低介电常数材料的表面处理方法

本发明涉及一种低介电常数材料的表面处理方法，包括下列步骤：沉积-低介电常数材料于-半导体基底上而形成一介电层：以及施行-氢气的电浆处理程序．以降低介电层的介电常数。     

应力对立方相Ca2Ge光电性能的第一性原理研究

通过应力调控方式,采用了GGA和LDA两种近似方法分别计算了立方相Ca2Ge在-2 ～4 GPa应力下的电子结构和光电特性.根据能带结构计算结果得到,在-2～4 GPa应力范围,立方相Ca2Ge均为在G高对称点的直接带隙半导体,在0 GPa下GGA和LDA计算的带隙值分别为0.55 eV和0.426 eV.态密度结果表明了在所有调控应力下,价带主要是由Ge的p态电子贡献,导带主要是由Ca的d态电子贡献.分析复介电函数得到,0 GPa下的静态介电常数ε1(0)取得最大值,在所有应力范围内,介电函数ε1在E=0.7 eV附近获得最大峰值,但2 GPa和4 GPa下的介电函数最大值向低能区移动,介电函数虚部ε2峰值主要是由Ge的4p态电子向Ca的3d态跃迁所产生的.根据折射率、反射谱、吸收谱信息,-2 GPa、2 GPa和4 GPa的调控应力使立方相Ca2 Ge在5.2 ～6.5 eV能量范围内呈现出了较强的金属反射特性,此时,折射率和吸收谱值为0,反射谱取得最大值1,而能量损失函数分析表明,在调控应力下,出现最大能量损失的横坐标值从10.2 eV移动至7.8 eV,表明了可通过施加应力方式调控光电子能量出现的最大损失.     

PTCR陶瓷材料的介电频响特性

研究了一种以钛酸钡为基的PTCR陶瓷在30kHz至300MHz频率范围内的室温介电频谱。该介电响应可近似地用Debye弛豫方程加以描述,但低频时电导率对介电常数虚部起主导作用。根据介电频谱的测量结果,分别得出了晶粒和晶界的电阻率和介电常数。     

水泥混凝土介电模型研究

水泥混凝土的介电常数模型的建立是应用电磁波技术对混凝土结构进行质量检测和内部损伤探测的前提和关键.为分析研究水泥混凝土的介电常数模型,在对比分析线性模型、均方根模型和Rayleigh模型的基础上,针对水泥混凝土的特点,引入了一种新介电常数模型,采用网络分析仪,对采用连续级配两种水泥标号三种不同水灰比制作而成的水泥混凝土试件进行了28 d龄期后的介电常数测量,以验证所推荐模型的精确性和适用性.结果表明:与线性模型、均方根模型和Rayleigh模型相比,所推荐模型计算精度高,适于描述28 d龄期后水泥混凝土的介电特性.     

问:3种常见的陶瓷电容器及其特点有哪些?

正答:陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器总称,品种繁多,外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压、中压、低压3种陶瓷电容器。按温度系数、介电常数不同又可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数5种陶瓷电容器。一般陶瓷电     

电应力控制热收缩材料的研制

采用PE与α-聚烯烃及其它助剂、填料共混,并经辐射交联制成了体积电阻率为1×10~(10)Ω·cm,介电常数为32,并具有热收缩性的电应力控制材料。试验和分析了PE与α-聚烯烃的配比,各助剂用量及加工工艺等对材料力学、电学性能的影响。     

正交相Ca_2Ge电子结构及介电极化特性的第一性原理研究（英文）

采用基于密度泛函理论的第一性原理超软贋势平面波方法计算了Ca_2Ge的电子结构、各方向的介电函数和极化对各方向的介电函数的影响。研究结果表明:Ca_2Ge是带隙值Eg=0.483 e V的直接带隙半导体,价带主要由Ca 3d和Ge 4p电子贡献,价带中存在s-p-d和p-d两种轨道杂化,导带主要由Ca 3d电子贡献,不存在杂化轨道。Ca_2Ge介电函数存在各项异性,当受到极化时,(100)和(001)方向的介电常数减小,虚部的第一介电峰呈现蓝移现象,最大介电峰增强,电子跃迁增加;(010)方向的介电常数增加,虚部第一介电峰呈现红移,最大介电峰增加。说明极化促进电子跃迁,是调控电子跃迁的有效手段,计算结果为的研究提供理论参考。     

