真空镀透明导电膜的保护性能

真空导电膜已有广泛的应用。它可以用来赋予光学电介质表面高的导电性并消除这类表面上的水汽和静电荷。在化学稳定性差的材料(某些无色的和有色光学玻璃及晶体)上,经常需要镀真空导电膜。本文研究由SnO_2、In_2O_3和In_2O_3(10％SnO_2)组成的真空导电膜的保护性能。在新鲜的基片上镀SnO_2之后,在空气中于400℃加热3小时,而镀In_2O_3和In_2O_3(10％SiO_2)之后,则在350℃加热3小时,在上述导电膜的厚度≈0.25μm时,其表面比电阻依次为～10~4,10~3和3～5×10~2Ω。在用化学稳定性较差的基片(Tφ,Oφ,C3C,3C玻璃制的)时,SnO_2导电膜的保护性能不明显。     

金属氧化物半导体酒敏材料研究现状

概述了SnO_2、ZnO、Fe_2O_3和复合金属氧化物酒敏材料的研究现状,阐述了掺杂、材料粒径纳米化对酒敏性能的影响。介绍了In_2O_3酒敏材料的新进展:采用微乳液的方法制备出粗径8 nm的In_2O_3纳米材料,掺入少量的Pt、La_2O_3制得功耗低(<150 mW)、灵敏度高、选择性和稳定性好的乙醇气体传感器,响应时间7 s,恢复时间30 s;并对酒敏机理进行了浅析。     

基于喷墨打印的In2 O3/IGZO TFT的电学性能

利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟氧化物(In_2O_3)薄膜和性能明显改善的双层In_2O_3/IGZO异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性。结果表明,喷墨打印制备的金属氧化物薄膜具有较高的光学透过率与较低的表面粗糙度;嵌入的In_2O_3层薄膜能减小IGZO与In_2O_3间的界面缺陷,明显提高In_2O_3/IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能及其偏压稳定性。随着IGZO中In含量的增加,载流子浓度升高,器件的迁移率增大,但In_2O_3与IGZO间能级势垒会逐渐降低,最后导致难以控制关态电流和阈值电压,因此,适当调整In的比例有利于获得较高器件性能的In_2O_3/IGZO异质结沟道TFT。     

SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究

用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导及气敏测量分析结果支持过渡层具有低电导、低灵敏特性的假设。AES,XPS及气敏特性的研究表明,退火过程不是形成过渡层的主要原因。过渡层的形成源与沉积过程中的等离子体的作用。     

真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响

由于有些氧化物半导体,如ZnO、In_2O_3、SnO_2、ITO(铟锡氧化物)具有透明导电的性质,它们的应用也越来越广泛。例如,在太阳电池中用做透明导电电极,或作电池的顶层材料形成SIS(半导体-绝缘体-半导体)电池及作抗反射层等。但一般的纯氧化物半导体电阻很大,所以用于上述情况时,必须要经过掺杂或还原等处理,降低电阻率才能使用。为此,对SnO_2、In_2O_3、ITO以及ZnO已有很多制备方法及掺杂等处理的研究报导,并已制成1×10~(-4)Ω·cm左右的薄膜材料。但用化学喷涂热解法制备ZnO薄膜的报导较少。最近,J.Aranovich等人用喷涂法制备了ZnO薄膜,并用氢气还原法把电阻率降低到10~(-3)Ω·cm左右。     

