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为研制全固态单频调Q激光器,研究设计了用于种子注入的Nd∶YAG调Q激光振荡器,通过理论分析并结合谐振腔指标要求确定了激光谐振腔的腔长和最佳输出镜透过率。实验中,振荡器自由运转时,最高输出功率8.21 W,光光效率和斜效率分别为38%和47.7%。工作在调Q状态时,输出脉冲功率为4.28 W,脉冲宽度为6.6 ns,其斜率效率为28.9%。计算得到脉冲能量为8.6 mJ,对应的峰值功率为1.3 MW。测得输出光束质量指标为Mx2=1.22(水平方向),My2=1.29(垂直方向),接近衍射极限。实验得到的结果满足预期指标要求。 相似文献
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大功率医用全固态561nm黄光激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
采用半导体抽运腔内倍频的方法,获得了可满足医疗应用的瓦级全固态561nm黄光激光输出。在比较和分析了Nd…YAG激光晶体各主要谱线的激光参数之后,通过谐振腔膜系的设计抑制了增益较大的1064,1319和946nm谱线的运转。通过对倍频晶体的合理选择以及晶体放置角度与匹配温度的合理控制,在13.5W的808nm抽运功率下,实验获得了1.41W的561nm单一谱线的黄光激光输出,光-光转换效率为10.5%。 相似文献
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设计了一种性能稳定、结构紧凑的光泵浦腔内倍频488 nm半导体薄片激光器。为获得光束质量好、输出性能稳定的488 nm激光器,利用808 nm LD从顶面垂直泵浦半导体增益介质芯片获得976 nm基频光,通过在腔内置入I类相位匹配的LBO晶体进行倍频获得488 nm激光输出。半导体增益介质芯片具有13量子阱和808 nm/976 nm双反射带反射镜,其双面键合金刚石散热片。在泵浦功率为9.2 W时,获得111 mW 488 nm激光输出,光谱线宽为1.3 nm,光-光效率为1.2%,光束质量Mx2、My2分别为1.03和1.02,连续工作3 h激光输出功率不稳定度为0.6%。 相似文献
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《Photonics Technology Letters, IEEE》2008,20(19):1627-1629
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本文用激光振荡的阈值理论分析了具有自偏振效应的激光晶体在腔内无附加起偏器时的电光调Q特性,获得了最大泵能和输出能量的理论公式。 相似文献
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LBO倍频1.8 W连续671 nm红光激光器 总被引:6,自引:3,他引:6
Nd:YVO4晶体中掺杂的Nd^3 除了1.064μm的受激辐射跃迁外,还可产生1.342μm波段的弱辐射,经腔内倍频,最终可输出671nm的红色激光。报道了一种光纤耦合半导体激光二极管(LD)阵列端面抽运Nd:YVO4晶体,腔内采用Ⅰ类临界相位匹配LBO(LiB3O5)晶体倍频,实现波长为671nm的全固态红光激光器瓦级输出的理论分析和实验结果。采用短三镜折叠腔结构,通过对激光晶体热透镜焦距的估算,用计算机优化设计选取了合适的谐振腔参数,在芯径为400μm的光纤耦合808nm半导体激光二极管阵列抽运下,当注入功率为8W时,获得了波长为671nm的红光基模稳定输出.最高输出功率达1.8W,光-光转换效率达22.5%。 相似文献
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《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2009,45(7):807-815
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利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A. 相似文献
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高功率1319nm CW Nd:YAG激光器的研究 总被引:4,自引:2,他引:2
设计了连续输出1319nm的Nd:YAG激光器,比较了有无1064nm滤光片的输出结果,测定了不同腔长的1319nm输出情况,最终获得1319nm输出43W。 相似文献
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飞秒与纳秒激光刻蚀单晶硅对比研究 总被引:7,自引:0,他引:7
采用输出功率8W的355nm Nd∶YVO4纳秒激光器和3W的1030nm飞秒激光器对0.4mm的单晶硅的刻蚀进行了对比研究,研究了激光的单脉冲能量密度,脉冲宽度,脉冲耦合率等参数对加工质量和精度的影响。实验结果表明,飞秒激光加工的热效应要小于紫外纳秒激光,同时飞秒脉冲产生了纳米条纹,但随着加工次数的增加,纳米条纹也直接导致了不规则裂纹的产生。这说明飞秒激光的加工优越性也是有条件的,当需要对材料进行大量去除之类的加工时,成本相对较低的紫外纳秒激光可能更为适合。 相似文献