第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会简讯

由中国电子学会生产技术学会“三束”专业委员会、半导体与集成技术学会超微细加工及“三束”学组联合召开的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2-5日在北京香山举行。来自全国各地的高等院校、科研单位、工厂共98个单位,258名代表参加了会议. 中国电子学会半导体集成技术学会主任委员王守武同志致开幕词,国务院电子振兴领导小组办公     

从84年“三束”会议看粒子束曝光技术的现状和发展

今年五月底六月初我们出席了在美国纽约附近的Tarrytown召开的1984年国际电子束离子束和光子束讨论会(简称“三束”会议)。会议前后,我们还参观了一年一度的美国西部半导体设备和材料展览会(Semicon/West),访问了斯坦福大学的固态电子学实验室,廉奈尔大学的国家亚微米中心,IBM的华生研究中心,Varian,Micro-mix,SVG公司等。下面就我们在会上及参观访问过程中了解到的关于粒子束(电子束,离子束,X射线及光子束)曝光技术的情况谈谈我们的粗浅看法。     

第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会在北京召开

由中国电子学会生产技术学会三束学组和中国电子学会半导体与集成技术学会超微细加工及三束学组联合举办的第三届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1984年11月2日—5日在北京举行。来自全国98个单位的258名代表出席了本届年会,会上     

第四届全国电子束、离子束、光子束学术年会将于今年四季度召开

经中国电子学会批准,由中国电子学会半导体与集成技术学会超精细加工学组与中国电子学会生产技术学会“三束”学组联合召开的全国第四届电子束、离子束、光子束学术年会将于今年四季度召开。本届年会将总结、交流“三届”年会以来在电子束、离子束和光子束的设备及微细加工工艺技术方面的研究与应用成果与进展。具体内容如下:     

第一届全国电子束离子束光子束学术年会论文集即将发行

由中国电子学会生产技术学会三束技术学组编辑,由中国人民解放军第三炮兵学校印刷厂印刷的第一届全国电子束离子束光子束学术年会论文集已编印就绪,准备在近期在国内内部发行。该论文集收集了经第一届全国三束学术年会各专业组评议推荐的论文共七十二篇,内容包括发展动态、整机、部件、工艺及应用等,是迄今国内在三束技术领域内比较完整的技术资料。适合于从事三束技术研究开发     

简讯

由中国电子学会半导体与集成技术学会和生产技术学会共同的举办第六届全国电子束、离子束、光子束学术年会于1991年3月11日～13日在北京国际会议中心举行。出席这次大会代表共160余人。 大会特邀报告5篇,论文106篇。这样论文集中反映了第五届“三束”年会后二年多来,我国在“三束”设备和“三束”技术及其在科研生产应用方面的进展和现状。论文内容主要在微电     

聚焦离子束组合装置及应用

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和无掩膜刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。对电子离子双束纳米工作站,聚焦离子束、扫描电镜和Ar离子束构成的“三束”显微镜系统的原理和应用作了详细介绍,同时也对聚焦离子束-分子束外延组合装置、聚焦离子束与二次离子质谱仪(SIMS)的组合装置以及单轴聚焦离子/电子束(FIEB)装置作了简单介绍。     

硅集成电路光刻技术的发展与挑战

从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述.     

硅集成电路光刻技术的发展与挑战

从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述.     

国外会议消息

由电气、电子工程师协会,美国真空学会和电化学学会联合举办的1984年电子束、离子束和光子束国际会议将于1984年5月29日至6月1日在美国纽约举行。本届会议将着重讨论电子束、离子束及光子束技术的发展以及它们在微结构和微电路的制造上的应用,同时还讨论与此有关的新材料和新工艺等问题。论文征集范围为:     

第二届全国电子束离子束光子束(三束)及超微细工艺学术年会在江苏常州举行

由中国电子学会生产技术学会三束学组和中国电子学会半导体与集成技术学会三束与超微细加工学组联合举行的我国第二届电束离子束光子束及超微细工艺学术年会于;19够年10月28日至1982年n月1日在江苏省常州市举行。出席这次年会的有来自全国从事三束技术研究开     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

