WO3气敏材料的制备及H2敏感性能

采用简易水热法并通过控制原料Na2WO4·2H2O和盐酸的配比制备了六方相WO3纳米棒及斜方相WO3纳米颗粒气敏材料,并用丝网印刷法将WO3材料制备成气敏元件。测试了气敏元件在200~350 ℃对低浓度 (5~100) μL/L H2的气敏性能。结果表明：材料具有良好的响应-恢复特性、重复性和稳定性。当n(Na2WO4·2H2O):n(HCl) = 1: 2时,材料具有最高的灵敏度和稳定性;在该测试温度和H2浓度范围内,随温度和H2浓度的升高,材料的灵敏度呈上升趋势     

Al掺杂对ZnO纳米线CO气敏性能的影响

以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Al掺杂ZnO纳米线为气敏基料,制备成旁热式气敏元件,用静态配气法对浓度均为100ppm的氨气、甲烷、一氧化碳3种气体进行气敏性能测试。结果表明,Al掺杂后,ZnO纳米线对3种气体灵敏度的最高值分别提高了40%、60%、106%,对CO气体的影响最为显著,并缩短了响应时间和恢复时间。     

用不同气氛和不同温度的氧化法制备氧化锌纳米线的研究

在不同气氛中和低于锌熔点的350～400℃温度下,在锌箔上用直接氧化法制备了氧化锌纳米线。研究表明,在400℃以下的空气中加热会形成低密度的氧化锌纳米线;在400℃空气中加热时,氧化锌纳米线的密度明显增大。当在氧气与氩气的混合气氛中于400℃加热时,氧化锌纳米线的密度也明显增大。混合气体的流量越大,氧化锌纳米线的密度越大,纳米线越直。氧化锌纳米线的晶体结构为六方晶体,直径为20～150 nm,长度为几μm至十几μm。用直接氧化法可在低温无催化剂条件下制备出纳米材料。     

退火温度对Ti/IrO_2-Ta_2O_5电极的结构和电容性能的影响

采用热分解法在Ti基体上制备了Ti/IrO_2-Ta_2O_5氧化物电极涂层。采用X射线衍射、循环伏安、恒流充放电、交流阻抗等方法对其组织结构和电化学性能之间的关系进行了详细研究。结果表明:温度低于350℃的电极以非晶态的形式存在,当温度为370℃时,金红石衍射峰出现,说明在350~370℃范围为电极的临界结晶温度区间。370℃下制备的电极具有最大的积分电量,电量损失率最小,比电容达到最大值,为239.2 F/g。随温度升高,电荷转移电阻R_(ct)总体呈下降趋势。     

粉末涂层法制备SiCf/Ti先驱丝

采用粉末涂层法制备了SiCf／Ti复合材料先驱丝．胶粘剂为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，溶剂为丙酮．用粘度计测定不同质量浓度溶液的粘度，确定了胶粘剂的临界浓度为0．03g／mL．用化学分析方法测定胶粘剂在不同温度及不同压力下分解残余物的含量，研究了胶粘剂分解和逸出的动力学．胶粘剂的分解温度约为230℃，在350℃左右分解速率最大，低于400℃时分解完全．在分解温度范围内，同一压力下，随温度升高，分解速率和逸出速率增大；在同一温度下，随压力增加，胶粘剂的逸出速率减慢．确定了制备先驱丝的最佳工艺条件：烘干温度为110℃，电机走速电压为6．5V，钛粉和胶的质量比为15：1．     

氨化Ga2O3 /Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50nm,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

均相沉淀法制备氧化镍纳米线

以尿素、硫酸镍为原料,用均相沉淀法制备了氧化镍纳米线,并通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)及红外光谱等测试手段对所得产物的组成和形貌进行了研究.TEM结果表明,所得产物为多晶氧化镍纳米线,直径和长度分别为5～15 nm和250～350 nm.通过对前驱体产物在不同温度下煅烧,发现纳米线在600℃分解为颗粒.作为比较,以尿素为沉淀剂,用水热法制得氧化镍纳米粉体,结果得到球形和排列整齐的棒状两种形态.     

316L不锈钢在高含氯离子乙二醇中的腐蚀行为

采用失重法实验研究了温度、Cl-浓度对316L不锈钢腐蚀动力学行为的影响;实验判别了316L的晶间腐蚀倾向.结果表明:在C1-质量浓度为36 516 mg/L,Fe3+质量浓度为776 mg/L的情况下,316L的腐蚀速率随温度的升高而增大,温度超出60℃时腐蚀速率迅速增大,120℃时腐蚀速率达到最大值0.0781 m...     

