等离子体电极普克尔盒退偏损耗分析

通过对普克尔盒由于定向失误以及应力变形在静态及施加半波电压情况下引起的退偏损耗分析和计算,提出了等离子体电极普克尔盒中开关晶体的加工、装校要求以及半波电压平顶起伏指标;在静态条件下,利用研制的等离子体电极普克尔盒对普克尔盒晶体光轴与光束传播方向在不同夹角下的退偏损耗进行了测量.实验结果与计算结果基本相符.     

用于1053nm波长的等离子体电极普克尔盒电光开关的流体模型

等离子体电极普克尔盒电光开关可以用于ICF高功率激光驱动系统中。本文建立一维及二维流体力学模型,对单脉冲驱动等离子体电极普克尔盒电光开关进行了数值模拟。分析了气体放电微观过程跟开关性能参数的关系。同时给出了开关电流、KDP晶体充电电压、开关效率随时间变化的曲线和粒子浓度等曲线,并与实验结果进行了对比,证明了该模型的可行性。     

PDP维持电极驱动电路的设计与实现

介绍了彩色等离子体显示屏的维持（X）电极的工作原理和实现方法。利用MAX＋PLUS2软件,使用VHDL语言产生PDP（等离子体显示器）所需要的各种测试信号,并将信号下载到硬件电路上,使得输出波形与实测的PDP电极上的波形一致。     

脉冲宽度可调的电光Q开关激光器的一种设计方案

本文讨论了一种激光脉冲宽度可调的电光Q开关激光器的基本原理。指出激光脉冲宽度与腔长无关，原则上可以在无限长的谐振腔中输出无限短的激光脉冲。调整二普克尔盒之间的相对延迟时间，即可改变激光脉冲的宽度。     

PDP扫描电极高压驱动电路的研究

介绍了PDP驱动电路的构成,在分析扫描电极高压驱动波形和驱动电路设计考虑的基础上,研究了扫描电极高压驱动电路的实现方法,并对能量恢复电路作了一定的介绍。通过电路分析,该驱动电路能够完成各个时期输出相应脉冲的要求,且能量恢复电路能够降低系统功耗。     

用于紫外激光脉冲电光开关的驱动脉冲源

利用雪崩晶体管作为高速开关器件、根据并联充电、串联放电原理设计了一种串并联相结合的MARX电路,以该电路为基础设计了一种低抖动高压脉冲驱动源,并将其应用于紫外激光脉冲的电光开关削波系统。通过同步调节器调节高压驱动脉冲和激光电光系统的时间匹配度,获得了驱动电脉冲与电光开关耦合的最佳工作状态;对匹配过程中的电光开关工作状态以及激光脉冲压缩过程进行了分析和研究,当高压驱动电脉冲幅度为2 690 V,脉宽为7.9 ns时,可以将脉宽为7.1 ns的紫外激光脉冲压缩至2.1 ns,KDP晶体的透光率达到了92.2%,电光开关的效率达到了31.7%。     

靶形状及等离子体性质对激光驱动离子加速的影响

随着固体激光技术发展以及啁啾脉冲放大技术加持,激光峰值功率得到极大的提高,促进了激光物质相互作用领域的研究并衍生出若干具有很好前景的应用。激光驱动的台面级离子加速器便是其中重要的应用领域之一。激光加速的质子具有源体积小、脉冲时间短和时间分辨高等特点,可以广泛应用于成像、医疗及科研领域,并能有效降低这些领域的相关成本,促进其高效发展。影响获得优质离子束的条件很多,文中从靶形状及与激光作用后形成的等离子体性质角度对近期该研究方向的一些进展进行了总结及展望。     

微型技术中的并联驱动系统——传感技术、致动技术与导向的集成

微型技术及其相邻的工艺，为以发电和电场评价为基础的元件，开辟了许多新应用的可能性。本文介绍一种设计完备的微型技术构造的静电驱动装置。从有限元件计算出发，根据工艺上生产可能性设计了这些元件，并对结构与作用方式作了详细的说明。     

激光深熔焊焊缝的熔透性监测研究

随着激光焊接在国防工业中的应用越来越广泛，焊接质量的监测和控制逐步成为一项重要的研究内容，而焊缝的熔透性控制是其中最重要的参数之一，特别对于一些密封件而言。通过对伴随激光深熔焊接所存在的光致等离子体的蓝紫光信号相对强度的监测，以判断焊缝的熔透性。利用信号监测系统，在焊接时采集光致等离子体蓝紫光的强度作为原始分析信号，通过对数据的分析和处理，以及大量的实验结果与数据分析结果的对比，寻求信号与焊缝熔透性的关系。研究结果表明，焊缝的熔透性与光致等离子体光信号的累积强度有对应关系，当焊缝全部熔透时，光信号稳定性非常好，而一旦焊缝处于未熔透或熔透性差时，光信号会产生极大的波动。     

平行板静电场法铯离子引出的实验研究

为研究平行板静电场法离子引出的规律，利用对由YAG四倍频脉冲激光(266nm)一步电离产生的铯等离子体进行了多次离子引出实验。结果发现，离子引出时间随外加引出电压的增加而减小，随离子初始密度的增加而增长。通过对实验数据的分析，获得了在此实验条件下光致瞬态铯等离子体离子引出时间与外加引出电压和离子初始密度之间关系的经验公式。但是，离子引出时间并非一直随电压的增加线性减小。在外加电压超过1200V以后发现离子引出时间有增加的趋势。在外加电压高于1000V以后观察到溅射离子峰的存在．并讨论了溅射现象的存在对离子引出时间的影响。通过对离子引出与收集和溅射现象的分析获得了本实验条件下平行板静电场法离子引出中外加电压的最佳值。     

一种采用并行光强度调制器的模数转换方法

提出了一种采用并行光强度调制器实现移相光量化的方法。利用对光强度的衰减实现量化曲线的相移,解决了现有移相光量化方案中相位调制器对环境、温度较为敏感,量化曲线相移控制精度以及脉冲走离的问题。采用两个铌酸锂强度调制器并行连接,每个光耦合器分成4个通道,每个通道中插入光衰减器,通过调节光衰减器实现通道间调制曲线的相移,构成8通道4 bits的光量化器。实验中对10 GHz的正弦信号进行了光量化测试,量化结果的有效比特数(ENOB)为3.7 bits,仅低于理想分辨率0.3 bits。实验结果表明该方案可行,与一般移相光量化方案相比,具有较高的有效比特数。