在线式等离子清洗在封装中的应用

IC封装工艺过程中,芯片表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品质量,如果在封装工艺过程中的装片前、引线键合前及塑封固化前进行等离子清洗,则可有效去除这些污染物.介绍了在线式等离子清洗设备及清洗原理,并对清洗前后的效果做了对比.     

FSI国际收到一家全球性领先的晶圆厂对其ANTARES清洗系统的多套继续订单

FSI国际有限公司近日宣布，一家全球性领先的亚洲晶圆厂再次定购多套ANTARES超凝态过冷动力学清洗系统，大幅提高了该平台的安装数量。该系统具有通过使用在线直流参数测试去除生产残留物的能力，而这些残留物曾被报告会导致良率的损失。这家晶圆代工厂目前使用ANTARES系统完成各种前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）中的微粒去除工艺，该项订单实现了在65nm和90nm技术节点更高的在线参数测试清洗的能力。     

离心旋转喷雾式清洗技术

应用．前段光刻胶去除和灰化后清洗．自对准多晶硅化物去除．后段灰化后清洗．凸块制程中．晶圆回收     

在线等离子清洗设备控制系统设计

作为一种精密干法清洗设备,等离子清洗机可以有效去除IC封装工艺过程中的污染物,改善材料表面性能,增加材料表面能量。与传统独立式的等离子清洗设备相比,在线式等离子清洗设备具有自动化程度高、清洗效率高、设备洁净度高、适应范围广等优点,适用于大规模全自动化生产。     

有害气体防制与晶圆表面处理技术

传统的半导体生产制程均使用湿式清洗技术清除晶圆表面的污染微粒,此一制程需用到大量的的有害化合物,造成作业人员危害及环境污染的问题。此外,因湿式清洗与润湿制程的超纯水用量约占半导体厂超纯水用量的60%,假如干式技术能取代部份湿式清洗步骤,将可减少可观的水资源及危害性化学用品使用量,并因而降低晶圆制程的风险。本研究系针对晶圆干式清洗法之脉动喷气式(Pulse-jet)清除晶圆表面微粒之机制进行探讨,以提供另一解决微粒污染晶圆问题的方法。由研究的结果显示,对晶圆表面0.6μm的标准PSL微粒(PolystyreneLatex)局部最高去除效率大…     

离心旋转雾式清洗技术

应用 -前段光刻胶去除和灰化后清洗 -自对准多晶硅化物去除 -后段灰化后清洗 -凸块制程中 -晶圆回收     

兆声清洗技术分析及应用

主要论述兆声清洗技术原理及其在微电子清洗工艺过程中的应用。采用兆声清洗法可以减少化学品和高纯水的用量,在不破坏晶圆表面特征的前提下,提高对亚微细颗粒及各种污染物的去除能力及生产效率。     

等离子清洗在LED封装工艺中的应用

在LED封装工艺过程中,器件表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品可靠性,影响产品质量。如在封装前进行等离子清洗,则可有效去除上述污染物。介绍了等离子清洗设备原理,并对清洗前后的效果做了对比。     

Axcelis公司推出全新Integra RS干法光阻去除清洗系统

<正>Axcelis Technologies推出全新Integra RS干式光阻去除清洗系统,让Axcelis成熟先进制程能力拥有更高的生产力及弹性,为目前市场上的先进存储器与逻辑原件提供了最高的制造能力。Integra RS系统独特的多反应腔设计包括了成对的反应室制程模组,可以达到最高产出。由于每     

玻璃表面微颗粒的激光清洗研究(特邀)

针对玻璃表面微颗粒的污染问题,文中研究了脉冲激光对颗粒污染物的清洗阈值和清洗效果。通过颗粒吸附和形变模型计算石英玻璃表面与颗粒间的吸附力,分析热应力与激光能量密度的关系。通过吸附力和热应力的对比分析得到颗粒污染物的清洗条件和理论阈值。实验对比石英玻璃表面颗粒的正面入射和反面入射的清洗效果,研究功率密度、扫描速度和清洗次数等参数对清洗率的影响。结果表明,大颗粒污染物的反面清洗可以完全去除,正面清洗小颗粒污染物的效果较好。单因素和三因素研究表明激光功率密度对清洗率的影响比扫描速度大,激光清洗次数对清洗率几乎没有影响。     

Post-CMP cleaning using acoustic streaming

Noncontact surface cleaning is a desirable process in post-chemical mechanical polishing cleaning. High-frequency megasonic cleaning utilizes acoustic streaming as the dominant particle removal mechanism. It is widely used in the semiconductor industry for the removal of particulate contamination. This paper introduces recent results that involve the removal of silica slurry using megasonic cleaning. A noncontact (megasonic) cleaning process for the removal of slurry residues from dipped and polished wafers is presented. Complete particle removal (100%) was achieved using megasonics with deionized water with 1% NH₄OH using wafers dipped in silica slurry. The optimum conditions for megasonic cleaning (power, temperature, and time) were determined for the removal of the silica slurry. Up to 99% particle removal from polished wafers was accomplished using noncontact megasonic cleaning with 1% ammonia for 15 min.     

