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温廷敦 《中北大学学报(自然科学版)》2001,22(4):294-296
目的 研究激子峰所包含的相关信息 ,为量子阱的质量检测提供依据 .方法 总结有关激子峰的研究成果 ,将其归纳成可操作的测试理论 .结果与结论 激子峰的相对强度反映量子阱生长质量 ,激子峰的位置反映内部电场分布并进一步反映应变分布 . 相似文献
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考虑电子与纵光学声子ＬＯ和面光学声子ＳＯ之间的相互作用，讨论在磁场作用下超晶格量子阱中的杂质原子的哈密顿量，并利用Ｌｅｅ．ｅｔａｌ变分法计算其有效哈密顿量。 相似文献
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讨论了量子阱限制效应、激子的束缚能以及激子峰的形成,分析了量子阱的光电特性及量子阱表面光电压的形成和特点。结果表明:量子阱有根本不同于体材料的光电特性。 相似文献
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讨论了量子阱限制效应、激子的束缚能以及激子峰的形成，分析了量子阱的光电特性及量子阱表面光电压的形成和特点。结果表明：量子阱有根本不同于体材料的光电特性。 相似文献
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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。 相似文献
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考虑电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的相互作用,讨论在磁场作用下超晶格量子阱中的杂质原子的哈密顿量,并利用 Lcc.et al变分法计算其有效哈密顿量. 相似文献
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采用差分的方法在准一维有效势模型下对抛物型量子阱线中激子性质受到磁场的影响进行了计算,分析了磁场对量子阱线中激子的束缚能以及电子和空穴之间的平均距离作用.结果表明:外加磁场会增加量子阱线中激子的束缚能,并且磁场对束缚能的作用会受到量子约束势的影响,在量子约束势较弱时磁场的影响较大,量子约束势较强时磁场的影响较小;外加磁场会减小电子和空穴间的平均距离. 相似文献
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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ． 相似文献
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有机聚合物Oligomers（低聚体）可惜人聚形成所谓的共聚物，具有准一维量子阱或超晶格结构特征。本文针对聚乙炔（polyacetylene）（PA）和聚对苯撑（poly(p-phenylene）（PPP）组成的三嵌段（triblcok）共聚物xPA／nPPP/γPA的量子阱性质进行了研究，发现均物组分及其界面耦合对共聚物的电子成具有调制作用。 相似文献
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有机聚合物Oligomers(低聚体)可以共聚形成所谓的共聚物,具有准一维量子阱或超晶格结构特征.本文针对聚乙炔(polyacetylene)(PA)和聚对苯撑(poly(p-phenylene))(PPP)组成的三嵌段(triblock)共聚物xPA/nPPP/yPA的量子阱性质进行了研究,发现均聚物组份及其界面耦合对共聚物的电子态具有调制作用. 相似文献
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本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素,包括:(1)俄歇复合几率的大小;(2)有源区的载流子泄漏;(3)价带间光吸收;(4)激光器有源区材料的禁带宽度Eg.并分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系. 相似文献
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本文提出了一个ZnSe/ZnS多量子阱光开关的综合优化方案。根据Kronig-Penney模型,对多量子阱结构进行优化。又根据实验结果对多量子阱构成的非线性F-P进行了优化设计。 相似文献
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本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激光器外延片的生长，并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。 相似文献
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GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器 总被引：1，自引：0，他引：1
本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806－809nm。 相似文献