一步阳极氧化法制备氧化铝纳米线及其形成机理

采用一步恒压阳极氧化法在草酸电解液中制备氧化铝纳米线,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪等对阳极氧化后产物的形貌、晶相进行了分析,研究了氧化电压、反应温度和电解质浓度对氧化产物形貌的影响。结果表明,纳米线的最佳制备条件为40℃、40 V、0.1 mol/L的草酸电解液。新制备的纳米线为无定形结构,在800℃煅烧60 min后转变为立方相氧化铝。同时根据实验结果,从反应界面的温度分布角度,对氧化铝纳米线的形成机理进行了探讨。     

ZnO纳米线掺杂Ag对CO气体气敏特征的影响

以纯Zn和Zn中掺杂Ag为原料在相同条件下用物理热蒸发法分别制备ZnO纳米线,对两种纳米线进行了SEM分析,并将其作为气敏基料制成旁热式气敏组件,对CO气体进行气敏性测试.结果表明,纯Zn制得的ZnO纳米线的形貌呈现放射状,分枝的直径均为约300hm、长度约10μm;而Zn中掺杂Ag制得的ZnO纳米线形貌虽也呈现放射状,但分枝的直径逐渐减小,最终成为点状,长度约3μm;在工作温度270℃下,两种纳米线对CO气体的灵敏度都达到最大值,且Zn中掺杂Ag相对于纯Zn的ZnO纳米线对CO气体灵敏度提高了61.5%;在CO浓度为0.27%时,两种纳米线的灵敏度也都达到最大值,Zn中掺杂Ag相对于纯zn的ZnO纳米线对CO气体灵敏度提高了107.2%,也对CO气体的响应时间缩短了3s.     

TiCl_4水解法制备TiO_2纳米颗粒包覆Ag纳米线阵列结构

采用水热法制备了TiO2纳米颗粒包覆Ag纳米线阵列结构。通过选区电子衍射手段确定了TiO2包覆层的晶体结构为锐钛矿。研究了TiCl4溶液浓度和温度对TiO2/Ag包覆结构形貌的影响,结果显示0.1 mol/L的TiCl4溶液能够得到连续均匀的TiO2包覆层,当TiCl4溶液浓度高于0.1mol/L时,水解产生的HCl在水热环境下会对Ag纳米线造成不同程度的腐蚀。80℃条件下能够得到较为均匀的TiO2包覆层和较高的结晶度;温度过低时,TiO2包覆层的结晶不明显,温度过高时,水解产生的HCl会对Ag纳米线产生腐蚀。     

Controllable Synthesis of WO3 Nanowires by Electrospinning and Their Photocatalytic Properties Under Visible Light Irradiation

Large amounts of WO3 nanowires were prepared on silicon substrates by electrospinning followed by appropriate calcinations in air using ammonium metatungstate(AMT) as WO3 source. Tunable densities and diameters of WO3 nanowires were achieved by changing the electrospinning time and the concentration of AMT in precursor solution.TG/DSC analysis was used to direct the heating process. The effects of both solvent ratio and heating process on the morphology of the obtained nanowires were investigated. The morphology, structure, and chemical compositions of the tungsten oxide were characterized by SEM, XRD, and EDX, respectively. Results showed that monoclinic phase WO3 nanowires with diameters ranging from 100 to 200 nm were obtained after the appropriate heating process when the AMT concentration of the precursor solution increased from 10 to 20 wt%. The photocatalytic performance of the obtained WO3 nanowires under visible light irradiation([420 nm) was investigated in the degradation of Rhodamine B at room temperature in air.     

（Al，Sb）／ZnO复合氧化物对乙醇气体气敏功能特性的影响

用可溶性无机盐法制备了较宽工作温度范围的纳米(Al，Sb)/ZnO气敏材料。该材料主相属于ZnO纤锌矿结构，并同时存在Sb2O5、Sb6O132种微量杂相。该复合氧化物的平均晶粒为86nm。用制备的氧化物纳米粉做成气敏元件，测试了不同铝含量的纳米材料在2000μg/g浓度乙醇气体下的敏感特性。当铝含量为Al/ZnO=1．5％(mol比，下同)时，对2000μg的乙醇气体的灵敏度最大可达到26。固定Al/ZnO=3％时，掺入不同量锑得到对乙醇气体有更大工作温度范围的纳米复合氧化物材料。同时讨论了掺铝掺锑复合氧化物对敏感气体的物理吸附和化学吸附及其气敏机理。     

碳化钨和碳化钒在固相钴中的固溶研究

分别以BET粒度为0.15μm和0.23μm的碳化钨粉末与钴湿磨压制制备成WC-90%Co试样条,分别以Fsss粒度为1.0μm和1.5μm的碳化钒粉末与钴湿磨压制制备成VC-95%Co试样条。将以上四种试样条分别于1 100、1 150、1 200℃进行真空烧结,将烧结后的试样条研磨抛光后采用X衍射仪和扫描电镜研究碳化钨和碳化钒在固相钴中的固溶情况。研究结果表明:两种粒度的WC均于1 150℃逐渐溶解到Co中形成γ-固溶体,其固溶度随温度升高而增大,1 200℃固溶完全;两种粒度的VC粉末于1 100℃逐渐溶解到Co中形成γ-固溶体,1 150℃固溶完全。     