聚氨酯弹性体电致伸缩性能研究

以聚(己二酸-丁二醇-新戊二醇)酯二元醇、甲苯二异氰酸酯、1,4-丁二醇和三羟甲基丙烷为原料,经聚合得到了一系列聚氨酯弹性体。利用LCR阻抗分析仪研究了所得聚氨酯弹性体的介电性能。在1kHz频率下聚氨酯弹性体的相对介电常数为7左右,相对介电常数随测试频率的增加而降低。采用数字散斑相关测量方法研究了聚氨酯弹性体在电场诱导下的应变─电致伸缩响应之间的关系。结果表明,聚氨酯弹性体在外加高压电场的作用下,随着高压电源的开合,其应变也随之呈现出相应的收缩与回复,其电致伸缩系数随聚氨酯弹性体密度的增加及相对介电常数的减小而降低。     

一种高介电常数SBS弹性体复合材料及其制备方法

<正>广东石油化工学院开发出一种高介电常数SBS弹性体复合材料及其制备方法。它是以SBS为基体材料,以纳米石墨片为介电增强功能填料,依次经溶液共混、流延成膜、叠层热压成型后制备获得,其中纳米石墨片占复合材料总体积的0.42%~1.52%。该制备工艺简单且成型方便,所制备的柔性高介电常数弹性体复合材料具有较高的介电常数与较好的柔韧性,适用于制备传感器、触发器、人工肌肉等领域。     

低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展

低介电常数的聚酰亚胺薄膜在解决超大规模集成电路所引起的RC延迟、串扰、能耗、噪声等问题中有着关键性的作用。文章综述了近几年来国内外低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法,详细介绍了引入纳米多孔结构、改变聚酰亚胺本体结构以及填充低介电材料这三种研究方法,并对各种方法的优缺点做了简要评价。     

聚芳醚腈/富勒烯复合薄膜制备与性能研究

以聚芳醚腈树脂为基体、富勒烯为纳米功能填料制备了聚芳醚腈介电功能复合薄膜。首先通过共溶剂控制蒸发法制备了聚芳醚腈/富勒烯低介电薄膜。着重分析了共溶剂控制蒸发分散方法对富勒烯分散效果以及薄膜性能的影响。研究发现:利用聚合物大分子链与填料粒子逐渐相互缠结的原理,共溶剂控制蒸发法对于制备可溶解性纳米填料的复合材料可以达到极佳的分散效果,获得的复合薄膜不仅具有低于2.0的介电常数,而且其热性能和力学性能都得以提高。     

低介电常数多孔氮化硅陶瓷材料的制备

采用有机泡沫前躯体浸渍工艺制备了低介电、低密度的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉体为主要原料,制备粘度和流动性合适的水基料浆,并以软质聚氨酯泡沫塑料为载体,在真空状态下浸渍,然后在氧化气氛下排塑,在氮气气氛下烧结,得到了低介电常数的多孔氮化硅陶瓷材料。所制备的材料性能可达到：容积密度为0.12g/cm3、介电常数为1.15、介电...     

煤粉及伴生矿物颗粒的介电性质研究

对煤粉的介电常数进行了研究.煤的分子结构、化学组成直接影响煤的介电常数,低变质程度煤的介电常数较高;随着煤化程度增加,介电常数减少,到中变质程度的烟煤阶段,介电常数最低;但是,随着煤化程度的进一步加深,介电常数又开始增加,在无烟煤阶段介电常数迅速增加.文章从理论上证明了煤及矿物混合颗粒群的介电常数满足立方根相加规律,为静电分选和摩擦电选技术提供理论依据.     

CaCu3Ti4O12 高介电材料的研究现状与发展趋势

CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其高介电常数、高热稳定性和强烈的非线性等优异性能,在科学研究和实际应用中成为当前介电材料领域研究的热点.本文综述了迄今为止介电常数最高的CCTO钙钛矿体系介电陶瓷材料的相关进展,介绍了几种制备方法,评述了CCTO高介电陶瓷的掺杂改性和复合的研究现状,并对其发展趋势作了展望.     

