家用,工业消毒臭氧源——高频陶瓷沿面放电技术

臭氧是一种在常温下呈蓝色,有特殊鱼腥味的气体,分子式为O_3,臭氧在常温下可自行分解为单个氧原子,而单原子氧具有极强的氧化性,科技人员研究试验证实,O_3为已知的最强的氧化剂之一,其消毒灭菌能力比漂白粉,二氧化氯,氯气,次氯酸,双氧水等常用的消毒剂都要强很多,而且具有其它消毒剂无可比拟的优点,即在消毒过程中,不生成副产品,没有二次污染。     

陶瓷片状臭氧发生器件的应用

<正> 臭氧是氧的同素异形体,它的产生来源于空气中的氧。臭氧在常温下可自行分解为氧原子,而单个氧原子则具有极强的氧化性。 臭氧的强氧化性,具有奇特的消毒、灭菌等作用,可以清除和杀灭空气中、水中、食物中的有毒物质和细菌,可除异味。臭氧广泛应用于环保、消毒和灭菌等领域。常见的大肠杆菌、     

漫谈臭氧和臭氧发生器件

<正> 臭氧是一种在常温下呈蓝色、有特殊鱼腥味的气体,分子式为O_3。高空大气层中存在有大量的臭氧,大气层中的臭氧可以阻挡住紫外线,保护地球上的各种生物免受阳光中过量紫外线的照射。 臭氧既可自然产生,又可人工产生。紫外线照射、雷鸣闪电和高压放电可使空气中的氧分子(O_2)发生电离,产生单原子氧(O)。单原子氧(O)与其它氧原子(O_2)结合后就形成臭氧(O_3)。 在我们日常生活和工作中,电视机高压包打火、起动机     

冰箱用臭氧杀菌除臭保鲜器

在距离地面１５～２５公里的高空，因受太阳紫外线照射的结果，形成了包围在地球外围空间的臭氧层，它是人类生命的保护伞，为此臭氧为人们熟知。人类发现臭氧已有一百多年的历史了。臭氧Ｏ３是氧气Ｏ２的同素异性体，其氧化力很强，它主要用于以下几个方面：１．杀菌消毒：臭氧是广谱、高效、快速杀菌剂；它对于使人和动物致病的细菌病毒和微生物有很强的杀灭作用。其杀菌效果与氧乙酸相当，强于甲醛，杀菌力比氯高一倍，灭菌速度比氯快６００－３０００倍，甚至在几秒钟内杀死细菌。当臭氧溶于水中，其杀菌力更强、更快。一般消毒剂的消毒…     

氧对a-Si:H光诱导效应的影响

研究了氧掺杂对a-Si:H光诱导Staebler-Wronski效应的影响(随着掺氧量的增加,光诱导效应减弱)。在掺氧的a-si:H中,红外吸收光谱显示出氧原子主要作为氢原子附近的弱Si-Si键的桥键原子。吸收系数和光子能量的关系表明有Urbach吸收边存在,且微量氧将使a-Si:H网络的无序度降低。同时,光照大大促进桥键氧原子的耦合,弱Si-Si键被打断。因此,掺氧的a-Si:H膜的Staebler-Wronski效应减弱是由于微量氧原子稳定了弱Si-Si键的缘故。     

氮氧化硅膜的淀积与组成

用SiH_2Cl_2、N_20和NH_3混合气体、借低压化学汽相淀积(LPCVD)工艺在820℃下生长了氮氧化硅膜。整个膜的组成可通过调节N_2O/NH_3气体流量比来加以改变。淀积膜的卢瑟福背散射(RBS)及俄歇分析指出,整个膜的组成是均匀的,与衬底性质无关。这些氮氧化物膜的厚度和组成很容易用椭圆对称法进行测量;而其氧/氮比可从折射率值中准确地导出。据推断,在原子尺度范围内,LPCVD氮氧化物是均匀的,也就是,硅原子受到氧原子和氮原子的随机包围。因此,这种氮氧化物不是想象中的氧化硅和氮化硅的两相物理混合物。就温度-偏压应力状态下平带电压的漂移而言,发现氮氧化物膜在金属-氮氧化物-氧化物-硅结构中的稳定性随着氧含量的增加而改善。     

