度可有效抑制BBT电流;增益随场强的变化趋势与BBT电流随场强的变化趋势一致;因此抑制BBT电流的措施会造成增益性能的下降,需要优化参数以获得最佳性能。综合考虑暗电流和增益性能,I区的厚度应不小于3μm,I区浓度需控制在5×10~(14)cm~(-3)以下。单元中波APD的增益实验结果与仿真数据较好地吻合,表明了理论模型的正确性。     

一种带保护环的平面InGaAsP APD

日本富士通研究所研制出带保护环的平面InGaAsP APD作为长波长光通信系统的探测器件。该器件采用InGaAsP异质结构,在InP上形成Pn结,以获得高量子效率。为了确保器件的可靠性,从钝化容易出发采用了平面方式。这样一来,为了抑制管子四周     

高性能长波长PIN/FET光接收组件

本文报导了一种新研制的长波长PIN/FET光接收组件,它完全是采用国产商用化元器件制作的。虽然所用GaAs FET的参数指标较差,但组件整体却具有高的性能指标。因此本组件具有优异的性能价格比,是一种理想的三次群长波长光纤数字通信用接收组件。     

碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计研究

碲镉汞(HgCdTe)线性雪崩焦平面因其相对低的过剩噪声、较小的工作电压、线性可调等优点,得到了广泛关注。基于电子雪崩中波HgCdTe PIN二极管结构,开展暗电流模型和Okuto-Crowell增益模型仿真。通过改变器件材料结构参数模拟不同电压下的暗电流和增益特性。计算讨论了不同I区(本征区)厚度和载流子浓度对器件暗电流和增益的影响。结果表明结区峰值场强的变化会导致直接隧穿(BBT)电流产生率数量级上的剧烈变化;增加I区厚度和降低I区掺杂浓度可有效抑制BBT电流;增益随场强的变化趋势与BBT电流随场强的变化趋势一致;因此抑制BBT电流的措施会造成增益性能的下降,需要优化参数以获得最佳性能。综合考虑暗电流和增益性能,I区的厚度应不小于3μm,I区浓度需控制在5×10¹⁴cm^-3以下。单元中波APD的增益实验结果与仿真数据较好地吻合,表明了理论模型的正确性。