AZ31B镁合金薄板的单向拉伸行为实验研究

在Gleeble-3500热模拟试验机上对AZ31B镁合金薄板(0.6 mm)拉伸试样在100～350℃的温度范围和1×10-1～1×10-3s-1的应变速率范围内进行了的单向拉伸实验,根据实验结果对AZ31B镁合金薄板的力学性能进行了分析.结果表明:AZ31B镁合金薄板在较低变形温度100～150℃时,应变速率对流动应力的影响不大;相比之下应变速率对AZ31B镁合金的断裂伸长率却有一定的影响,提高应变速率会降低材料的伸长率;在较高变形温度(200℃以上)时,应变速率对流动应力的影响比较明显,表现出显著的应变速率敏感性.     

采用耐热乳酸脱氢酶制备生物传感器来检测汞和镍

分析了采用耐热细菌LDH酶制备的生物传感器对汞和镍的响应性。将酶纯化、固定在一个涂有PGA-吡咯聚合材料的金箔上作为工作电极,在增加溶液中乳酸浓度的情况下测定生物传感器对两种不同浓度的汞和镍溶液的响应性。当溶液中含25×10-7mmol/L汞和17×10-5mmol/L镍时,生物传感器的电流响应分别从0.32μA下降到0.09μA和从4.13μA下降到2.63μA。在含25×10-7mmol/L汞溶液中,生物传感器的敏感性从0.0102μA/（mmol·L-1）下降到0.0043μA/（mmol·L-1）。另一方面,镍的存在并没有导致传感器敏感性的降低。结果表明,制备的生物传感器适合用于含汞和镍溶液中的汞检测。     

特异性荧光偏振免疫法监测 521例 肾移植后环孢素 A 全血浓度 3275 次

目的 通过监测肾移植后病人环孢素 A(CsA)全血浓度, 提出 CsA 在三联免疫抑制用药方案中的 理想治疗窗。方法 用特异性荧光偏振免疫法测定 CsA 全血浓度, 对 521例病人监测 3275 次, 按术 后时间及临床表现分组比较。结果 肾移植后 <1, 、1～ 3、3～ 6、6～ 12 个月 、1～ 2和 >2 年的 CsA 全血谷浓度的理想治疗窗应分别为 250～ 450、200～ 400、150～ 300、100～ 250、100～ 200 和 100～ 180 μg/L。结论 CsA 全血浓度在上述范围内, 中毒反应和排异反应明显减少。     

粉末冶金法SiC_p/Mg基复合材料的力学性能和阻尼性能研究

采用粉末冶金法制备了SiC颗粒增强纯镁基复合材料,研究了它的力学性能与阻尼性能。SiC颗粒的加入显著提高了纯镁基复合材料的力学性能和阻尼性能。其中,10μm SiCp/Mg基复合材料的力学性能最好;室温下复合材料的阻尼性能优于纯镁的;纯镁及其SiC颗粒增强复合材料的内耗-温度曲线在100℃～150℃的温度范围内均出现与位错有关的内耗峰,随后随温度的升高内耗值继续增加,20μm SiCp/Mg基复合材料在200℃～250℃的温度范围内出现与界面滑移有关的内耗峰。     

Na_2SO_3从硒碲富集物中浸出硒动力学(英文)

研究用Na2SO3溶液从硒碲富集物中浸出硒的动力学。该硒碲富集物的微观形貌主要为球状体和柱状体,其粒径范围为17.77～56.58μm,且其主要成分为41.73%Se和40.96%Te。研究Na2SO3浓度(126～315 g/L)、搅拌速度(100～400 r/min)、反应温度(23～95°C)、液固比(7:1～14:1)及硒碲富集物平均粒径(17.77～56.58μm)对Se浸出率的影响。结果表明:增加Na2SO3浓度、提高搅拌速度、升高反应温度和增加液固比均可以提高Se浸出率,而增大硒碲富集物的粒径会导致Se的浸出率降低;反应温度对Se浸出率影响较大,当反应温度从23°C升高至95°C时,Se浸出率从21%增至67%;该浸出过程符合Avrami模型,其模型特征参数和表观活化能分别为0.235和20.847kJ/mol。     

PREPARATION AND STRVCTURAL EVOLUTION OF TiO_2 THIN FILMS BY LOW PRESSURE MOCVD

1. IntroductionTitanium dioxide (TiO2) films are widely used for electrical and optical applications because of its high dielectric constant, its chemical stability and its high refractive i.de.[1--2].Tioz thin films can be prepared by various thin film deposition techniquesl3--8]. Amongthese techniques, chemical vapor deposition (CVD) is considered as a useful method to deposit high quality thin films with large area uniformity and well--controlled stoichiometry.Crystalline TiOZ exists th…