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本文叙述了南朝鲜半导体工业的发展过程、目前水平,介绍了南朝鲜几个主要的半导体公司的状况和特点及南朝鲜在发展电子工业,特别是半导体工业中所采取的措施和策略,最后对我国半导体工业的发展提出了几点看法. 相似文献
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亚太地区(香港、朝鲜、台湾、东南亚)是许多主要半导体生产厂的生产基地。SGS/Thomson公司多年来在新加坡一直拥有三个制造厂,台湾也是许多半导体公司,包括世界上最大的专用制造公司——台湾半导体制造公司(TSMC)在内的生产基地。南朝鲜的三星厂已是世界前20名半超导体生产厂 相似文献
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张影华 《激光与光电子学进展》1986,23(11):46
南朝鲜汉城Deawoo重工业公司是南朝鲜生产工业激光器和机器人的唯一公司。该公司1984年就开始把它的激光器和机器人用于各种生产,并于同年夏季将工业机器人首次向国内和美国出售。公司还期望今年秋天向国内首先出售激光系统。 相似文献
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据《半导体世界》94年12期报道,南朝鲜电子产业打算到2O00年时的6年时间里,对半导体部门投资3O00亿、对半导体以外的部门投资2O00亿、共计5000亿南朝鲜圆,预计到2001年,销售额会比现在增加3.3倍,达到1兆南朝鲜圆。半导体部门打算把晶体管的生产能力从现在的月产量4亿个,在ZOOO年时提高到10亿个。另外,打算重新进入电力用半导体事业。作为半导体以外的领域,他们还将扩大LCD事业。南朝鲜电子产业正在加强半导体部门@益群 相似文献
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近年来,国际半导体行业竞争剧烈,继美、日、西欧之后,一些国家和地区例如南朝鲜、台湾等纷纷崛起,力图挤入国际市场,倾销半导体产品。此外,由于受到全球性经济衰退的影响,半导体工业不景气的局面有所持续。以具有代表性的、被誉为“技术先驱”的产品——4兆位DRAM市场情况来看,1988年 相似文献
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由于日本具有雄厚的半导体工业基础,所以,近年来日本列阵红外探测器件的制造技术发展相当迅速,例如,达200元之多的碲镉汞列阵器件已经制成,并应用到许多科研和生产中。日本生产红外探测器列阵器件的公司主要有东京芝浦电气股分公司和富士通股分公司。下面介绍这两家公司制造红外探测器列阵器件的工艺。 相似文献
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徐英俊先生是美国莱迪思半导体公司的总裁、董事会主席和首席执行官。莱迪思半导体公司座落于美国俄勒冈州的Hillsboro,专门从事高速CMOS可编程逻辑器件(PLD)的开发与销售。这家公司的专利产品GAL器件(通用阵列逻辑器件),为电子系统提供了设计快捷编程容易的器件。 相似文献
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据《半导体世界》(日)1994年第9期报道,南朝鲜的《三星电子》、《现代电子工业》、《金星电子》三大半导体公司的存储器销售金额大幅度上升,1993年销售额比1992年增加了62%,之后到1994年,销售情况依然看好。1994年上半年与1993年上半年相比,销售额增加了59%,突破了35亿6000万美元大关。另外,这三大公司的同时期输出金额增加了58.7%,竟达到31亿6000万美元。就各公司的情况看,1994年上半年状况是,三星电子公司销售额1994年比1993年同时期要增加56.6%,业已达到20亿8000万美元,1994年全年的销售额实际上已达到40亿美元以上… 相似文献
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台湾工业技术研究院电子工业研究所(简称工研院电子所——EPSO/ITRI)成立于1974年。该所成立多年来一直从事微电子器件的新技术、新产品和新工艺的研究与开发,并把研究与开发的新技术成果转让、移植和成立衍生微电子器件制造公司等工作,在台湾微电子工业的发展史上起着关键性的作用,立下了汗马功劳。从工研院电子所派生出来的半导体制造公司有:1979年成立的台湾第一家设计与制造IC的公司——联华电子(UMC)、1987年成立的台湾第一家6英寸硅圆片制造公司——台湾集成电路制造公司(TSMC)和1994年成立的台湾第一家8英寸硅圆片公司——世界先进半导体公司(Vanguard)。以上三家公司都是以工研院电子所的技术与人才为基础创建的,后两家公司还承接了电子所当时拥有的最先进的硅圆片制造厂及设备。在协助建立台湾半导体产业并 相似文献
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本文首先对国内半导体分立器件和半导体集成电路的质量水平做了估价,接着进行了国内半导体器件市场分析,讨论了器件销售所面临的困难和造成困难的原因,探讨了器件生产厂家的出路和发展方向,并对国产器件所存在的问题做了评述。文中还对半导体器件引进生产线情况做了介绍。本文在概述了分立器件的发展方向之后,重点阐述国内半导体集成电路的发展动态(我国IC工业发展现状、国内生产IC的主要品种、“七五”期间IC工业的发展及ASIC),并对国外IC发展动态做了扼要说明。 相似文献
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LouieLeung 《世界电子元器件》2005,(1):60-60
半导体工业的飞速发展,迫切需求在设计创新和产品制造方面取得新的技术突破。可编程逻辑器件(PLD)的出现适时地迎合了半导体工业的这种需求。 相似文献
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无线通信的发展已成为推动半导体工业发展的真正动力,许多半导体公司为了在这一领域占有一席之地正大力开发微电机械系统(MEMS)。实现目标的途径之一是设计出可集成无源器件的方法,这些器件占当今无线手机中所用器件的70%。研究人员目前正努力开发芯片集成技术,MEMS技术便是其中的重要组成部分。MEMS已用于开关、滤波器、局域振荡器、可调电容器及高品质因数电感线圈等。制作这些器件的光刻条件与那些标准的在极端复杂的表面上进行的半导体制造工艺大相径度。本文讨论了制作这些器件的难点以及一些经证明可以满足要求的制作方法。 相似文献