成型荫罩水基清洗工艺开发及应用

本文结合生产实际,着重论述了将水基碱性清洗技术应用于成型荫罩的清选过程中所进行的工艺条件摸索优化、重大工艺不良的攻关对策及对设备进行的必要改造工作,最终达到了良好的清洗效果,结束了一直使用三氯乙烷清洗荫罩的历史。     

水基清洗技术在彩管荫罩黑化前清洗中的应用

本文主要介绍了水基清洗技术在彩管成型荫罩黑化前清洗中的应用。介绍了水基清洗技术的清洗原理、工艺特点,以及对水基清洗剂的一般要求及实际使用中的注意事项。     

荫罩双层清洗黑化技术的开发及应用

着重论述了彩色显像管荫罩清洗黑化工序,如何通过改进设备,优化生产工艺,达到产量翻番的目的。     

荫罩双层清洗黑化技术的开发及应用

本文结合生产实际，着重论述了彩色显像管荫罩清洗黑化工序，通过巧妙的设备改进，优化生产工艺，达到了加工的产品产量翻了一番的目的。在此过程中解决了大量的技术难题。     

电子清洗的进展

本主要论述了电子元器件焊接后清洗技术的最新进展,包括在清洗中施用的各种清洗剂和化合物、水清洗;半水清洗;有机溶剂清洗工艺及应用的清洗设备。此外还对免清洗工艺的目前现状及将来的发展趋势进行了初步的探讨。     

片盒清洗技术研究

以晶片表面颗粒净增值为考量标准,研究了片盒清洗中清洗温度、干燥方式和活性剂对清洗工艺的影响,提出了较为理想的片盒清洗工艺条件。     

超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗

简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。     

论半水清洗

清洗是表面贴装技术中的一个重要环节。但是目前发现清洗工艺中广泛使用的CFC对大气臭氧层具有破坏作用,所以人们正大力开发CFC的替代物。在替代物的开发中,一种新型的清洗方法——半水清洗脱颖而出。本文着重论述了半水清洗中所采用的溶剂、工艺和设备,并对其可行性、优缺点进行了分析,最后还就半水清洗与其他替代方法进行了比较。     

免清洗技术的应用

本文以免清洗制程中的关键工艺为线索,详细介绍了免清洗焊膏和免清洗助焊剂的概念和基本应用情况,并对返修、手工焊接、测试及其它实施免清洗工艺的要点进行了介绍。     

光伏太阳能硅片清洗工艺的探索

对两种不同清洗方法的工作原理、清洗效果和适用范围等特点进行了分析。不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果。介绍了硅片清洗机的清洗工艺和腐蚀工艺。指出了硅片清洗工艺的发展趋势。     

精密掩模清洗及保护膜安装工艺

光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高.通过一系列研究分析,找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性,借鉴和参考了传统掩模清洗工艺,克服了其局限性.基于精密掩模对加工质量的高要求,安装了保护膜并改进了精密掩模清洗工艺,通过试验形成了最终工艺.新清洗工艺的开发满足了0.5μm掩模加工洁净度要求.     

一种在真空室内OLED掩模板与镀膜基片的自动分离机构

本机构主要包括磁性掩膜板夹持机构、顶柱嵌套机构、夹持器顶轮机构和掩膜板接受台。主要功能是在真空室内将完成镀膜后的掩膜板从夹持机构中分离,从而达到掩膜板与镀膜基片在真空状态下完成全自动分离动作的工艺要求,提高掩膜板在真空镀膜生产线中的分离、清洗维护及使用效率,从而提高镀膜生产线的生产效率。     

Plasma cleaning of plastic ball grid array package

An investigation of O₂, Ar and Ar/H₂ plasma cleaning was carried out on plastic ball grid array (PBGA) substrates to study its effects on surface cleanliness, wire bondability and molding compound/solder mask adhesion. Optimization of the plasma cleaning process parameters was achieved using the contact angle method and verified by auger electron spectroscopy (AES), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and wedge pull tests. It was found that both the wedge bond quality and moisture sensitivity of a 225 I/O PBGA package were improved after plasma cleaning. Furthermore, atomic force microscopy (AFM) characterization and XPS analysis revealed that the solder mask has undergone plasma-induced surface modification. Cross-contamination of Au and F traces on the solder mask that has occurred during plasma cleaning was identified by XPS. This study has demonstrated the benefits and consequences of plasma cleaning for a PBGA package.     

Survey on flash technology with specific attention to the critical process parameters related to manufacturing

In this paper, the history of flash processes will be presented, starting with the 1.2-/spl mu/m technology to the most current technology. The front- and back-end process modules will be reviewed taking into account the main impact on cell functionality and reliability. In particular, the lithographic and mask issues, the diffusion and cleaning process steps, the chemical mechanical planarization technique to improve planarization, and the high-energy and large-tilted implant will be covered. Finally, the process and equipment trends for the next-generation flash technology will be presented.     

多层印制板生产中的非金属材料保护技术

对多层印制板生产中的阻焊膜保护技术进行了详细阐述。对阻焊膜制作的工艺过程、工序过程的质量控制、产品质量问题的产生原因及所采取的相应对策进行了简要介绍。     

Controlled Deposition of ${rm SiO}_{2}$ Nanoparticles of NIST-Traceable Particle Sizes for Mask Surface Inspection System Characterization

Particulate contamination of masks is a serious challenge in extreme ultraviolet lithography (EUVL) technology due to the unavailability of conventional pellicles. EUVL mask surface inspection tools, operated at low pressure, are used not only for mask contamination control/monitoring but also for mask surface cleaning studies. In EUVL, contaminant particles can be generated during low-pressure stages of integrated circuit (IC) manufacturing and may contaminate the mask critical surface without protective pellicles. It is therefore needed to characterize the EUVL mask surface inspection tools with contaminants commonly seen in vacuum processes. We have developed a method to deposit particles of known material and NIST-traceable sizes on the mask surface for the purpose of calibrating the EUVL mask surface inspection tools. Our method can produce particles with 98% size-uniformity. SiO₂ particles with NIST-traceable sizes of 50 nm, 60 nm, and 70 nm were separately deposited on quartz mask blanks with a controlled deposition spot size and number density, and detected by a Lasertec M1350 mask surface scanner. The results demonstrate high capture efficiencies for 60 and 70 nm SiO₂ particles, and significantly lower capture efficiency for 50 nm SiO₂ particles. The sizing accuracy of Lasertec M1350 deteriorates with decreasing particle size.     

半导体制造中清洗技术的新动向

多年来习惯采用多槽浸渍式RCA清洗的半导体清洗领域里,正在兴起的是从多槽浸渍式向单片式处理转移。并出现了取代RCA法的新型清洗液与新的生产方法。正在开始对超临界流体清洗等下一代清洗技术的开发。概述这些半导体清洗技术的最新动向。     

离心清洗技术在印制电路板清洗中的应用

焊接属电子设备生产过程中的一个关键步骤.焊接后必须进行清洗才能确保电子设备的可靠性,延缓其工作寿命.本文重点介绍了一种离心清洗技术,清洗洁净度高,能有效去除PCB残留物.     

兆声清洗技术分析及应用

主要论述兆声清洗技术原理及其在微电子清洗工艺过程中的应用。采用兆声清洗法可以减少化学品和高纯水的用量,在不破坏晶圆表面特征的前提下,提高对亚微细颗粒及各种污染物的去除能力及生产效率。