半绝缘多晶硅钝化工艺

用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅膜的钝化性质与氧浓度的关系。 在有场限制环的类似平面结构中,采用SIPOS工艺制造了800伏和2500伏级的npn晶体管和pnp晶体管。即使把芯片暴露在100℃水蒸气和200℃的钠杂质中,800伏pnp晶体管的漏电流不会增加。因此,SIPOS晶体管能用与金属管壳一样好的低价环氧树脂封装。而且,已用复环结构制作了10KV SIPOS晶体管,并发现它们的工作是稳定的。     

一种新型净水消毒剂

传统的净水消毒剂是漂白粉或臭氧，但漂白粉产生的氯不仅有刺鼻气味，还会产生致癌物质。而臭氧的价格较高，许多单位承受不起它的成本。目前莫斯科生态工艺研究所研制并生产了两种新型净水消毒剂-Biopag和Phosphopag。这两种制剂的消毒净水效果要比臭氧和漂白粉的消毒净水效果好很多。它们能迅速杀死水中的病毒、酵母菌、真菌及藻类等生物体，对人体健康安全无害：不会刺激皮肤和粘膜，不会引起过敏反应，不会让水中积累致癌物质。     

直接观察高温超导体的氧原子

<正>据日本《电视学会志》1992年第3期报道,日本科学技术厅无机材料研究所首先在世界上采用超高分辨率、超高压电子显微镜成功地直接观察高温氧化物超导体中的氧原子。试料在900℃高压氧气氛中烧结,采用过量的氧(1个钇原子:7个氧原子)的钇-钡-铜-氧的高温超导     

捷发豪华冷热饮水机故障检修

故障现象:制冷和加热都正常,但是不能进行消毒,旋转消毒定时器后,机内没有“咝咝”放电声。分析检修:判断故障在该机的臭氧友生电路。电路原理如附图所示。工作过程是:接通220V电源后,旋转饮水机侧面的消毒定时器,设置好所需的消毒时间,关好消毒室门,消毒开始,直到定时结束。拆开饮水机的后盖,先检查保险丝FU1已烧断,接着取出臭氧发生电路板,用万用表检查各元件,发现整流二极管D2和D4、可控硅D5都呈短路状态,用同型     

臭氧风机

<正> 臭氧是一种强氧化消毒气体,它可以广泛应用于消毒、除臭、保鲜、防霉、清新空气及医疗等方面。本文介绍一种实用的臭氧风机。     

窄间隙介质阻挡放电清除硅片表面颗粒污染物

硅片清洗技术已成为制备高技术电子产品的关键技术。采用窄间隙介质阻挡放电方法研制了低温氧等离子体源,把氧离解、电离、离解电离成O、O-、O+和O2(a1Δg)等低温氧等离子体,其中O-和O2(a1Δg)活性粒子进一步反应形成高质量浓度臭氧气体,再溶于酸性超净水中,用于去除硅片表面颗粒污染物。实验结果表明:当等离子体源输入功率为300 W时,臭氧气体质量浓度最高为316 mg/L;高质量浓度臭氧气体溶于pH值为3.8的超净水中形成臭氧超净水,质量浓度为62.4 mg/L;在硅片清洗槽内,高质量浓度臭氧超净水仅用30 s就可去除硅片表面的Cu、Fe、Ca、Ni和Ti等金属颗粒物,去除率分别为98.4%、95.2%、88.4%、85.2%和64.1%。本方法与目前普遍使用的RCA清洗法相比,具有无需大剂量化学试剂和多种液体化学品、清洗工艺简单、投资及运行成本低等优势。因此,窄间隙介质阻挡放电清洗硅片表面颗粒污染物技术具有广阔的市场应用前景。     

红外吸收法测定硅中氧含量

一、前言氧原子是存在于半导体材料硅中的主要非金属杂质之一,是引起硅器件成品率低和质量不稳定的一大因素,这是因为:1.硅单晶中存在的氧含量可高达10~(16)原子/cm~3——10~(18)原子/cm~3在单晶热处理时会产生施主,因而引起电阻率发生剧烈变化,甚至改型。2.进入硅中的氧围绕在重金属杂质的周围,屏蔽了金属原子对少子寿命的作用,经过热     

含有碘甲烷的混合气体脉冲放电特性研究

含碘甲烷的混合气体脉冲放电是研究放电引发的脉冲氧碘化学激光器的基础和前提保证。研究了碘甲烷的混合气体脉冲放电特性,实验发现,击穿电压和峰值电压与气体压强、电极间距和初始电压的乘积成线性关系,注入能量与气体压强、放电气体的体积及初始电能的乘积成线性关系。     

