双通道理想二极管控制器取代两个肖特基二极管以在大功率应用中提供高效率电源“或”和电源保持

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出0～18 V双通道理想二极管控制器LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源"或",且对电源电压的干扰最小。LTC4353调节外部N沟道MOSFET的正向压降,以在二极管"或"应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中,当电源切换时,控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353     

双通道4A电源通路理想二极管具超低15mV正向电压

加利福尼亚州米尔皮塔斯-凌力尔特公司推出单片双通道4 A电源通路(PowerPath)理想二极管LTC4415,该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计,同时可在电源切换电路中延长电池运行时间。对于那些需要理想二极管"或"(Diode-ORing)功能以实现负载均分或在两个输入电源之间自动切换的应用而言,LTC4415是理想的选择。LTC4415的超低15 mV正     

LTC4413：双通道二极管

凌特公司日前推出双通道理想二极管LTC4413，针对减少热量、压降与占板面积及延长电池使用时间而设计。LTC4413适用于需要理想二极管“或”功能来实现负载共享或两个输入电源间自动切换的应用。通过配备多个智能电路，LTC4413能够对每个理想二极管的使用加以控制(允许调整切换电压)，并指示所选理想二极管是否导通。LTC4413还具有限流和热保护以及保护器件免受电压尖峰破坏的慢关断功能。     

凌特推出双通道理想二极管LTC4413

凌特目前推出双通道理想二极管LTC4413，它能减少热量、压降与占板面积，延长电池使用时间，适用于需要理想二极管“或”功能来实现负载共享或两个输入电源间自动切换的应用。     

LTC4085：电源管理/二极管控制，电池充电器

凌特推出用于便携式USB装置的单片自主电源管理器、理想二极管控制器和独立电池充电器LTC4085。该器件具有电源通路控制功能，可为USB外围设备提供电源，并从USB VBUS或墙上适配器电源为该外围设备的单节锂离子电池充电。当系统负载电流提高时，LTC4085自动降低电池充电电流。为确保总线连接时完全充电的电池仍保持满电量，该集成电路通过USB总线直接向负载供电而不是从电池吸取功率。一旦去掉电源，电流就通过内部200mΩ低损耗理想二极管从电池流向负载，从而最大限度地减小压降和功耗。该器件提供用于驱动一个可选外部PFET连接的板载电路，在应用需要的情况下把理想二极管的总阻抗降至50mΩ以下，从而实现较高的工作效率。     

双路36V低损耗电源通路控制器 控制PFET具有低于肖特基二极管的正向电压，可延长电池寿命

LTC4416和LTC4416—1是双路电源通路控制器，用于在电源切换电路中驱动小型和大型栅电容P沟道MOSFET。LTC4416是专为与缓慢摆动的输入电源一起工作而设计的，具备软关断功能，能最大限度地减小电源电压变化时的压降。LTC4416—1是为能迅速断开的快速摆动输入电源而优化。     

双极晶体管和肖特基二极管改进技术

设计进步以及封装技术的改进使得开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管以及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求。对于便携式电池供电设备(如笔记本电脑、数字相机)以及汽车中的负载切换和电源系统，此类新器件是首选的解决方案。     

LTC4353：二极管控制器

凌力尔特公司推出0V-18V双通道理想二极管控制器LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源“或”，且对电源电压的干扰小。     

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500 ns,VF控制在0.9～1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因.     

LTC4412:低损耗ThinSOT封装Power-Path控制器

Linear Technology公司低损耗PowerPath控制器器件--LTC4412可控制一个外部P沟道MOSFET来为电源切换或负载均衡,提供理想的二极管功能。与肖特基二极管的指数曲线相比,导通时MOSFET上的电压降低至10mV。     

双极晶体管和肖特基二极管改进技术

设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当争电子产品在散热、效率，空间占用和成本方面的高要求．对于便携式电池供电设备(如笔记本电脑、数码相机)及汽车中的负载切换和电源系统，此粪新器件是首选的解决方案。     

集成式等效低压二极管

采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管.该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联.这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性.选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10 Ω以内.利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失.     

