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相似文献
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1.
SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响. 研究结果表明, TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化, 根据XRD图谱分析结果, Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相, TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力. 获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品, 其压敏电压V1mA约为350V/mm, 非线性系数α达到50, 漏电流小于5μA, 并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,直径14mm的样品能够经受2kA的脉冲峰值电流.  相似文献   

2.
Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的结构与电性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂不同浓度Sm2O3(分别为0.001,0.002,0.003,0.005,0.007mol)的BaTiO3陶瓷,并对其结构与电性能进行了研究.结果表明:Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶型在室温下为四方相,而且随着Sm2O3掺杂浓度的增加,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸变小,说明Sm2O3掺杂对BaTiO3陶瓷晶粒的生长有一定的抑制作用;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的电阻率比纯BaTiO3陶瓷明显下降,当添加量为0.001mol时,电阻率最小,.从4.3×109Ω·m下降为6.536×103Ω·m;Sm2O3掺杂BaTiO3陶瓷的晶粒电阻随着温度的变化,呈现NTC效应,而晶界电阻随着温度的变化,呈现PTC效应,且晶界电阻远远大于晶粒电阻,说明该材料的PTC效应是由晶界效应引起的.  相似文献   

3.
Al2O3添加剂对合成MgTiO3陶瓷相组成及介电性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了添加剂Al2O3对MgO和TiO合成MgTiO3陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,XRD分析结果表明:没有添加Al2O3时,合成的MgTiO3陶瓷中只含有MgTiO3和MgTi2O5相;加入Al2O3后MgTiO3陶瓷中除了MgTiO3和MgTi2O5相外,还出现了MgAl2O4相,这是由于Al2O3和 MgO发生固相反应.MgAl2O4的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降,但是可以降低反应烧结合成MgTiO3陶瓷的相对介电常数和介电损耗.  相似文献   

4.
选取玻璃组分60SiO2-xBi2O3-(30-x)B2O3-2K2O-7Na2O-1Yb2O3(以mol%记,x=0,5,10,15,20,25,30)为研究对象。通过测试试样的物理性质和光谱性质,应用倒易法(reciprocity method)计算Yb3+离子的受激发射截面(σemi),并且计算了Yb3+的自发辐射几率(Arad),2F5/2能级的辐射寿命(Trad)。讨论了玻璃中Bi2O3和B2O3的组成变化对其物理性质、Yb3+离子的吸收特性、发光特性以及OH-离子对实测Yb3+荧光寿命(Tf)的影响。结果表明:Yb3+掺杂的Si2-Bi2O3-B2O3具有较好的光谱性能,是一种新型的Yb3+掺杂双包层光纤候选基质材料。  相似文献   

5.
以Ni(NO3)6H2O、Al(NO3)3·9H2O、ZrOCl8H2O和Ce(NO3)6H2O为原料,采用共沉淀法分别制备了NiO/CeO2/γ-Al2O3和NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等方法对催化剂的组成结构进行表征.结果表明,煅烧温度高于600℃时,NiO/CeO2/γ-Al2O3催化剂中的NiO与γ-Al2O3载体发生作用,形成NiAl2O4尖晶石;而NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂中,NiO能够稳定存在,没有NiAl2O4尖晶石生成,且Al2O3与CeO2和ZrO2作用形成一种新的Zr0.30Ce0.45Al0.25O1.87固溶体.  相似文献   

6.
Nb2O5掺杂高温无铅(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷结构与电性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、 0.3mol%、 0.5mol%、 0.7mol%)掺杂(Ba, Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷. 对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减小后增大,说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度. 当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时,获得了居里温度Tc为 183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω·cm、升阻比ρmaxmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷. 通过交流复阻抗谱分析,探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理.  相似文献   

7.
纳米TiO2/Sb2O5涂层的光生阴极保护研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶凝胶法在304不锈钢表面制备了纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层. 用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对涂层表面形貌、晶体结构以及组成进行表征. 采用电化学方法研究涂层的光电化学性能与光生阴极保护特性. 结果表明,所制备的纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层表面连续、均匀、致密;XRD分析表明纳米TiO2为锐钛矿型;XPS分析表明纳米涂层表面与内层均由Ti、Sb、O、C四种元素组成;稳定电位与极化曲线测试表明,在3%NaCl溶液中,纳米TiO2/Sb2O5叠层涂层的光电化学性能低于纯纳米TiO2涂层,但纳米TiO2/Sb2O5涂层经紫外光照1h,停止紫外光照后的延时阴极保护作用可达4h. 通过研究分析,提出了一种新的纳米叠层涂层光生阴极保护作用机理.  相似文献   

