穿孔机械阻抗板的吸声特性研究

为提高低频吸声性能,在机械阻抗板(MIP)上穿少量微孔形成穿孔机械阻抗板(MIPMP)吸声结构。对MIPMP结构吸声性能进行初步研究,建立计算模型,用驻波管测量吸声系数。结果表明,MIPMP结构的吸声为机械阻抗和微穿孔的共同作用。吸声曲线出现两个吸声峰:一个在200~300 Hz,由机械阻抗引起,吸声系数可达0.95;一个出现在300~600Hz,由微穿孔引起。计算模型与实验结果所示趋势一致:随穿孔率的增大,机械阻抗单元吸声峰值先增大后减小,向高频移动,微穿孔单元吸声峰值逐渐减小,带宽增大,向高频移动;随背腔的增厚,机械阻抗单元吸声峰值变大,频率基本不变,微穿孔单元吸声峰值略减小,向低频移动。MIPMP与微穿孔板(MPP)构成的复合吸声结构在200~1 600Hz有好的吸声性能。     

多层微穿孔板的优化设计

影响微穿孔板吸声系数的结构参数很多,设计计算复杂,尤其是对多层微穿孔板复合结构的计算.针对3层及4层微穿孔板复合结构的吸声系数进行了计算,应用遗传算法对其结构参数进行了优化,在常用噪声频率范围内获得了非常饱满的吸声系数曲线,与双层微穿孔板复合结构相比,在吸声系数和吸声频带上都有了很显著的提高.     

双层微穿孔板双向吸声系数分析与优化

相比单层微穿孔板,双层微穿孔板具有吸声频带更宽,吸声效果更好等优点.本文利用传递矩阵法求解双层穿孔板结构的正反向吸声系数,并用有限元仿真验证理论模型的可行性.分析讨论了结构前后板参数变化对结构整体的双向吸声系数影响,应用遗传算法计算得到了结构板双向吸声系数最优解,为微穿孔板吸声结构的应用及发展提供参考.     

并联式弯折背腔结构微穿孔板吸声体设计

针对传统微穿孔板无法实现对不同频率噪声的有效吸收问题,设计一种并联式弯折背腔结构的微穿孔板吸声体。首先,对微穿孔板理论对模型的准确性进行验证;其次,根据微穿孔板理论设计背腔结构得到不同的等效腔深,实现对不同频率噪声的有效吸收;最后,使用遗传算法对并联式弯折背腔结构微穿孔板吸声体进行优化。结果表明,并联式弯折背腔结构微穿孔板吸声体实现了对不同频率噪声的有效吸收,特别是在低频噪声吸声方面。     

结构参数对微穿孔板结构声学特性的影响研究

微穿孔板结构声学特性与结构参数密切相关,该文讨论了这些结构参数对吸声性能的影响.采用传递矩阵法计算微穿孔板结构的声学特性,在验证理论计算结果可靠的基础上,研究结构参数(如穿孔率、微孔直径、板厚和空腔距离)对微穿孔板结构吸声性能的影响规律.结果表明,穿孔直径、板厚和穿孔率主要影响吸声结构的共振吸声峰值,空腔厚度主要影响共振基频;共振吸声峰值随穿孔率、微孔直径和空腔厚度增加而降低,随板厚增加而增大.增加穿孔率,共振基频向低频移动;而增加微孔直径、板厚和空腔厚度,共振基频向高频移动;吸声频带宽度随穿孔率增大而增加,随微孔直径、板厚和空腔厚度增加而变窄.     

微穿孔板结构特性理论对比分析

传统的声电类比法在单层微穿孔板吸声结构中的计算,得到广泛应用,但由于在双层微穿孔板结构中存在较大误差,于是提出用传递矩阵法对微穿孔板吸声结构进行分析。本文对比分析声电类比法与传递矩阵法在微穿孔板结构模型中的应用,从而有效设计微穿孔板吸声结构参数设计的实验方案。     

并联微穿孔板吸声结构研究

分析不同共振频率的微穿孔板吸声结构并联的结构模型,并计算了其组合吸声系数。理论计算结果与采用SYSNOISE软件,根据GB/T 18696对并联的微穿孔板吸声系数进行仿真实验得到的结果及已有实验数据进行对比。结果表明,该文中并联微穿孔板吸声结构的声阻抗率及组合吸声系数的计算方法是可行的。     

用统计方法分析微穿孔板吸声结构的声学特性

微穿孔板的发展已接近半个世纪。基于穿孔板吸声结构的基础,微穿孔板结构简化了穿孔板后的多孔材料,同时达到了提高本身吸声特性的目的。组成微穿孔扳的主要元素就是微管和空腔。通过分析微管和空腔的声阻抗率,近似计算出微穿孔板的吸声系数与吸声频带宽度,并讨论微穿孔板结构模型的来源。根据微穿孔板结构模型,分别计算不同的参数组合对吸声系数及频带宽度的影响。     

