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一、引言氧化物阴极,钡钨浸渍阴极或压制阴极,以及它们的改进型铱膜钡钨浸渍阴极在各种电真空器件中得到了广泛的应用。在真空器件的性能改进和增长寿命问题上、管内残余气氛对阴极性能和寿命的影响,仍然是一个重要因素。不论是化学活泼气体如O_2、H_2O、CO_2等或是例 相似文献
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介绍了浸渍式钨酸盐钡钨阴极制造的工艺流程,并对钨海绵的压制、磨削夹具的设计、钨酸盐的制备、钨酸盐的浸渍等几个关键工艺进行了详细的探讨,指出只有严格按照相关工艺操作,才能制备出性能良好的阴极。 相似文献
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真空烧结工艺对原材料的浸润性要求很高,当原材料浸润性较差时会出现烧结空洞率高等问题。甲酸真空烧结工艺可降低对原材料的浸润性要求,提高真空烧结的成品率。但甲酸在反应过程中可能会生产氢离子从而导致对氢敏感的芯片失效。通过对常用几种材料的管壳经过不同工艺方法烧结后内部氢气含量的对比,研究甲酸真空烧结工艺对封装腔体内部氢气含量的影响。结果表明,甲酸真空烧结工艺不会引起封装腔体内部氢气含量升高,该工艺可应用于对氢敏感的微波封装器件,不会对器件的长期可靠性产生影响。 相似文献
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根据毫米波器件对阴极提出的需高发射电流密度和低工作温度的要求,从国内外有关资料获悉:多年来在研制铝酸盐钡钨阴极的基础上,不论在海绵基体或发射物质方面均进行了大量工作,出现了能提供大电流密度的敷膜式M型阴极和钨酸钡锶阴极,但制备工艺复杂.苏联自一九六七年开始,研究制成了压制型钪酸盐阴极,由于<3BaO·2Sc_2O_3>熔点高,很难制成工艺简单的浸渍型阴极.七十年代,美国、荷兰相继制成了复合钪酸盐阴极,降低了盐的熔点,从而制成了浸渍型钪酸盐阴极.由于后者工艺简单、制造方便,加 相似文献
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作为微波真空电子器件的常用材料之一,无氧铜材料的蒸发特性会对微波真空电子器件的电性能产生影响。该文利用超高真空测试设备,研究了处理工艺对无氧铜材料的蒸发性能的影响,采用X射线测厚仪测试了蒸发的铜膜厚度,用扫描电镜(SEM)观测了无氧铜材料的表面形貌。结果表明表面宏观形貌粗糙度对无氧铜材料的蒸发性能影响不大,但处理工艺对蒸发性能影响很大;无氧铜材料经过酸洗后,会大大增加蒸发量;无氧铜材料经过烧氢处理,可降低蒸发量,而经过去油清洗并烧氢处理的无氧铜的蒸发量极低。对无氧铜材料进行了表面分析,发现无氧铜材料的真空蒸发性能与材料的表面形貌状态有关,当表面微观形貌比较光滑、无孔洞等缺陷时,无氧铜材料的真空蒸发量就少。 相似文献
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综述了国内外几种主要的微波真空功率器件技术的发展现状,特别对微波管CAD技术、短(亚)毫米波器件、阴极技术等进行了分析,并对整个微波管行业面临的挑战和机遇进行了讨论。 相似文献
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场致发射阴极作为重要的电子源之一,在真空电子器件的发展进程中扮演了重要的角色。在与固态器件的竞争中,真空电子器件朝大功率高频方向持续发展,场致发射阴极的应用使其在器件尺寸、可靠性、功耗和工作频率等方面具备了较大的改进空间。本文综述了近年来大电流场致发射阴极技术进展,特别介绍了碳纳米管场致发射阴极的发展。试验表明在直流测试条件下,该类型场致发射阴极发射电流密度已可达到A/cm2量级,且可以实现长寿命高稳定发射,未来在场致发射阴极微波放大器、自由电子激光器和新型中子源等方面将有广泛的应用前景。 相似文献
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We have observed electron emission into vacuum from the exposed areas of a patterned p++-GaAs substrate which was coated with cesium and oxygen. The emission barrier is a double layer of titanium-tungsten/silicon nitride. The exposed areas of the cathode were activated to the negative electron affinity (NEA) condition. It has been an open question whether it would be possible to activate the exposed areas of a patterned GaAs cathode. This result opens the possibility of utilizing NEA cathode technology for projection electron beam lithography tools, NEA-based vacuum microelectronics devices, and a combination of bulk devices with NEA emitters. A picture of an emission pattern projected onto a phosphor screen is presented. Auger depth profile was used to determine the stability of the TiW/GaAs interface through the activation procedure. Short and long term current stability were measured. A technique for cathode recovery and reactivation has been developed 相似文献
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大功率微波真空电子学技术进展 总被引:8,自引:0,他引:8
本文综述了近十年来微波真空电子技术进展,由于其在现代军事装备中的重要作用和近十年来技术上取得的进步,使微波真空电子器件在未来30年中仍然是国防装备的核心器件.大功率行波管、微波功率模块(MPM)、多注速调管、回旋管和微型真空电子器件等是正在发展中的重要器件;真空电子器件和半导体器件之间的相互结合与渗透,必将建立兼有两者优点的、性能更加优良的新一代大功率微波电子器件. 相似文献
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微波组件中的基板烧结有多种方式,但普遍存在烧结空洞率难以控制的问题,从而使产品质量和性能无法达到预定要求。采用真空烧结方法以解决基板烧结中空洞率高的问题,通过对基板烧结中造成空洞的原因进行试验分析,针对不同因素采取不同的措施。同时对基板烧结工艺进行了较为系统的研究,详细阐述了基板真空烧结的工艺过程,总结了工艺流程,并对工艺细节作出了详细说明。 相似文献
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真空电子学和微波真空电子器件的发展和技术现状 总被引:1,自引:0,他引:1
真空电子学是研究真空中与电子相关的物理现象的学科,主要研究电子的产生和运动、电子与电磁波和物质的相互作用,是各类真空电子器件和粒子加速器等真空电子装置的基础。微波真空电子器件是最重要的真空电子器件,已广泛应用于国防、国民经济和科学研究领域,是军用和民用微波电子系统的核心器件,本文将介绍真空电子学和微波真空电子器件的发展历史,技术现状和应用情况,并对其发展趋势作简要的评述。 相似文献