Ka波段5W GaAs PHMET功率MMIC

报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29～32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于±0.75dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22dB;1dB压缩点输出功率大于36.5dBm,效率大于18%。     

单片行波功率放大器

报道了一个单片行波功率放大器的研究结果。单级放大器电路采用6个栅宽为420μn的GaAsMESFET作为有源器件，通过采用栅串联电容和漏线阻抗渐变技术，在（1-13）GHz频率范围内线性增益为7．5±0．5dB，输出功率大于0．5W，功率附加效率为16％，输入输出驻波比在1．2—2，1之间。采用离子注入、背面通孔等先进工艺制作在厚度为0．1mm的GaAs基片上，芯片面积为3．7mm×1．85mm。将两个这样的芯片级联得到13±1dB的线性增益。     

一种30 MHz～3 GHz宽带高增益功率放大器

基于0.25 μm GaAs PHEMT 工艺,设计了一种可应用于甚高频和超高频的宽带高增益功率放大器。该功率放大器采用两级级联结构来克服功率增益的不足,采用堆栈结构来实现平坦的增益和输出功率。仿真结果表明,该功率放大器的工作带宽为30 MHz~3 GHz,小信号增益为(38.2±1.6)dB,输入输出回路损耗在-10 dB以下。在连续波测量模式下,输出1 dB压缩点为(35.3±1.0)dBm,功率附加效率为16.8%~11.0%。     

7.5～9.5 GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管

报道了研制的1mm栅宽的AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管,在32V漏偏压下在7.5～9.5GHz频率范围内输出功率大于5W,功率附加效率典型值为30%,功率增益大于6dB,带内增益平坦度为±0.4dB,带内最大输出功率为6W。     

2～6GHz单片宽带功率放大器

南京电子器件研究所应用0.5μm的GaAs离子注入工艺,研制开发了2～6GHz的宽带单片功率放大器,其中的大电容采用高介电常数的电介质制造。放大器的主要性能如下:　　　工作频率/GHz　　　　2～6.7　　　电压驻波比　　　　1.7增益/dB17±1功率附加效率/%24输出功率/dB31芯片面积/mm×mm2.2×22～6GHz单片宽带功率放大器     

DX33型硅微波功率静电感应晶体管

<正> DX33型硅微波功率静电感应晶体管是一种1GHz下输出功率≥10W、增益5～19dB的微波功率器件。具有非饱和型的三极管特性如图1所示。器件在1GHz下其线性输出功率可达9W、线性增益可达8～12dB,最大输出功率12W。在0.8GHz下最大输出功率可达13～15W,功率增益5～11dB。器件漏极效率≥30％。 DX33型是由电子工业部第十三研究所在1982年新研制的产品,并于1982年12月通过了     

宽带单片低噪声反馈放大器

研制了0.6～6GHz单片GaAs FET低噪声反馈放大器。在该频带内,放大器芯片具有6dB增益,4dB左右的噪声系数。在1/2I_(ds)下,获得增益8dB,1dB增益压缩点为21dBm。以目前正在研制的1～10GHz两级单片芯片为例,讨论了这种放大器的设计,该放大器还可以进行级联,获得的总增益最高为50dB左右,纹波±1.5dB。     

基于InGaP/GaAs HBT的X波段MMIC功率放大器研制

研制了X波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用自行开发的GaAs HBT自对准工艺技术制作.电路偏置于AB类,小信号S参数测试在8～8.5GHz范围内,线性增益为8～9dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于3,优化集电极偏置后,线性增益为9～10dB.在8.5GHz进行连续波功率测试,在优化的负载阻抗条件下,P1dB输出功率为29.4dBm,相应增益7.2dB,相应PAE〉40%,电路的饱和输出功率Psat为30dBm.     

通信基站成对可重构四波段功率放大器的应用研究

为满足通信基站对功率放大器的需求,提出了一种新型的成对可重构四波段阻抗变换器,该阻抗变换器采用双Π 型与T 型的混合结构,通过插入PIN 二极管实现匹配电路的可重构性。经理论推导和仿真优化,设计的可重构四波段匹配电路可实现任意四个频率上的任意四个不同复数阻抗到实负载端的匹配,实现了在四个工作频率下的扼流。最终设计了一款可应用于2G—5G 通信标准下移动通信基站的可重构四波段功放模块。实测功放饱和输出功率在10 W 左右,且增益平坦度小于±1 dB,在饱和输出功率下的最大附加效率可达到39.5%,同时具有高增益平坦度的特点,整体电路结构简单。     

基于InGaP/GaAs HBT的X波段MMIC功率放大器研制

研制了X波段的InGaP/GaAs HBT 单级MMIC功率放大器,该电路采用自行开发的GaAs HBT自对准工艺技术制作.电路偏置于AB类,小信号S参数测试在8～8.5GHz范围内,线性增益为8～9dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于3,优化集电极偏置后,线性增益为9～10dB.在8.5GHz进行连续波功率测试,在优化的负载阻抗条件下,P1dB输出功率为29.4dBm,相应增益7.2dB,相应PAE＞40%,电路的饱和输出功率Psat为30dBm.     

