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吴晓雯 《激光与光电子学进展》2002,39(10):54-55,16
当技术进步发现有大利润的市场,或者市场需要带动技术进步时,创新就会出现。小透镜具备以上两个功能,从而在过去几年里创造了大规模的微透镜工业。它在光通信上的发展是微型光学进步的主要驱动力。传统的微透镜是直径小于1mm的透镜,即它的直径单位是微米。目前光子学正广义地利用此词让透镜直径达到几个毫米。透镜的阵列形式是微透镜的一个特点,它源于进行相关工作的终端用户的要求,以及微透镜加工技术的特点。半导体工业技术部分导致阵列的形成。微透镜具有衍射或折射功能,对于无热或无色元件则两种功能兼备。实践中,折射透镜的优… 相似文献
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液晶微透镜阵列研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
王建国 《激光与光电子学进展》2013,50(1):10005-63
液晶微透镜阵列是基于微透镜光子技术和液晶技术而发展起来的学科交叉研究领域。就液晶微透镜阵列的工作原理、主要设计方法及其研究进展进行了论述,并对微透镜阵列的发展趋势及尚待解决的问题进行了总结。 相似文献
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微透镜阵列是一种被广泛应用于光信息处理、光传感、光计算、光通信和高灵敏度成像等领域的精密光学元器件之一。通过一些先进的制造技术已经可以制造出不同几何形状、轮廓和光学特性的微透镜阵列。然而,由于三维微制造工艺的难度,使得高填充因子微透镜阵列中的微透镜很难实现紧密排列。提出了一种快速、低成本的微流体操纵技术,用于制备高填充因子微透镜阵列,且对其制备工艺进行了初步的演示。这种易于操作的制造技术适用于微透镜阵列的大批量生产,极大地提高了生产效率。通过预先制备出的三种不同尺寸(微柱直径分别为300、500、700 μm)的微柱,实现了与其对应不同形状和尺寸的微透镜阵列的制备,并搭建了一套光学成像系统以对这些微透镜阵列进行成像性能的评估。主要对微透镜阵列的焦距、成像精度和每个微透镜阵列中各个微透镜子单元成像的均一性进行测试,利用所提出的微流体操控技术制备的微透镜阵列具有良好的成像性能,有望能够被应用到三维成像、光均匀化等诸多应用中。 相似文献
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通过考虑互相关联的光学和工艺参数,设计了3~5μm红外128×128硅衍射微透镜阵列.阵列中微透镜的孔径为50μm,透镜F数为f/2.5,微透镜阵列的中心距为50μm.采用多次光刻和离子束刻蚀技术在硅衬底表面制备衍射微透镜阵列.对实际的工艺过程和制备方法进行了讨论,对制备出的128×128硅衍射微透镜阵列的光学性能和表面浮雕结构进行了测量. 相似文献
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通过对微透镜阵列结构进行深入研究,揭示了微透镜阵列对微图形的放大原理。并在此基础上,找到了微透镜阵列结构参数、微图形结构参数与微图形阵列移动速度、移动方向以及放大倍率之间的关系,利用微透镜阵列实现了对微图形放大、动态、立体的显示。 相似文献
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本文讨论了半导体激光器与带有微透镜的光纤之间的耦合的理论计算.适当增减反射膜,本文讨论的理想非对称微透镜可以收集激光器辐射功率的大部分.如果激光器的波束是圆对称的,则相应设计的理想对称微透镜理论上可以收集100%的激光辐射能量.理想非对称微透镜的关键特征是,在任一个沿轴向的纵截面上,它都有一个双曲线形状.微透镜直接与光纤相联. 相似文献
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文章对柱面微透镜阵列纳米压印中用到的精密模具的制作过程开展了仿真分析和实验研究.超精密切削技术是制作精密压印模具的有效手段之一.基于Johnson-Cook本构模型,采用有限元分析方法模拟了超精密切削过程中切削参数与切削力之间的关系,获得了优选的切削参数.实验结果表明,采用优选后的切削参数进行柱面微透镜阵列模具切削能够获得良好的切削效果.切削后模具的面形精度RMS值达到19 nm,表面粗糙度Sq达到4 nm. 相似文献
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X. B. Zhang R. D. Heller M. S. Noh R. D. Dupuis G. Walter N. HolonyakJr. 《Journal of Electronic Materials》2003,32(11):1335-1338
We report on the growth of InP self-assembled quantum dots (QDs) on In0.5Al0.5P matrices by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) on (001) GaAs substrates. The effects of the growth temperature
and V/III-precursor flow ratio on the areal density and the cathodoluminescence (CL) properties of the grown QDs were systematically
studied. We found that, when the growth temperature is ≤630°C, coherent QDs as well as large dislocated InP islands can be
observed on the matrix surface. However, by using a two-step growth method, i.e., by growing the InAlP matrix layer at higher
temperatures and growing InP QDs at lower temperatures, the formation of large dislocated islands can be effectively suppressed.
Moreover, the areal density of the InP QDs is increased as the QD growth temperature is reduced. Furthermore, we found that
the V/III ratio used in growing QDs and in growing the InAlP matrix layers has a quite different effect. In growing QDs, decreasing
the V/III ratio results in an increase in the CL intensity and a decrease in CL line width; while in growing the InAlP matrix
layers, increasing the V/III ratio results in an increase in the CL intensity of the InP QDs. 相似文献
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H. R. Vydyanath F. Aqariden P. S. Wijewarnasuriya S. Sivananthan G. Chambers L. Becker 《Journal of Electronic Materials》1998,27(6):504-506
Compositional changes induced in growing Hg1−xCdxTe layers as a function of the changes in temperature of the indium source in the MBE chamber have been analyzed in terms
of the Hg-In alloy thermodynamics and changes in the activity of indium over the growing films as the Hg flux changes. Compositional
changes induced by changes in the Te source temperature have been analyzed in terms of the changes in the activity of Cd over
the growing layers. These analysis are helpful in understanding the compositional changes with variation of the growth parameters
in the MBE chamber. 相似文献
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R. Singh R. P. S. Thakur A. J. Nelson S. C. Gebhard A. B. Swartzlander 《Journal of Electronic Materials》1990,19(10):1061-1064
As a low thermal budget processing technique, we have used in-situ rapid isothermal processing for growing epitaxial CaF2 films on Si (111) substrates by solid phase epitaxy. Ex-situ rapid isothermal annealed films are polycrystalline in nature.
Absorption of gases during ex-situ annealing inhibits solid phase epitaxial growth and highlights the importance of in-situ
processing. 相似文献
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Y. D. Kim F. Nakamura E. Yoon D. V. Forbes X. Li J. J. Coleman 《Journal of Electronic Materials》1997,26(10):1164-1168
By monitoring the cyclic behavior of surface photoabsorption (SPA) reflectance changes during the growth of GaAs at 650°C
and with sufficient H2 purging time between the supply of trimethylgallium and AsH3, we have been able to achieve controlled growth of GaAs down to a monolayer. Our results show, as confirmed by photoluminescence
(PL) measurements, the possibility of growing highly accurate quantum well heterostructures by metalorganic chemical vapor
deposition at conventional growth temperatures. We also present our PL measurements on the InGaAs single quantum wells grown
at this temperature by monitoring the SPA signal. 相似文献