X射线光电子能谱法研究In_(0.53)Ga_(0.47)As基Er_2O_3薄膜的能带排列

采用分子束外延(MBE)法在In_(0.53)Ga_(0.47)As衬底上沉积了金属Er薄膜,后经氧气退火得到Er_2O_3薄膜。台阶仪测得该Er_2O_3薄膜厚约10 nm。X射线光电子能谱(XPS)显示,采用此方法得到的Er_2O_3薄膜符合化学计量比。原子力显微镜测试结果显示,该薄膜表面平整。采用X射线光电子能谱同时测得Er 4d、In 3d和O1s的芯能级谱、Er_2O_3的价带谱以及O1s的能量损失谱,从而得到Er_2O_3的禁带宽度以及Er_2O_3与In_(0.53)Ga_(0.47)As衬底之间的价带偏移和导带偏移,数值分别为(5.95±0.30)eV、(-3.01±0.10)eV和(2.24±0.30)eV。通过X射线光电子能谱方法得到了Er_2O_3/In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结的能带排列。从能带偏移的角度来看,上述研究结果表明,Er_2O_3是一种非常有应用前景的In_(0.53)Ga_(0.47)As基栅介质材料。     

SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究

用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.     

SnO_2薄膜的红外光谱和表面光电压谱的研究

本文采用PECVD方法制备了SnO_2薄膜,对薄膜进行了红外光谱和表面光电压谱测量发现,薄膜表面化学吸附O_2~(2-)和O~-离子基团,成为反应活性中心、电子转移的桥梁,推测了SnO_2表面与乙醇气体敏感反应历程.SnO_(?)薄膜淀积在n-Si上,使其表面光电压信号增强二个数量级以上,我们认为是SnO_2/n-Si异质结作用和消反射作用的结果.     

基体偏压和淀积后真空退火对ITO膜结构和透射率的影响

通过对直流磁控偏压溅射的 ITO 膜作结构和光谱分析表明,基体偏压可导致膜中 In_2O_3沿(222)晶面择优取向,淀积后真空退火不影响 In_2O_3沿(222)晶面取向生长,正、负偏压对膜在红外区透射率影响明显不同。     

钛酸铅系陶瓷的特性及其应用前景

本文介绍了用Nd_2O_3、In_2O_3和MnO_2改性的PbTiO_3系压电陶瓷和用碱土金属元素部分取代pbTiO_3并通过固溶体Pb(Co_(1/2)W_(1/2))O_3改性的PbTiO_3系压电陶瓷材料的特性,这两种材料都具有谐振频率零温度系数,前者可用于声表面波器件和各种体波振动模式的器件,后者主要用于电子扫描超声波阵列探针。这两种材料都容易烧结、容易极化并且具有极好的压电、介电、弹性特性。     

具有紫外-可见光催化性能的片状SnO_2/ZnO复合物的制备（英文）

以氯化锌、氯化锡和氢氧化钠为反应物,通过前驱体煅烧法成功制得了片状单分散SnO_2/ZnO复合物。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等多种手段对产物进行表征。以甲基橙(MO)和亚甲基蓝(MB)为目标降解物,研究了紫外-可见光照下所制SnO_2/ZnO复合物的光催化活性。实验结果显示,SnO_2/ZnO复合物较纯ZnO表现出了更高的光催化活性。SnO_2与ZnO的摩尔比为1∶3时,复合物光催化降解甲基橙的活性最高;SnO_2与ZnO的摩尔比为1∶4时,复合物光催化降解亚甲基蓝的效果最好。同时,SnO_2/ZnO复合光催化剂还具有良好的循环使用稳定性。SnO_2/ZnO复合物的优异性能主要归因于SnO_2与ZnO间的协同效应。     

sol-gel法制备Yb_2O_3掺杂纳米SnO_2及气敏性能研究

以SnCl_4·5H_2O与柠檬酸为原料,采用sol-gel法制备了掺杂质量分数w(Yb_2O_3)为0~1.0%的Yb_2O_3-SnO_2纳米粉体。利用XRD、TEM等测试手段分析了粉体的微观结构,采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对NO_2、Cl_2、H_2、H_2S、乙醇、甲醛等气体的气敏性能。结果表明:用该法得到的粉体颗粒粒径小,且均匀;工作温度为100℃时,由掺杂w(Yb_2O_3)为0.4%的SnO_2粉体,在烧结温度600℃制得的气敏元件,对体积分数为30×10–6的NO_2的灵敏度最高可达18224,且该元件具有较好的响应–恢复特性,响应时间和恢复时间分别是20s和15s。     

