对国产探测器级P型硅单晶的评价

本文介绍了用739厂的P型硅单晶制作Si(Li)X射线探测器所得的一些结果。探测器对~(55)Fe5.89keVX射线的能量分辨率小于165eV(FWHM)。并介绍了用国内不同厂家的几种P型硅单晶在美国劳伦斯实验室(LBL)制作Si(Li)X射线探测器的结果。实验表明,国产P型硅单晶可以制出高质量Si(Lj)X射线探测器。对西德瓦克(Wacker)公司的一些P型硅单晶和国产一些较高电阻率材料进行了对比试验,利用LBL的条件分析了某些材料的深能级杂质,并对实验中的一些问题进行了简单的讨论。     

高阻探测器级硅单晶

高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶硅的纯度,高阻硅单晶的制备技术及高纯工艺、高阻硅单晶电学参数的测量等几方面进行了研究。几年来,陆续向国内有关单位提供了小批量p型、电阻率高于2×10~4Ω·cm的硅单晶。现已研制出一批p型电阻率高于4×10~4Ω·cm的硅单晶。     

高纯硅单晶断面寿命的不均匀性及其对核辐射探测器的影响

硅单晶断面少子寿命分布均匀与否的问题,以前提及得很少。本文基于大量测试数据讨论了N 型区熔高纯硅单晶断面寿命的不均匀性及其对面垒型核辐射探测器性能的影响。     

探测器级NTD硅单晶的研制

介绍了探测器级NTD硅单晶的制作工艺 ,并对如何保证探测器级NTD硅单晶的质量进行了讨论。     

大直径p型探测器级硅单晶的研制

为了满足对大直径Ｐ型探测器级硅单晶的需求，在原有小直径单晶工艺的基础上，采用线圈喷砂打毛、甩尾、保温提纯、快速成晶等技术，成功地拉制出Φ５０、Φ６２和Φ７５的Ｐ型高阻硅单晶。用本区熔工艺拉制的单晶可做到无位错、无漩涡缺陷。对技术中涉及的有关机理进行了初步探讨。     

直拉重掺硼硅单晶的研究进展

系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展。主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质，利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术，重掺B硅单晶的机械性能，重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀，以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型(Void)原生缺陷的控制关系。在此基础上，探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题。     

氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响

在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温～773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿〈110〉方向。棒状缺陷和层错有〈116〉型的位移矢量,层错在(113)面上。非层错化过程产生具有柏氏矢最为 a/2〈110〉型的间隙型位错环.     

PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭。对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%。     

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述     

北京有色研究总院拉制出直径200mm的硅单晶

北京有色研究总院国家半导体材料工程研制中心继1992年拉制出第一根直径为150mm硅单晶后,日前又拉制出直径为200mm的硅单晶,这标志我国硅单晶制造技术取得新的进步。 半导体材料硅是电子信息技术的基础,被国家列为高新技术发展的重点。这根直径为200mm的硅单晶为N型,重达56kg。加大硅单晶直径,历来被认为是提高硅片产量、降低成本的有效措施,技术难度也相应     

NTD Cz—Si中辐照缺陷的控制与利用

本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火即可完成内吸杂(IG)处理,并进行了简单的解释。     

硅单晶退火工艺研究

一前言近年来,电子工业的飞速发展,不断对硅单晶性能提出新的要求,特别是改善硅单晶电学参数的稳定性,已成为突出的质量问题之一。为此,国内各高等院校和科研单位对此进行了大量的研究,推动了硅单晶热处理工艺的进展。我厂在这个基础上,开始摸索热处理工艺。本工作着重对硅单晶电阻率稳定性,进行一系列不同温度下的热处理试验,其试验     

直拉硅单晶双元素掺杂工艺

前言直拉硅单单晶中常用的掺杂元素有磷P、硼B、砷As、锑Sb等。众所周知N型硅单晶是采用P、As、Sb三种元素作为掺杂剂,P型硅单晶是利用元素B作为掺杂剂。随着电子工业的发展,基础材料硅在质量、品种上近几年都发     

硅单晶厂氩气净化、提纯与回收方案的选择

目前,在硅单晶制备中主要采用氩气保护成晶工艺。其中,根据硅单晶品种不同,采用的工艺也有所区别。在我国,一般区熔法制备硅单晶和φ50mm 以下的直拉成晶工艺多采用正压工艺,而φ50mm 以上的硅单     

〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响

一、前言 无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛下生长困难得多。实践表明<111>籽晶的取向对生长无位错单晶有较大的影响。国外曾报道过气氛下生长无位错单晶与<111>籽晶的取向有关。本实验的目的是探讨真空下生长无位错硅单晶是否与<111>籽晶取向     

硅单晶中碳化硅微夹杂物的观察与研究

本文用JCXA-50A型电子探针观察了区熔、直拉硅单晶中的碳化物微夹杂。结果发现:多数原生硅单晶中都不同程度的有碳化物存在,其尺寸最大可达20微米。碳化物的多少与晶体中碳含量和晶体部位有关。电子探针分析碳化物的存在形态分为两种,一种含碳,另一种是碳—氧共存。由超高压电镜电子衍射证明碳化物的结构为α-SiC和β-SiC。经热处理的样品中凡有碳处几乎都有氧,并观察到长约1000微米的碳-氧沉积带。     

纵向磁场拉制硅单晶的工艺研究

用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。作者采用VMCZ法详细地研究了磁场对硅熔体波动、温度起伏的影响,进而研究了磁场对热场分布、磁场对硅单晶中杂质的分布、磁场对硅单晶中氧、碳含量、磁场对硅单晶中微缺陷等的影响。发现:VMCZ的结果与资料报导的HMCZ数据相比有较大差别。通过调整拉晶参数也只能有限度地改善硅单晶的性能。     

Φ125mm硅单晶的控氧技术

Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...     

Φ200 mm CZSi复合式热场的数值模拟研究

对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计, 建立了不同条件下的理论模型, 采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响, 为提高晶体生长速率和质量提供了必要的理论依据.     

日本研究提高硅单晶少子寿命的最新进展

众所周知,硅单晶中的少子寿命是评价硅单晶质量的重要参数之一,因而找出影响少子寿命的主要因素,从而提高少子寿命是一个具有重要意义、又很热门的课题。最近日本电报和电话大众公司发表了一篇科研报告,介绍少子寿命是与硅单晶中的氧沉淀密切有关,并深入地定量讨论了它们之间的关系。在直拉硅单晶中,由于氧浓度较高,所以硅单晶在生长后的冷却过程中或以后的热