A design technique for a 60 GHz-bandwidth distributed basebandamplifier IC module

A DC-60 GHz, 9 dB distributed amplifier IC module is fabricated with 0.15 μm InAlAs-InGaAs low-noise HEMTs with 155 GHz f_T and 234 GHz f_max. The device is mounted in a metal package with 1.8 mm coaxial cable signal interfaces. The package is specially designed using three-dimensional electromagnetic field analyses, resulting in very flat frequency characteristics of the module within 1.5 dB gain ripples over the entire bandwidth. A multichip module loaded with two amplifier ICs in cascade is also fabricated, and operates at a 17.5 dB gain from 60 kHz to 48 GHz. The 1 dB gain compression output power is about 5 dBm for both modules. The noise figure of the single-chip module is approximately 4 dB over a 10-40 GHz frequency range     

6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片.放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率.经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 w,对应的功率附加效率为21%...     

A 3-5 GHz CMOS UWB power amplifier with ±8 ps group delay ripple

A differential power amplifier (PA), designed using the linear-phase filter model, for a BPSK modulated ultra-wideband (UWB) system operating in the 3-5 GHz frequency range is presented. The proposed PA was fabricated using 0.18 μm SMIC CMOS technology. To achieve sufficient linearity and efficiency, this PA operates in the class-AB region, delivering an output power of 8.5 dBm at an input-1 dB compression point of-0.5 dBm. It consumes 28.8 mW, realizing a flat gain of 9.11 ± 0.39 dB and a very low group delay ripple of±8 ps across the whole band of operation.     

毫米波大动态宽带单片低噪声放大器

利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5V工作,测得在26～40GHz范围内,增益G=10±0.5dB,噪声系数NF≤2.2dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm;第2种为低压大动态低噪声放大器,工作电压为3.6V,静态电流0.6A(输出功率饱和时,动态直流电流约为0.9A),在28～35GHz范围内,测得增益G=14～17dB,噪声系数约4.0dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥24.5dBm,最大饱和输出功率≥26.8dBm,附加效率约10%～13.6%。结果中还给出了2种放大器直接级联的情况。     

5～12 GHz新型复合管宽带功率放大器设计

利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT的大信号Kink效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。     

Ka频段PHEMT 1W功率单片放大器

设计制作了Ka频段高输出功率的单片功率放大器.基于河北半导体研究所的0.25μm栅长的75mm GaAsPHEMT工艺制作的三级功率放大器,芯片尺寸为19.25mm2(3.5mm×5.5mm).在32.5～35.5GHz的频率范围内,小信号线性增益大于16dB,带内平均1dB增益压缩点输出功率为29.8dBm,最大饱和输出功率为31dBm.     

0.5 W 2?21 GHz monolithic GaAs distributed amplifier

A novel circuit concept to reduce the gate loss using series capacitors on the gate feeding lines has been implemented for a distributed amplifier design. It has significantly increased the gate width of an amplifier with a resultant increase of the broadband output power and efficiency. A monolithic GaAs distributed amplifier using 6 × 300 ?m FETs has achieved a record output power of 0.5 W over the 2 to 21 GHz frequency band with at least 4 dB gain. The poweradded efficiency was 14%. The linear gain was 5 ± 1 dB over the same frequency band.     

一个4～12GHz混合集成宽带功率放大器

设计研制了一个4～12GHz的宽带混合集成平衡功率放大器电路.该平衡放大器由一个4指的微带兰格耦合器实现.其输出连续波饱和功率在中心频率为8GHz时达到29.5dBm,在4～12GHz频率范围内增益达到8.5dB,增益平坦度为+/-0.6dB.     

CMOS超宽带低噪声放大器的设计

由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据,帮助人们摆脱对导线的依赖,因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实。尽管目前超宽带技术的标准还没有统一,但是低噪声放大器终归是其接收机中一个不可或缺的重要模块。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,该超宽带低噪声放大器输入、输出均实现良好的阻抗匹配,在3GHz～10GHz的频带范围内实现了增益G=29±1dB,噪声系数小于4dB。在1.8V工作电压下放大器的直流功耗约为35mW。     

4～8GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题。第三级电路采用了并联负反馈结构,降低了带内低频端...