水润滑下纳米Si3N4填充PEEK摩擦表面的研究

纳米Si3N4填充PEEK复合材料具有良好的摩擦学性能[1].通常在水润滑下聚合物复合材料的耐磨性能变差[2],作者研究了在水润滑条件下纳米Si3N4填充PEEK复合材料的摩擦磨损性能,发现摩擦性能有所改善,但磨损率却增加了一个数量级.为了探讨其磨损机理用EPM-810Q电子探针对纳米Si3N4填充PEEK摩擦表面的形貌和元素面分布进行了观察分析,为纳米Si3N4填充PEEK的应用提供科学依据和参考.     

填充聚苯硫醚复合材料的磨损机理研究

采用热压法制备了聚四氟乙烯-氧化钨单一及双填充聚苯硫醚复合材料,采用往复摩擦磨损试验机考察了复合材料的摩擦磨损性能,采用扫描电镜考察复合材料的磨损机理。结果表明,在往复摩擦磨损条件下,聚四氟乙烯-氧化钨双填充聚苯硫醚复合材料的摩擦磨损性能较好,且其磨损机理明显不同于单一填充聚苯硫醚复合材料。填充无机化合物颗粒一般均能有效改善聚合物的摩擦学性能[1～2]。推荐的无机填料最佳体积分数通常为30～35%。作为一种高温性能较好的热塑性塑料,聚苯硫醚尺寸稳定性较好,在高温下同无机物质的粘结较好,在常温下具有较高的硬度和较好…     

石墨表面纳米结构的截面特征分析

我们以在高定向裂解石墨表面获得的纳米结构为例，对利用电子束方法和加热氧化方法制备的纳米结构的特征进行了对比分析，并结合材料的输运性质探讨纳米结构的加工机制。     

硅基纳米SiC的制备及其微结构分析

在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．     

W/SiC纳米多层膜界面微结构研究

本文采用双靶交替磁控溅射方法制备了Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜，并用高分辨电镜对多层膜截面形貌及界面微结构进行了分析，结果表明：Ｗ／ＳｉＣ纳米多层膜具有良好的调制结构，其中Ｗ为多晶，ＳｉＣ为非晶，且Ｗ晶粒垂直于膜面的方向上的长大受到调制周期的限制，Ｗ与ＳｉＣ形成完全非共格界面，该界面具有宏观平直微观粗糙的特点，在界面上存在一个模糊的过渡层，该过渡层由Ｗ与ＳｉＣ的成份混合区和Ｗ的结构过渡区构成。     

纤维及晶须增强PTFE复合材料的磨损机理研究

利用ＭＨＫ－５００型环－块磨损试验机，对碳纤维、玻璃纤维及钛酸钾（Ｋ２Ｔｉ６Ｏ１３）晶须增强ＰＴＦＥ复合材料在干摩擦条件下与ＧＣｒ１５轴承钢对磨时的磨损性能进行了研究，然后利用ＳＥＭ对ＰＴＦＥ复合材料的磨屑及磨损表面进行了观察，进而对纤维及晶须增强Ｐ...     

纳米石墨烟幕对红外激光的消光特性研究

文中分析了纳米石墨作为烟幕干扰材料的吸波特性,在喷洒纳米石墨质量不同的情况下,利用烟幕箱测试了1.06μm和10.6μm两种波长激光透过率与时间的关系曲线,用滤膜称重法测量了纳米石墨烟幕在不同时间段的质量浓度,从而测得了纳米石墨对两种红外激光的平均质量消光系数,分别为1.2791m2·g-1和1.0252m2·g-1,表明纳米石墨对红外激光具有显著的干扰效果.     

PTFE改性玻璃纤维织物磨损机理的SEM研究

目前，纤维及其织物材料的研究主要集中在其作为增强材料的应用方面，而纤维织物复合材料的摩擦磨损性能研究则较少。本文研究了PTFE(聚四氟乙烯)改性玻璃纤维织物复合材料的磨损机理，以便为玻璃纤维织物复合材料的进一步应用提供科学依据和参考。     

扫描电镜研究喷焊层组织及磨损机理

扫描电镜研究喷焊层组织及磨损机理崔振铎姚韩雅静（天津大学分析中心，天津３０００７２）本文利用扫描电镜研究了的二步法氧－乙炔火焰喷焊Ｎｉ基自熔合金粉末层的显微组织及磨损机理。喷焊层厚度２ｍｍ，硬度ＨＲＣ５５。喷焊层的显微组织是由Ｎｉ基固溶体，Ｃｒ、Ｎ...     

