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相似文献
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1.
王金菊  Johan  Haanstra  Kofi  Makinwa  洪志良 《微电子学》2008,38(1):120-124
设计了一种用于测量系统的20位精度带通∑-△调制器。采用低失真离散时间单环4阶1比特量化结构,以实现高精度的指标。对带通调制器中最关键的模块-谐振子进行了研究,设计了一种对电容非线性和失配不敏感并具有精确谐振频率的高Q值谐振子。仿真结果表明,该调制器在100kHz中频处20Hz带宽内实现了20位分辨率。本调制器采用AMI0.35μm标准CMOS工艺实现,整个调制器的总面积仅为2.5mm^2,在3.3V供电电压下,调制器的总功耗仅为4mW。  相似文献   

2.
设计了一种适用于无线窄带射频接收系统的带通Σ-Δ调制器,并将其成功集成于一个无线射频收发芯片之中.该调制器采用0.35 μm CMOS工艺实现,采用斩波-稳零,动态元件匹配,以及正交采样等技术,提高系统的信噪比,并解决通道间失配的问题.模拟结果表明,该电路在30 kHz带宽内,信噪比为83.4 dB,而两个通道消耗的总电流仅为1 mA.  相似文献   

3.
介绍了一种运用于带通Σ-Δ调制器的谐振频率为25MHz的低功耗开关电容DD谐振器电路.电路采用了运算放大器共享技术和双采样技术,同时对单元电路进行优化,达到功耗最小化.该谐振器电路采用SMIC 0.25μm混合信号CMOS工艺进行设计,整个电路模块面积仅为0.09mm2.测试结果表明,使用该谐振器电路的带通Σ-Δ调制器工作于100MHz采样频率时,对于信号带宽为1kHz的输入信号,调制器的输出在谐振频率处SFDR约为77dB.整个谐振器功耗为10.5mW.  相似文献   

4.
曹楹  洪志良 《微电子学》2007,37(4):561-565
设计了一种适用于无线窄带射频接收系统的带通∑-△调制器,并将其成功集成于一个无线射频收发芯片之中。该调制器采用0.35μm CMOS工艺实现,采用斩波-稳零,动态元件匹配,以及正交采样等技术,提高系统的信噪比,并解决通道间失配的问题。模拟结果表明,该电路在30kHz带宽内,信噪比为83.4dB,而两个通道消耗的总电流仅为1mA。  相似文献   

5.
简要介绍了Σ-Δ调制器的基本原理,设计了一种适合数字音频应用的16位Σ-Δ调制器.该电路采用Chartered 0.5 μm标准CMOS工艺实现,工作电源电压为5 V,在工作频率为6.144 MHz、过采样率为128时,输入带内信噪比可达107 dB.  相似文献   

6.
带通Σ-Δ调制器的双线性变换设计方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文论述了带通式Σ-Δ调制器的双线性变换设计方法,通过线性化的插入式网络分析技术,将带通式Σ-Δ调制器的设计问题转化为了IIR带阻数字滤波器的设计问题.文章给出了该方法的原理和设计步骤,并对一位Σ-Δ代码的产生和检验方法以及调制器的稳定性问题进行了说明和讨论,最后给出了利用Matlab的计算机仿真结果,结果表明,该方法简单可靠,便于计算机仿真和检验,可大大加快带通Σ-Δ调制器的设计过程.  相似文献   

7.
介绍了Σ-Δ调制器的基本原理,设计了一种适合数字音频应用的16位Σ-Δ调制器。该电路采用Chartered 0.5μm标准CMOS工艺实现,工作电源电压为5V,在工作频率为6.144MHz、过采样率为128时,输入带内信噪比可达107dB。  相似文献   

8.
采用多位D/A转换器是Σ-Δ调制器实现高速高精度的主要手段,然而,多位D/A转换器引入非线性却是影响Σ-Δ调制器信噪比的主要因素.讨论了一种具有单位信号传递函数、动态元件匹配实现多位D/A 转换器并对其引入的非线性噪声压缩整形(NSDEM)的Σ-Δ调制器结构;在此结构上进行了Σ-Δ调制器的设计方法研究.行为仿真结果验证了该结构和设计方法的可行性.  相似文献   

9.
都文和  王婷  陈晨 《微电子学》2015,45(5):615-620, 625
设计了一种适用于加速度计接口电路的全差分Σ-Δ调制器。该电路基于1位量化的4阶单环前馈结构,利用根轨迹法分析了该高阶系统的稳定性,采用斩波稳定技术降低了低频噪声和失调电压。电路采用标准CMOS工艺流片,测试结果显示,在5 V电源电压和250 kHz采样频率下,功耗约为20 mW;当过采样率为125时,不带斩波技术的调制器的SNR为89 dB,带斩波技术调制器的SNR为99 dB。通过对比测试,验证了设计思路的正确性。  相似文献   

10.
程剑平  朱卓娅  魏同立 《电子学报》2005,33(11):2051-2055
本文设计了一种符合双标准接收机要求的一位四阶带通调制器.为了实现低电压低功耗设计的要求,改进了调制器结构,并进行了从系统到电路模块的优化.采用0.35μm CMOS工艺,Hspice和Matlab联合模拟表明:在2V电源电压下,调制器在GSM和WCDMA系统中的DR分别为86dB和36dB,而功耗仅为10.5mW和12mW.  相似文献   

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