微孔分布范围对穿孔板吸声性能的影响

根据渗入工艺加工微穿孔板吸声结构产生的微孔不规则分布的特点,研究了微孔不同分布范围的穿孔板的吸声特性。研究发现,随着微孔分布范围的逐渐缩小,穿孔板的共振频率逐渐向低频方向移动。随着穿孔分布范围的变化,微穿孔板的表面法向声阻变化不大,表面法向声抗相对较大。利用穿孔板理论对微孔不同分布范围的穿孔板的吸声特性进行模拟,发现穿孔板理论仅适用于微孔分布范围较大的穿孔板。通过分析穿孔板阻抗的作用,使其在微孔分布范围较小的情况下,也能模拟穿孔板的吸声性能。     

加工误差分布规律对微穿孔板吸声性能的影响

为了研究加工误差对微穿孔板吸声性能的影响,该文以微穿孔板理论和电声等效电路原理为基础,建立了考虑加工误差时,微穿孔板吸声的理论模型,数值分析了微孔尺寸成正态分布和平均分布两种形式时,微穿孔板吸声性能的变化情况。研究发现,当存在加工误差时,微穿孔板的吸声峰和吸声带宽都略有减小。     

多孔径微穿孔板的主动吸声仿真研究

提出一种基于多孔径微穿孔板的主动吸声方法,在微穿孔板的空腔内横向放置可上下移动的隔板。从理论上说明了移动隔板改变声阻抗的可行性,利用数值分析法进一步比较了两种隔板移动方法对3种典型参数多孔径微穿孔板吸声性能的影响。对于15mm背腔的多孔径微穿孔板,在800~1 900Hz频段内平均吸声系数的分析结果达到0.85,表明该主动吸声方法的有效性,同时也为拓宽微穿孔板吸声体的频带提供了新思路。     

邦达泡沫板的吸声特性及应用

通过对邦达吸声板混响室吸声系数的测量,分析了材料穿孔、不同空腔深度、安装方式对吸声特性的影响及其应用。并与目前常用的强吸声材料吸声特性进行了比较。     

敷薄吸声层目标壳体高频吸声性能的改进方法

从应用角度对小目标壳体进行了高频近似,利用声传播理论和粘弹性理论推导了敷设薄吸声层多层结构的声场特性.提出用敷设多层粘弹性材料代替敷设单层吸声层,以实现吸声层的阻抗渐变.计算敷设多层薄吸声层结构的高频回声特性,并分析了吸声层阻抗渐变存在的规律及其对吸声性能的影响,给出了改善其吸声性能的方法.分析结果表明:吸声层总厚度相同时,具有合适阻抗配比的阻抗渐变结构能够改善吸声模型性能.最后,通过对敷设某型聚脲和橡胶材料多层结构的仿真,验证了结论的正确性.     

关于室内混响声能衰减规律的探讨

从"吸声系数"的定义出发,对室内混响声能衰减规律进行探讨,通过室内混响时间与平均吸声系数计算公式的推导,说明室内声能的衰减规律是按"一个平均自由程时间"衰减的。     

结合机械阻抗的微穿孔板吸声计算及试验研究

机械阻抗板(MIP)由刚性薄板与其周围黏贴的阻尼材料组成,利用其机械共振将声能耗散于黏性阻尼,阻抗板与微穿孔板相结合可提高传统微穿孔板(MPP)的低频吸声性能。计算组合结构吸声系数的关键是阻抗板后封闭空腔的处理,对比分析了将空腔等效成声顺,阻抗转移法,传递矩阵法及将空腔等效成空气弹簧的4种处理方法,并进行了相应的试验验证。研究表明,将空腔等效成声顺和空气弹簧实质上是相同的,但当空腔深度较大时,由于忽略声质量,易产生计算误差。阻抗转移法与传递矩阵法实质上是相同的,与试验结果吻合良好,计算准确。     

A new level-shifting structure with multiply metal rings by divided RESURF technique

A new structure of a lateral n-MOST and a new level-shifting structure with multiply metal rings(MMRs) by divided RESURF technique have been proposed.The device and electrical performances of the structure are analyzed and simulated by MEDICI.In comparison to the level-shifting structure with multiply floating field plates (MFFPs)used before,the structure stated here improves the reliability and diminishes the voltage difference between the voltage of the power supply of the high-side gate driver and the voltage of the output terminal of the level-shifting structure,which is also that of the input terminal of the high-side gate driver.The maximal voltage difference of the level-shifting structure in this paper is 30%lower than that used before.Therefore,good voltage isolation and current isolation are obtained.The structure can be used in the level-shifting circuit of various applications.     

一种采用分区RESURF技术并应用多金属环终端技术的新的电平位移结构

A new structure of a lateral n-MOST and a new level-shifting structure with multiply metal rings （MMRs） by divided RESURF technique have been proposed. The device and electrical performances of the structure are analyzed and simulated by MEDICI. In comparison to the level-shifting structure with multiply floating field plates （MFFPs） used before, the structure stated here improves the reliability and diminishes the voltage difference between the voltage of the power supply of the high-side gate driver and the voltage of the output terminal of the level-shifting structure, which is also that of the input terminal of the high-side gate driver. The maximal voltage difference of the level-shifting structure in this paper is 30% lower than that used before. Therefore, good voltage isolation and current isolation are obtained. The structure can be used in the level-shifting circuit of various applications.