8.
水热法制备过程中TiO2纳米纤维成形机理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用水热法制备出φ20~30nm, 长度达微米级的TiO2纳米纤维, 以XRD、TEM、IR等手段对不同工艺条件下获得的产物晶型结构、微观形貌以及化学组成进行了表征, 对TiO2纳米纤维成形机理进行探讨, 并就洗涤过程中pH值对纤维结构的影响进行分析. 结果表明, TiO2纳米纤维的形成机理可能是锐钛矿型TiO2纳米颗粒在强碱作用下生成K2Ti6O13颗粒, 小颗粒沿一定晶轴生长, 遵循溶解-生长机理, 逐渐长成纳米纤维. 清洗溶液的pH值对产物的成分和结构有较大影响, 通过控制清洗溶液的pH值和热处理温度, 可以获得组成分别为K2Ti6O13、H2Ti3O7和TiO2的纳米纤维. 在pH=7、80℃烘干条件下得到的主要是H2Ti3O7纳米纤维, 400℃煅烧后转变为TiO2纳米纤维.  相似文献   

9.
CrO3对Fe2O3+Al铝热反应系统反应过程的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用铝热-重力分离法制备了不含铁铝尖晶石(FeAl2O4)的陶瓷内衬复合钢管,并通过热力学计算分析了有关反应的优先顺序,结果表明,在Fe2O3+Al系统中强氧化剂CrO3与Al的反应并不是一步完成而是分步反应,FeAl2O4优先于Cr2O3与Al反应,因而加入CrO3添加剂可有效地去除陶瓷层中的尖晶石相,从而提高复合钢管的耐蚀性能.  相似文献   

10.
在氧气中焙烧C/γ-Al2O3复合物快速制备α-Al2O3微粉   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种快速制备α-Al2O3微粉的方法, 以淀粉为碳源、γ-Al2O3为前体制备了C/γ-Al2O3复合物, 然后在800℃、氧气氛中焙烧制备α-Al2O3微粉. N2物理吸附及SEM分析结果表明, 所制得的α-氧化铝颗粒细小, 约为2μm. 该方法具有焙烧温度低、焙烧时间短的优点, 同时, 淀粉及γ-Al2O3均为廉价的工业原料, 且该方法所需淀粉量较少, 最少仅需0.3g/g γ-Al2O3, 对应的C/γ-Al2O3复合物碳含量约为6wt%, 因而极具工业化应用前景.  相似文献   

11.
喷雾燃烧热分解制备Cr掺杂TiO2纳米粒子的可见光催化性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用一步喷雾燃烧热解法制备了Cr掺杂TiO2纳米粒子,研究了Cr掺杂对样品微结构、吸光特性和可见光催化活性的影响. 结果表明:增加Cr掺杂量抑制锐钛矿相的形成,同时促进金红石相的形成. 在低Cr掺杂量下(≤1%),Cr主要以Cr3+的形态进入TiO2晶格,而Cr掺杂量过大时,易于形成Cr2O3团簇. 光催化降解2,4-二氯苯酚结果表明,适量的Cr3+掺杂可以有效地提高TiO2的可见光催化活性,获得最高光催化活性的Cr3+掺杂量为1at%. 样品可见光催化活性的提高主要与Cr掺杂引起的可见光吸收增强、晶相组成改善以及光生电子和空穴传输效率提高有关.  相似文献   

12.
添加Y2O3-Dy2O3的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文探索了以自蔓延高温(SHS)法合成并经抗水化处理的AlN粉为原料,以Y2O3-Dy2O3作为助烧结剂的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构.结果表明,晶界处存在Dy4Al2O9、Y4Al2O9、DyAlO3、Dy2O3和DyN等第二相物质,随烧结温度变化,第二相的种类、数量和分布不同,显微结构也随之变化,从而影响AlN的热导率.在1850℃下,可获得热导率为148W/m·K的AlN陶瓷.  相似文献   

13.
采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结. 研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响. 研究表明: 成膜温度较低时,SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜, 但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强; 经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性, 且回滞窗口随退火温度升高而增大, 经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V; 在550~700℃范围内, Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/\\p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降, 当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大, 经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.  相似文献   