聚四氟乙烯填充聚醚醚酮及其复合材料的研究

PEEK具有优良的综合性能,自60年代研制成功后,PEEK及其复合材料得到了广泛的应用。本文利用PEEK的良好机械性能和高耐热性,PTFE的低摩擦系数,加入助剂改进加工工艺,通过共混制备PEEK/PTFE合金,用纤维增强提高其力学性能,开发出一种工艺性好,能注射成型的无油润滑、耐高温、低摩擦材料。结果表明,该材料不仅保持了良好的机械性能,而且具有良好的摩擦磨损性能。实验方法PEEK粉料在150℃下预干燥4h以上,按一定比例与PTFE粉和其它助剂混合,利用双螺杆挤出机造粒,设置温度为330～360℃,然后将干燥粒料注射成试样,进行力学性能测试,…     

硅灰石填充UHMWPE基复合材料的干滑动磨损

超高分子量聚乙烯 (ＵＨＭＷＰＥ)是一种新型工程塑料 ,分子量一般在 1 5 0万以上 ,与普通聚乙烯具有相同的分子结构。它具有耐磨损、耐腐蚀、耐冲击、自润滑、摩擦系数小、耐低温等优良特性。却存在表面硬度低、强度低、耐热性能差、有蠕变性等缺点[1～ 3] 。本文研究的重点是硅灰石填充ＵＨＭＷＰＥ的干滑动磨损性能及机理。实验部分试验所用ＵＨＭＷＰＥ的分子量为 2 5 0万。采用乙烯基三乙氧基硅烷和ＮＴ -1 0 5酞酸酯偶联剂进行表面处理。经过偶联剂表面处理的硅灰石与ＵＨＭＷＰＥ按一定的比例装入Ｖ形混料机进行充分混合 ,然后装入模…     

SiC纳米线的孪晶机制的透射电子显微学研究

本文对溶胶-凝胶法制得的SiC微孪晶纳米线进行了微结构与孪晶机制的详细研究,利用会聚束电子衍射(CBED)及其动力学模拟技术间接证明了它是一种关于(111)面的60°旋转孪晶.并在此基础上对SiC微孪晶纳米线的生长机理进行了讨论.     

SiC表面氢化研究

该文提出6H-SiC ( 0001)/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模型。模型以氢钝化SiC表面悬挂键,降低SiC表面的界面态密度,消除了费米能级钉扎,获得理想的SiC表面。将此模型用于SiC/金属接触的SiC表面处理,在100℃以下制备了理想因子n=1.2~1.25的肖特基结和比接触电阻＝510-3 cm2~710-3 cm2的SiC欧姆接触,其优点在于不仅避免了欧姆接触800~1200℃的高温合金,而且改善了肖特基接触的电学特性。SiC表面模型与实验结果吻合较好。     

A comparison of graphite and AlN caps used for annealing ion-implanted SiC

The SiC wafers implanted with Al were capped with AlN, C, or AlN and C and were annealed at temperatures as high as 1700°C to examine their ability to act as annealing caps. As shown previously, the AlN film was effective up to 1600°C, as it protected the SiC surface, did not react with it, and could be removed selectively by a KOH etch. However, it evaporated too rapidly at the higher temperatures. Although the C did not evaporate, it was not a more effective cap because it did not prevent the out-diffusion of Si and crystallized at 1700°C. The crystalline film had to be ion milled off, as it could not be removed in a plasma asher, as the C films annealed at the lower temperatures were. A combined AlN/C cap also was not an effective cap for the 1700°C anneal as the N or Al vapor blew holes in it, and the SiC surface was rougher after the dual cap was removed than it was after annealing at the lower temperatures.     

石墨和石墨烯填充导电硅橡胶的拉敏特性研究

以107室温硫化硅橡胶作为橡胶基体,石墨和石墨烯纳米薄片为导电填料,用常温加压固化的方法制备出导电硅橡胶。研究了石墨含量及拉力对导电硅橡胶电阻的影响以及填充石墨烯对导电硅橡胶导电性能的影响。结果表明:仅添加石墨,且石墨质量分数为41.2%时,拉敏性能最佳;在导电填料总含量为质量分数35.5%~41.2%时,添加0.04 g石墨烯能有效改善其导电性能,但拉力敏感性降低。     

SiC MESFET工艺技术研究与器件研制

针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72 eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA.为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiCMESFET具有195 mA/mm的饱和电流密度,-15 V的夹断电压.初步测试该器件有一定的微波特性,2 GHz下测试其最大输出功率为30 dBm,增益大于5 dB.     

不同摩擦条件下PTFE改性聚酰亚胺的磨损表面分析

纤维增强的聚酰亚胺(PI)树脂基复合材料具有比模量高、比强度高、耐辐射等特点，在航空航天飞行器、化工医药、汽车工业以及精密机械等行业都可选择使用。而研究该材料在水环境中的抗磨、耐腐蚀及密封等性能和相关机理，对于拓宽该材料在不同环境领域中的应用有着重要的学术意义。