微波半导体器件国内外发展动态及应用(二)

本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展作一概略展望.     

微波半导体器件及电路的应用概况

本文比较详细地介绍微波半导体技术的主要特点、器件和电路的特性、应用领域和实例。     

光控微波半导体器件及其应用

光控微波半导体技术对于未来的系统具有极大的吸引力，介绍了某些微波半导体器件的光敏特性机理，讨论了光控微波半导体器件的应用前景。     

X射线双晶衍射在微波半导体器件中的应用

通过Ｘ射线动力学理论计算的晶体摆动曲线与测试实验曲线的比较给出外延薄膜材料的结构，为器件研制了工作提供了有用的数据，证明运用Ｘ射线动力学理论计算计算机拟合能为薄膜材料成分和厚度提供无损检测手段。     

半导体微波二极管国内外动态

本文主要介绍微波二极管的低噪声接收器件、微波发射器件和微波控制器件等研究状况以及它们的应用现状,另外,对这些器件的发展前景也作一概略展望.     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。     

毫米波固态器件的现状与发展动向

本文综述了国内外毫米波固态器件的现状和发展动态。对几种用途广、发展快或新概念的器件作一简单的评述。     

C60半导体光电器件

讨论了两类Ｃ６０薄膜作为畔导体材料制备的光电器件：Ｃ６０电致发光二级管和半导体聚合物／Ｃ６０导质结二极管、分析了器件的工作原理、指出了Ｃ６０作为半导体光电材料潜在的应用领域。     

硅基光波导结构与器件

简要评述包括低损耗的电光波导器件、红外波导探测器、二氧化硅光波回路等硅基光波导的结构、工艺及其器件。     

两段式双稳半导体激光器下跳阈值点的确定

对Ｋｕｚｎｅｔｓｏｖ采用的速率方程加以修正，考虑了俄歇效应的影响，我们流子寿命不再作为常数处理，而写成载流子浓度的函数。由此导出了两段式双稳半导体激光器下跳阈值点载流子浓度所满足的隐函数解析表达式。通过该解析表达式确定出了器件存在双稳的必要条件。进而讨论了俄歇复合系数、吸收区偏置电流和长度等对双稳特性的影响。     

行波半导体光放大器中饱和参量表达式的修正

根据行波半导体放大器中载流子复合的实际过程，对放大器饱和参量的表达式作了适当的修正。     

混合式非致冷红外焦平面列阵发展状况

将热释电探测器与硅多传输器用铟柱互连，即可实现混合式非致冷红外焦平面阵列。文章主要介绍混合式非致冷红外焦平面阵列的典型结构及其发展状况。     

Ge_xSi_（1－x）／Si红外探测器量子效率的理论计算

通过对ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ红外探测器结构及机理的研究，建立了计算量子效率的模型，并计算了内量子效率与波长的关系，与他人的实验结果符合得很好。