新型滴灌专用料在内镶贴片式滴灌带的应用研究

以北欧化工开发的滴灌专用料HE3409试制了壁厚为0.2mm的内镶贴片式滴灌带,对各配方所试制的滴灌带的流量均匀性、环境温度下耐静水压、耐拉拔、爆破压、耐环境应力开裂等性能进行了测试。结果表明以HE3409滴灌专用料试制的滴灌带的综合性能优良,其中滴灌带的相对流量偏差值为1.74%,爆破压≥0.4MPa,110N/15min的间距变化率分别为0.5%~3%,具有良好的耐环境应力开裂性能和热氧稳定性,基本满足滴灌领域的使用及相关标准要求。     

聚丙烯(PP)基介电复合材料的研究

以聚丙烯(PP)为基体,多壁碳纳米管(MWCNTs)为填料,采用微纳层叠共挤的方法制备了PP/MWCNTs介电复合材料,分别对不同结构的介电复合材料中MWCNTs分散情况及其对复合材料介电性能的影响进行了研究。结果表明,与纯PP相比,MWCNTs的添加能够明显提高PP基复合材料的介电常数;具有层结构的PP/MWCNTs介电复合材料,分散相MWCNTs比在单层PP基复合材料中分散更好,复合材料介电常数提高1.2倍。     

低温烧结玻璃/陶瓷复合材料的微结构及性能

借助钙长石陶瓷和硼酸盐玻璃良好的介电和热膨胀性能,制备了一系列玻璃/陶瓷复合材料,并对这些复合材料进行了X射线衍射分析、扫描电镜观察和性能测试.结果表明:复合材料的介电常数、热膨胀系数和显微硬度随着陶瓷含量的增加而增加,其介电损耗则随陶瓷含量的增加而减小.陶瓷含量(质量分数≥60%)高的复合材料在高于850℃烧结时析出一定量的α-石英和方石英,这增加了材料的热膨胀系数,但对其介电常数影响不大.所制备的复合材料具有高的相对密度(≥96.5%)、低的介电常数(5～6)、低的介电损耗(0.10%～0.42%)、低的热膨胀系数(4.6×10-6～6.5×10-6/℃)和低的烧结温度(≤900℃),有望用作介电材料和基板材料.     

纳米Ba1-xCaxTi1-yZryO3的制备、结构与介电性能

采用微波反应技术，合成了一系列Ba1-xCaxTi1-yZryO3固溶体纳米粉末(x≥0，y≤0．5)，XRD物相分析和d-间距-组成图证明，产品为立方品系的完全互溶取代固溶体，结果符合Vegard定律。TEM形貌观察，粒子为均匀球形，平均粒径40nm。通过制陶实验，分别测定了该系列固溶体的室温介电常数、介电损失以及介电常数随温度的变化，结果发现，采用化学方法在钛酸钡中掺入适量钙和锆，由于掺杂离子均匀进入母体晶格，引起临界温度降低，室温介电常数达15000以上，介电损耗仅为0．009。纳米粉体的烧结温度为1150℃，比传统微米级粉体的烧结温度降低200～250℃。     

掺钇铌酸锌铋陶瓷的介电性能

通过X射线衍射、扫描电镜、精密阻抗分析仪等对A位Y3 取代的Bi(1.5-x)YxZnNb1.5O7介质陶瓷样品的结构和介电性能进行了研究.结果表明:当Y3 取代量较少时(x≤0.2),样品保持立方焦绿石结构;当Y3 取代较多时(x≥0.4),样品出现第二相.随着取代量的增加,样品的致密化温度升高,表观密度减小,晶粒尺寸减小,介电常数减小,介电损耗增加.Y3 取代后(x≤0.8),样品的温度系数得到优化,且具有良好的高频稳定性.低温的介电弛豫现象随着Y3 取代的增加发生有规律的变化,表现为介电常数下降,介电常数峰宽化和平坦.     

用于冷缩电缆附件的硅橡胶应力控制材料及其制备方法

正由山东耐高电力器材有限公司申请的专利(公布号CN 111592762A,公布日期2020-08-28)"用于冷缩电缆附件的硅橡胶应力控制材料及其制备方法",涉及的材料配方为:乙烯基硅橡胶100,炭黑5～30,气相法白炭黑5～10,结构化控制剂3～10,钛酸锶钡5～30,防老剂0.1～3,交联剂0.1～2。该材料具有较大的介电常数和体积电阻、优异的应力控制性能,