利用激光清洗技术清除砂岩及光学元件表面污染物

激光清洗技术与其他清洗方法（化学清洗、超声波清洗等）相比,具有保证清洗对象无损、清洗效果好、精细和无污染等优点,正在被广泛地研究和应用。根据去除原理的不同,激光清洗技术被分类为干式激光清洗、湿式激光清洗和激光等离子体冲击波等方法。在文物保护领域中,石质文物表面的污染物影响文物美观,更严重威胁着文物的保存。在高功率固体激光装置中,光学元件表面的污染物严重影响了激光系统的正常运行。利用激光清洗技术清除砂岩表面的墨迹污染物以及镀金K9玻璃表面颗粒和油脂污染物,利用显微镜、暗场成像法、紫外可见近红外分光光度计、X射线光电子能谱仪等方式检测清洗效果,结果表明清洗效果良好。     

通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究

通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。     

微电子工业中清洗工艺的研究进展

简要介绍了硅片表面污染物杂质的类型,综述了传统湿法清洗及干法清洗对硅片表面质量的影响,以及近年来清洗技术和理论的研究发展及现状;同时,阐述了污染物检测方法的研究进展;最后,对今后微电子清洗工艺的发展方向进行了展望。     

GaAs表面旋转超声雾化清洗新技术

研究了一种新型湿法化学清洗半导体GaAs表面的方法。通过简单设计清洗工艺能使GaAs表面产生最低的损伤。GaAs表面清洗必须满足三个条件：(1)清除热力学不稳定因素和表面粘附的杂质,(2) 除去GaAs表面氧化层,(3)提供一个光滑平整的GaAs表面。本文采用旋转超声雾化方式用有机溶剂除去GaAs表面的杂质,再用NH4OH:H2O2:H2O= 1:1:10和HCl:H2O2:H2O=1:1:20顺次腐蚀非常薄的GaAs层,去除表面的金属污染,并在GaAs表面形成一个非常薄的氧化层表面,最后用NH4OH:H2O= 1:5溶液来清除GaAs表面氧化层。测试GaAs表面的特性,分别用X射线光电光谱仪、X射线全反射荧光光谱仪和原子力显微镜测试了GaAs表面氧化的组分、GaAs表面金属污染和GaAs表面形貌,测试结果表明通过旋转超声雾化技术清洗可提供表面无杂质污染、金属污染和表面非常光滑的GaAs衬底,以供外延生长。     

GaAs surface wet cleaning by a novel treatment in revolving ultrasonic atomization solution

A novel process for the wet cleaning of GaAs surface is presented. It is designed for technological simplicity and minimum damage generated within the GaAs surface. It combines GaAs cleaning with three conditions consisting of (1) removal of thermodynamically unstable species and (2) surface oxide layers must be completely removed after thermal cleaning, and (3) a smooth surface must be provided. Revolving ultrasonic atomization technology is adopted in the cleaning process. At first impurity removal is achieved by organic solvents; second NH_4OH : H_2O_2 : H_2O =1:1:10 solution and HCl : H_2O_2 : H_2O = 1:1:20 solution in succession to etch a very thin GaAs layer, the goal of the step is removing metallic contaminants and forming a very thin oxidation layer on the GaAs wafer surface;NH_4OH : H_2O =1:5 solution is used as the removed oxide layers in the end. The effectiveness of the process is demonstrated by the operation of the GaAs wafer. Characterization of the oxide composition was carried out by X-ray photoelectron spectroscopy. Metal-contamination and surface morphology was observed by a total reflection X-ray fluorescence spectroscopy and atomic force microscope. The research results show that the cleaned surface is without contamination or metal contamination. Also, the GaAs substrates surface is very smooth for epitaxial growth using the rotary ultrasonic atomization technology.     

硅片清洗研究进展

综述了清洗液的组成、特点、清洗机理、对硅片表面质量的影响以及清洗技术和理论的发展;着重指出了,改进的RCAI对颗粒度、微粗糙度和金属沾污作用的机理,讨论了它与清洗顺序的关系,极度稀释的RCA2能使金属沾污降至10∧10原子/cm∧2以下,且不易使颗粒重新沉淀;最后介绍了清洗工艺的最新进展。     

An Electrochemical Cleaning Technique for Removal of Surface Contamination before Texturization of Silicon Solar Cells

In order to decrease the consumption of reagents and silicon during removal of surface contamination before silicon texturing in solar cell manufacturing industry, a new low-cost surface treatment approach of electrochemical cleaning technique(ECT) is reported. In this technique, a powerful oxidizing electrolyte was obtained from the electrochemical reaction on Boron-doped Diamond(BDD) electrodes, and applied during removal of surface contaminations on silicon wafer surfaces. The slightly polished monocryst...     

InSb晶片表面有机物沾污清洗的分子动力学研究

清洗是混成式探测器芯片器件制造过程中的一道关键工序。探测器芯片表面所吸附的有机物沾污是清洗的主要目标。使用第一性原理与分子动力学相结合的方法研究了丙酮、乙酸乙酯对InSb晶面有机物沾污(主要成分为502)的清洗机理。第一性原理计算结果表明,丙酮与乙酸乙酯的分子反应活性位点均离域在杂原子上,两者可通过杂原子对吸附在InSb表面的502解吸附以达到清洗的目的。分子动力学模拟结果表明,乙酸乙酯可以促进丙酮分子在502膜层中的扩散能力,以此加强丙酮对502的去除作用。     

激光表面清洁的实验研究

激光清洁法较之其它方法有其独特的优点。本文采用ＹＡＧ脉冲激光器作光源，对几类表面附着物的清洁进行了实验研究。初步的实验结果表明，清洁效果令人满意。除材料本身性质外，选择合适的表面清洁的重要参数（激光波长和脉冲宽度）可以提高表面附着物的清洁效率并可降低激光对表面基质材料的危害。本文还讨论了与激光清洁过程有关的其它因素和解决方法。