Si(331)-6×2表面相及其氧吸附特性

利用LEED、UPS和AES研究了Si(331)表面的原子再构和氧吸附特性.发现经Xe离子溅射和～800℃退火后出现Si(331)-6 ×2表面相.在～80℃下,氧在这种表面上的吸附量与曝氧量关系曲线出现两个代表不同吸附过程的斜率.提出可能的吸附模型:当1ML 氧吸附时,在每个Si(331)面元胞中,一个氧原子被吸附在第一和第二层Si原子之间的桥位上,另一个氧原子被吸附在顶位上.     

耐热硅橡胶绝缘材料热寿命浅析

0引言硅橡胶的主链由硅、氧原子交替构成,通常硅原子上连有2个有机基团。普通硅橡胶主要由含甲基和少量乙烯基的硅氧链节组成;耐高、低温硅橡胶主要由含苯基的硅氧链节组成;耐温及耐油硅橡胶主要由含三氟丙基及氰基的硅氧链节组成。     

能清楚地了解卫星材料的老化情况的耐氧原子性能评价装置

日本三菱电机公司开发了一种可以模拟人造卫星材料的老化情况的设备——“耐氧原子性评价装置”.这是一种可以把中性的氧原子照射在材料上再测量其老化状况,并进行分析评价的设备.利用此设备,就可以清楚地了解材料的老化过程,从而开发出比氧原子强的材料,并且还可以达到确立材料与元器件的可靠性评价技术的目的.该装置由电子束发生器、老化反应室以及检测器等部分构成.其测试评价的方法如下:首先,在发生器中制造氧原子电子束;其次,用高质量的磁性材料挑选出仅仅在离子源中所产生的氧离子,在氧气中通过,并进行电荷交换,使其中性化;再次,用这个中性氧原子电子束照射放置在反应室中的材料.另一方面,检测器在激光中先使中性的氧原子激发起来;然后从氧原子所发生的荧光的强度中检测其绝对密度(每1cm~3甚至可以计测10亿个);再进一步分析老化生成的气体,还可以确定其种类,从而也就可以定量地评价氧原子电子束的照射量与材料老化的关系.     

化学法生成碘原子应用于氧碘化学激光器的理论模拟

分析了化学法生成碘原子应用于COIL的优缺点,根据化学法生成碘原子的反应体系和氧碘化学激光器的反应机理建立了一维气体流动预混理论模型,从理论上研究了ClO2与NO反应生成Cl原子的产率随反应器压力的变化,加入HI的位置对生成I原子的影响,化学法生成碘原子代替碘分子注入到COIL中的小信号增益沿气流方向的变化,并与加入碘分子时进行了对比.     

H_2O在Si(100)-(2×1)表面上的吸附和氧化

利用AES以及HeI(21.2eV)和同步辐射(138.5eV)光电子谱研究了H_2O在Si(100)-(2 ×1)表面上的室温吸附、高温退火效应以及开始氧化的过程.AES的测量结果表明,H_2O在这种表面上的粘附系数很大,在350K下,当曝汽量约为2L时就达到饱和,其覆盖率θ=1/2.价带区域的光电子谱出现三个由于H_2O吸附而引起的特征峰,低于价带顶分别为6.2、7.2和11.5eV.350K下的 H_2O吸附导致Si 2p能级的结合能增加0.8±0.1eV,相当于一个Si原子同一个氧原子键合的情况.在 640K下退火后,出现Si 2p的第二个化学位移峰,其位置比体内Si 2p 峰约低 1.8eV,表明这时的 H_2O已经完全离解,一部分Si原子同两个氧原子键合(可能是桥键方式). 在 870K下退火,得到Si 2p的四个化学位移峰,说明氧已经贯穿进Si的体内,形成SiO_x(x=1、2、3和4).当退火温度进一步提高到T(?)970K时,恢复Si的清洁表面,表明氧被完全脱附.     

高功率CO化学激光器

普通的CO化学激光器的功率输出总要受到某种限制，因为没有一种可以产生高流速原子态氧的实用方法。我们研制成一台髙功率超音速CO化学激光器，它不依赖于电离解剂O2而用干燥的空气作为稀释氧化剂。激光器由热化学燃烧室产生的CS和S供给燃料。