α-Fe_2O_3气敏传感器的研究

用共沉淀方法研制了掺SnO_2的α-Fe_2O_3气敏传感器试样,用X射线衍射研究了这种材料的结构,用扫描电子显微镜观察了烧结品的截面。发现这种材料基本上是由单相的α-Fe_2O_3的微晶粒所组成,试样表面呈多孔状。测量了在天然气、氢等气体中的灵敏度。提出了一个α-Fe_2O_3的气敏机理,用这个机理较完满地解释了在掺SnO_2的α-Fe_2O_3实验中所发现的有关现象。     

Ca_3La_2Te_2O_(12)中三价稀土的光致发光和敏化红外发光

1、引言西德Tubingen大学无机化学研究所的H.-D.Autenrietn等人在研究含Te氧化物发光的过程中在Ca_3La_2Te_2O_(12)基质中加入了一些三价稀土(Ln),并观察到了可见范围和近红外范围内的发射。继续在基质中加入稀土离子(Ln′)作为敏化剂,结果红外发射增强。 2、实验说明 Ca_3La_2Te_1O_(12)及掺杂化合物Ca_3La_(2-X÷Y)Ln_xLn′Te_2O_(12)的表示方法为(激活     

新一代功率半导体β-Ga_2O_3器件进展与展望

Ga_2O_3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga_2O_3的基本性质,包括β-Ga_2O_3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga_2O_3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga_2O_3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga_2O_3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga_2O_3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。     

V_2O_3基PTC热敏电阻陶瓷的研制

本文综合介绍V_2O_3基PTC热敏电阻陶瓷的研究结果。主要内容包括V_2O_3粉体的制备与分析,(V_(1-x)Cr_x)2O_3PTC热敏电阻陶瓷的制备工艺及其主要电特性的测试。所研制的(V_(1-x)Cr_x)_2O_3PTC热敏电阻材料的主要技术指标已接近实用化水平。     

Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质

本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n~+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了/SiO_2和Al_2O_3,制备成MIS结构.结果表明这些MIS结构具有良好的C-V特性,SiO_2/GaInAs界面在密度最低达 2.4×10~(11)cm~2·eV~(?),氧化物陷阱电荷密度达10~(?)～10~(10)cm~2,观察到GaInAs/SiO,结构中的深能级位置为E_c-E_T=0.39eV.GaInAs/Al_2O_3结构中的深能级位置为E_c=E_T=0.41eV.     

K+掺杂对SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷性能的影响

为了提高 SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料的性能,采用共沉淀法制备出 SnO_2-K_2O-LiZnVO_4系纳米湿敏粉体。考察了液相掺杂 K+对材料湿敏性能、复阻抗特性和电容特性的影响。实验结果表明,采用共沉淀法制备纳米粉体并使K+液相掺杂量为 2.5%(摩尔分数),可使湿敏材料低湿电阻小、灵敏度适中,适当的 K+添加量可明显改善 SnO_2-LiZnVO_4系纳米材料的感湿特性。     

MOD法制备SnO2气敏薄膜

本文采用金属有机物热分解(MOD)法制备SnO_2薄膜,探索了锑掺杂对薄膜电阻的调制,通过I—V特性发现Al/SnO_2系统存在零电压电位,最后还测试了薄膜的气敏特性。     

CdIn_2O_4薄膜的光学性质

CdJn_2O_4薄膜是一种新颖的透明导电材料,在可见光及红外区域具有很好的光谱选择特性。本文着重分析了在真空和空气环境中热处理后,CdIn_2O_4薄膜的介电常数和等离子体频率的变化,以及基本吸收边缘的漂移,并且计算了薄膜在可见光谱区的折射率和消光系数。