半导体技术

TN3 02030353浅谈面向21理己的电力电子技术/李宏(西安石油学院)11电力电子技术.一2001,35(4)一57一60探讨了21世纪中电力电子技术的研究课题,该课题有的是现有电力电子技术的深化,有的则是新开辟的研究领域.参10(金)TN3 02030354少数载流子寿命测试系统研究/赵毅弧,翟文生,王健,刘铁臣(航天工业总公司三院8 358所)11红外与激光工程一2001,30(3)一咒6一229少数载流子寿命是衡量半导体材料性能的关键参数之一,文中介绍了光电导衰退法少数载流子寿命测试系统.阐述了光电导衰退法测试原理,分析了测试系统构成,以及光脉冲下降沿时间、微弱信号…     

两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命

通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。通过对比发现这两种方法测得的中波和短波材料的结果相差不大。但是对于长波材料,载流子寿命测试结果相差比较大,主要是因为长波材料寿命比较小,在相同的光激发条件下和偏流下,光电导灵敏度小,从而导致测出的信号小,在拟合的过程中偏差较大,导致载流子寿命相差较大。另外,用两种方法在同一短波材料的不同区域进行测试,传统光电导衰退法在材料电极附近测试结果明显偏小,电极区载流子寿命不到其他部分的50%。说明传统光电导衰退法测试载流子寿命受电极的影响比较大。     

GaAs快速退火:激活率的均匀性及其与温度的关系

在2in和3in的SI-GaAs衬底上进行Si、Be、Mg等离子注入,用商用炉进行快速热退火,并用扫描微波光电导、C-V曲线及Hall测试等方法研究了注入层激活率的均匀性。结果表明:快速退火的衬底,其低剂量(3～4×10~(12)cm~(-2))的载流子寿命和迁移率以及高剂量(1×10~(-5)cm~(-2))的载流子浓度可以与热退火的相比或优于热退火的结果。用两种退火方法所得到的这些参数的均匀性没有明显的差别。还研究了两种退火方式对注入层中的损伤消除及载流子激活与温度的关系。对于施主注入,微波光电导技术给出的结果分别与背散射和电学测试所得的结果密切相关。     

MCT晶体非平衡载流子寿命测量方法

非平衡载流子寿命是HgCdTe(MCT)晶体的主要性能参数之一。本文着重介绍了三种基本测量方法:直流光电导衰退法,光电导与光磁电比值法,红外吸收的光调制法。叙述了测量原理和基本测试设备,比较了三种测量方法的优缺点。     

p+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

采用微波反射光电导衰减法测量了P+ -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.     

p＋-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析

采用微波反射光电导衰减法测量了P -InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在P n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.     

高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命

高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。     

基于激光-微波双辐射源少子寿命的测定装置

单晶硅材料中光生少数载流子寿命是太阳电池设计及生产过程中需要考虑的一个重要参数。基于微波光电导法的测量原理,从单晶硅材料中的电导率和少数载流子浓度的关系着手,提出了一种基于激光-微波双辐射源的硅材料非平衡少数载流子寿命测量系统,实现了对其寿命的初步测量。实验表明,该设计方案具有可行性。     

HgCdTe光导器件中体寿命和表面复合速度的测量

通过对少数载流子—维连续性方程的求解,实现对少数载流于光电导衰退过程的模拟,并通过对光电导衰退曲线的级数拟合,同时获得了HgCdTe光导器件中体寿命和表面复合速度。对于光电导衰退曲线偏离指数性的样品,简单的指数拟合偏差较大,而且仅可得到有效寿命,而级数拟合则能够有效而又精确地获得样品的体寿命和表面复合速度,并且符合得很好。实验结果表明了与理论的一致性。     

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.