MPS快恢复二极管正向压降的研究

介绍了混合pin/肖特基(MPS)二极管快恢复二极管的工作原理,基于人们对与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管提出的高要求即在具有超快和超软恢复特性的同时又兼具有低的正向导通损耗,以减少芯片的发热损耗。采用Silvaco仿真软件对MPS结构的两款较快恢复二极管的正向特性进行了研究并实际制作了器件,发现正向压降与衬底掺杂浓度及载流子迁移率关系极大。分析了正向压降的温度特性,结果表明固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性;而对于FRED器件,由于杂质散射起主导作用,正向压降呈负温度系数特性。     

国际整流器公司创新肖特基二极管

国际整流器公司(简称IR)近日推出业内最低V_F值20V肖特基二极管(Schottky Diodes)系列和低成本45V MBR系列肖特基二极管。 创新的20V 87CNQ020及47CTQ020器件具备业内最低的正向电压降,可帮助电源设计人员突破3.3V开关模式电源(Switch Mode Power Supply,简称SMPS)输出整流程序的效率限制,大大改善系     

电池与稳压电源供电的自动切换电路

使用逻辑电源,或使用可插在墙壁插座上的电压适配器,通过给电池卸载而可延长小型便携式系统的电池的使用寿命。但是,实现电池和外部电源之间的切换可能很难办。对于多个单元组电池,我们可以用简单和价廉的二极管开关来解决这个难题;但对于只有一两个单元组电池,如用开关二极管,其正向压降(即使对于肖特基二极管)也会增加到难于接受的程度。用MOSFET来代替二极     

凌力尔特推出高压理想二极管控制器LTC4359

凌力尔特公司日前推出高压理想二极管控制器LTC4359,该器件为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案,同时拥有适合汽车、航空电子及太阳能应用的重要特性。LTC4359在4V至80V的宽电源电压范围内工作,可承受一40V至100V的输入电压而不会受损。     

正向压降极小的模拟二极管

硅二极管导通时的正向压降通常约为0.7V。为了减小二极管产生的不必要的功耗,有时希望二极管的正向压降最好是小于0.7V。本电路用一只运放和一只MOSFET来模拟二极管,在通过1A正向电流下,其正向压降只有0.04V,这个数     

集成温度补偿二极管的研制

温度补偿二极管主要用于各种电子线路的电压基准电路中,其作用是利用其正向的负温度系数在电路中作温度补偿用。我们采用集成电路的方法设计了一种温度补偿二极管,且该二极管可采用国际通用的DO-35封装。现以温度系数为-4.6mV/℃(典型值)、正向压降为1.18～1.28V(I_F=3mA)的温度补偿二极     

无需二极管的精密全波信号整流器

使用半导体二极管的整流器电路通常要处理大大超过二极管正向压降的电压．一般这不会影响整流的精度。但是．当二极管压降超过施加的电压时．整流信号的精度就会受到影响。精密整流电路将二极管与运算放大器结合起来．可消除了二极管压降的影响．实现了高精度的小信号整流。由于它具有现代运放的优点，因而可以处理满摆幅的输入、输出。图1的电路中完全无需二极管．即可在单电源供电情况下运行．提供全波整流。     

ST新系列场效应整流二极管完美解决VF与IR的矛盾

正意法半导体的新系列场效应整流二极管(FERD)完美解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系,让充电器和笔记本适配器等设备的设计人员在无需使用成本更高的同步整流管的前提下满足要求最严格的能效标准。EnergyStar6.0标准用于测试传统肖特基二极管在充电器和笔记本电脑适配器内达到的性能极限。同步整流二极管虽然性能优异,但是成本却比传统肖特基二极管高出很多。由于符合离线开关式电源节能标准的能效要求,同时成本比同步整流管低大约30%,意法半导体的FERD系列整流二极管引起了市场关注。