全息光刻微细图形加工技术

<正> 从曝光光源看,光刻技术分光学(UV,DeepUV)、X 射线、电子束、离子束等类别。目前,下一代亚微米领域的图形形成技术的实用化研究工作正在全面展开。当前的主流仍然是光学光刻。为使光学光刻的分辨率提高到0.8μm,有希望达到0.5μn 以下的 X 射线、电子束、离子束等光刻技术亦应在纷繁的光刻     

热场致发射电子源曝光系统的技术现状和应用前景

高亮度、长寿命的热场致发射(Thermal field emitter)阴极自七十年代中期已受到人们的关注和重视,历经十多年在理论分析、工艺制备和实验研究上做了大量工作之后,于1988年在电子束曝光机上的应用中取得了突破性进展。用晶向为(100)的钨和具有低逸出功的锆制成的(Zr/O/W)热场致发射阴极在四千小时的使用寿命下亮度值超过六硼化镧阴极一个数量级以上,最近的实验结果表明:在工件台上小束斑下能得到接近两千安培每平方厘米的束流密度,而且四十小时内束流稳定度接近千分之一。显然,这几个表征曝光系统综合技术性能的重要指标,说明多年困扰于各种电子束曝光系统(特别是高斯圆斑电子束系统)在高分辨率情况下生产率较低的技术难题已经得到了比较圆满的解决。 八十年代末期,当热场致发射电子源曝光系统的技术关键解决后,这项技术就成为技术发达国家,特别是美国和日本,在电子束曝光领域进行技术竞争的热点;九一年五月底在美国召开的国际三束会议上有关场致发射阴极和MEBES—4型机已经采用TFE的最新报道充分证实了这项技术在电子束曝光技术应用中的重要地位和发展潜力。     

学术动态

1979年5月30日至6月1日,在美国真空协会和IEEE电子器件组的支持下,在波斯顿召开了第15届电子束、离子束和光束工程学讨论会,约有400人参加.会议的主要内容是离子束刻蚀以及用各种方法力求达到100埃的微加工极限.关于电子束曝光和X射线曝光两年来也取得了很大进展,发表了很多研究论文.     

中国电子学会生产技术学分会2005年学术活动计划

★　第十三届三束学术年会内容及要求 :离子束、电子束、光子束国内外技术发展动态、趋势 ;生产、科研新技术、新成果。时间 :四季度　　　　　地点 :待定规模 :1 60人会期 :4天支持与协办单位 :中国电子科技集团公司第 4 8研究所主办承办单位联系地址 :生产技术学分会三束技术部 ;长沙市 96信箱科技处　龚洪杰电话 :0 731 - 5 41 2 5 5 7　邮编 :4 1 0 1 1 1★　第六届电子封装国际会议内容及要求 :国内外先进封装技术、封装材料制造技术与测试、内连接技术、微电子机械系统(MEMS)、封装设计、模拟与模型、可靠性、环境技术及其相关技术…     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

FIB/SEM双束系统在微纳米材料电学性能测试中的应用

电学性能测试是微纳米材料物性研究的重要组成部分,测试电极的制备是其中一个难点。光学光刻、电子束曝光或聚焦离子束加工是三种不同的电极制备技术。每种技术都有自己的特点,采用何种技术取决于微纳米材料的尺寸、形态及测试目的等诸多因素。此外,选择适当的制样方法对后续的电学性能测试也很关键。本文以一台配备了电子束曝光功能附件的聚焦离子束( FIB)/扫描电子显微镜( SEM)双束系统为工具,结合光学光刻等其它加工技术,详细介绍了其针对不同类型微纳米材料进行电极制备的过程和方法。     

集成电路制造中的三束技术

集成电路制造工艺技术种类繁多,包括光刻、刻蚀、氧化、扩散、溅射、封装等。作为代表性的先进工艺技术是电子束、离子束和光子束加工技术,俗称三束技术。对三束技术做了介绍。