14.
应用高温固相法合成了Na的多铝酸盐,并研究了Eu2+在体系中的发光性能.结果表明,Na1+xMgAl11-xO17体系在整个组成范围内保持Na的β-Al2O3结构不变,而对于Na1.67-2xBaxAl10.33O17体系,在x=0.30附近体系结构发生转变,x<0.30,体系形成Na的外β-Al2O3结构的固溶体,x>0.30,体系形成Ba的β-Al2O3结构的有序体;与体系组成和结构的变化相对应,Eu2+的发射能量和发光强度产生相应的变化,在Na的β-Al2O3中Eu2+存在高、低能两种发射中心;通过系列化研究,获得了新的组成的、具有β-Al2O3结构的荧光体Na0.67Ba0.50Mg0.67Al10.33O17:Eu2+,在较低的掺杂浓度(0.05mol)下可以产生较强的发光.  相似文献   

15.
纳米α-Al2O3/W复合粉体的制备   总被引:1,自引:0,他引:1  
论述了非均相沉淀法制备纳米α—Al2O3/W复合粉体的实验过程,以及纳米钨粉对α—Al2O3相转变温度的影响.结果表明:纳米钨粉的存在降低了α—Al2O3的相转变温度.本实验所制凝胶在1000℃真空中煅烧1h可获得平均粒径<50nm的α—Al2O3/W粉体.  相似文献   

16.
Ag/TiO2薄膜结构和光催化性能研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用溶胶-凝胶技术制备了Ag掺杂的TiO2薄膜.用XRD、氮吸附法、UV-VIS-NIR分光光度计以及XPS对Ag掺杂后TiO2薄膜结构的变化进行了分析;用分光光学法通过在紫外光照下分解亚甲基蓝的实验比较了TiO2薄膜与Ag/TiO2薄膜的光催化性能.结果发现,掺杂适量的Ag有助于TiO2薄膜光催化氧化性能的提高,原因在于:(1)Ag通过引入耗尽层提高了TiO2的电荷分离能力,并吸引空穴向薄膜表面移动,结果使薄膜表面空穴的浓度提高,薄膜光催化效率提高;(2)Ag减小了TiO2粒子的粒径,使TiO2禁带宽度增大,薄膜光催化氧化的能力提高;(3)Ag掺杂后,TiO2薄膜表面对-OH基和水的吸附增加,使光照后TiO2薄膜表面活性自由基·OH的浓度增加,空穴向薄膜所吸附物质的转移能力提高.  相似文献   

17.
Al2O3微粉的表面改性及表征   总被引:1,自引:0,他引:1  
以α-Al2O3微粉为基体,Y(NO3)3水溶液为包裹相,采用液相包裹法进行加钇颗粒表面改性.获得了表面均匀包裹Y2O3的α-Al2O3粉体.将此粉体与Al合金复合制备复合材料.复合材料组织更加均匀.对材料进行力学性能测试,结果表明:改性粉体对Al合金增强效果明显增加,抗拉强度提高27.2%;屈服强度提高33.1%,延伸率提高10.3%.  相似文献   

18.
利用HREM和其它分析手段研究了含氟或含锆K2O-MgO-Al2O3-SiO2系统玻璃液滴状分相对成核的影响.实验中观察到成核首先从液滴相内部开始,根据晶核的电子衍射图样和晶格条纹数据结合晶面间距计算,分析了分相对成核的影响以及引起整体析晶的主要因素和析晶次序等.  相似文献   

19.
生物材料中金属-陶瓷界面和微结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
本研究在钛合金表面施加与人体组织相容性极好的商业医用P-陶瓷(含Al2O3,SiO2,K2O,Na2O等)涂层,在提高与人体组织相容性方面,收到了显著的效果.而在此之前,在钛合金表面上施加Si3N4涂层,由干有效地增强了钛合金与陶瓷涂层之间的结合强度;使效果更佳.这一复合涂层体系的成功,解决了目前遇到的问题,开创了不少新的应用领域.本研究不但给出复合涂层化学组成、工艺和性能,并且对其显微结构进行了深入地研究.  相似文献   

20.
Nb掺杂Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷的电行为特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用固相烧结工艺制备了Nb5+掺杂的Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷.运用XRD 和AFM对Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料直流电导率与温度关系的Arrhenius拟合,分析丁Bi4Ti3-xNbxO12+x/2的导电机理. Nb5+掺杂提高了材料的介电常数,但居里温度随掺杂含量的增加呈线性下降趋势.DSC结果显示Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料在居里温度处经历了一级铁电相变.样品的铁电性能测试结果表明, Nb5+掺杂Bi4Ti3O12提高了材料的剩余极化Pr,这主要是由于Nb5+取代Ti4+大大降低了材料中氧空位的浓度,使得氧空位对畴的钉扎作用减弱的缘故.  相似文献   

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