外延衬底用CdZnTe晶体进展

文中简要介绍了ＣｄＺｎＴｅ晶体用作ＨｇＣｄＴｅ外延衬底的优点和国内外研究的现状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特状，概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体的生长方法及其特点，总结了影响ＣｄＺｎＴｅ晶体生长和晶体质量的因素，提出ＣｄＺｎＴｅ晶体生长中存在的问题和改善晶体质量的措施。     

分压控制下高纯,高x值CdZnTe晶体气相生长的研究

尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４－０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究，探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率，ＰＬ光谱等进行了检测和分析。     

AT切三次泛音HC—49／S石英谐振器

ＨＣ－４９／Ｓ长条片石英谐振器的设计制造难度大，本文对２７０００ｋＨｚ－６００００ｋＨｚＡＴ切三次泛音石英谐振器研制进行总结，并给出了性能测试结果。厚度切变振动石英谐振器常用切型分为ＡＴ切和ＢＴ切两种，其中ＡＴ切型晶体具有频率稳定性高，在宽温范围内频率特性好等优点而被大量使用。过去石英晶体厂家大量生产的是ＨＣ－４９／Ｕ晶体，随着市场需求的变化，已逐步向生产ＨＣ－４９／Ｓ石英晶体过渡。三次泛音的ＨＣ     

利用光折变晶体Cu：KNSBN实现图像增强

利用置放于相干系统的傅里叶交换平面的光折变晶体Ｃｕ：ＫＮＳＢＮ在一定条件下完成了图像增强处理，由于晶体内部的位相共轭效应而在变换平面形成拉普拉斯算子．给出实验结果和扼要的理论分析。     

BaTiO3;Ce桥式互泵浦相位共轭镜的研究

本文首次用两台Ｈｅ－Ｎｅ激光器在光折变晶体ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ中实现了桥式互泵浦相位共轭，并实验确定了互泵浦光的最佳入射角度。对ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ桥式互泵浦相位共轭镜的形成机理作了分析，并对实验的结果和现象进行了讨论。     

掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究

用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过率（７０％）；Ｃｒ∶ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ３＋外，还存在少量Ｃｒ４＋     

Nd: Ca_4YO(BO_3)_3单晶研制成功并实现基频和自倍频激光运转

近年来，新型激光自倍频晶体ＮｄＣａ４ＹＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄＹＣＯＢ）受到学术界密切关注，并成为新型激光工作物质研究的一个热点［１～３］。１９９８年２月，我们用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法成功生长出ＮｄＹＣＯＢ晶体，掺Ｎｄ量为５ａｔ－％。测定了晶体的吸...     

CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究

用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．     

Xe矩阵晶体中准分子Xe_2~＋Cl~－跃迁辐射能量计算

本文计算了Ｘｅ掺杂Ｃｌ矩阵晶体中经激光辐照形成的离子准分子Ｘｅ２＋Ｃｌ－体系的能量。由于极化和与固态Ｘｅ原子的色散相互作用，其能量与气体中的不同。计算表明Ｘｅ２＋Ｃｌ－准分子电子态跃迁对应于实验观测到的辐射。     

Ce∶Ho∶LiNbO_3晶体的全息存储特性的研究

报道了Ｃｅ：ＨＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体的生长，研究了晶体的衍射效率、存储时间、图像质量等全息存储性能。用Ｃｅ：ＨＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体作记录介质，实现了实时关联存储。     

铁电晶体铌酸钾锂的倍频性能研究

用cw-Ti:sapphire激光对不同组成的熔体中生长得到的铌酸钾锂晶体进行了倍频性能研究。实验结果表明,只有当晶体中Li离子含量达到一定值时,铌酸钾锂晶体才具有非线性光学效应;晶体中Li离子含量越高,倍频性能越好,Li2O浓度为26mol％的熔体中生长得到的铌酸钾锂晶体的倍频实验的结果表明,该晶体能对820－960nm的近红外cw-Ti:sapphire激光倍频实现蓝绿光输出,具有较好的倍频性能。     

自旋对强耦合二维磁极化子基态能量的影响

采用线性组合算符法研究电子自旋对强耦合二维磁极化子基态能量的影响．对ＫＩ晶体所作的数值计算结果表明,随着磁场的加强,不同取向的电子自旋使强耦合二维磁极化子基态能量表现为增加和减少两种截然相反的情形．电子自旋能量与磁极化子基态能量之比随磁场的增加而增加．     

CdS晶体非线性吸收电场效应的时间过程

建立了一套光泵浦探针法测量CdS晶体光学非线性快过程的实验,同时测定外加电场对激子-电子相互作用时间的影响,以揭示光学非线性的特性和起源.通过计算机数值计算模拟得出:在没有外加电场作用下,激子-电子相互作用的衰减时间为60ps.由实验结果可以看出外加电场使衰减时间略有延长.     

线缺陷对二维四方圆柱形介质光子晶体禁带的影响

利用平面波展开方法研究了二维四方格子圆柱形介质光子晶体中线缺陷对光子禁带的影响.结果表明光子晶体中的缺陷层圆柱半径及缺陷层厚度对光子晶体禁带有显著影响.TE波的第一禁带宽度随着缺陷层半径的增加先增加后减小,禁带的中心位置随着缺陷层圆柱半径的增加而下降,禁带的数目也随着缺陷层圆柱半径的增加而明显变化.禁带的宽度随着缺陷层厚度与正常层厚度差别的增加而减小.     

声学形变势表现极化子的温度效应

采用线性组合算符方法,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面极化子的温度效应,对KI晶体的数值计算结果表明：振动频率、有效质量随温度的升高而减少,而诱生势随温度的升高而增大。     

双轴分子构成液晶薄层的分子场理论

本文以分子场理论研究双轴分子构成的液晶薄层。双轴分子通过色散力作用，使分子质心固定在简单立方晶格的格点上。在液晶薄层的一侧是基板，它对界面层上的分子提供吸引作用，另一侧为自由表面。给出了各分子层上序参数随温度变化的情况。     

高效可见光发射多孔硅的红外光致发光表征

研究了７７Ｋ下高效可见光发射多也硅材料的红外光致发光光谱，并对多孔硅表面的硅晶体完整性作了分析和表征。     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

n-HgCdTe光导器件的两种表面钝化研究

利用 Ar 束溅射沉积技术实现了 Cd Te薄膜的低温生长 ,利用电化学方法进行了 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜的生长 ,利用生长的 Cd Te介质膜和 Hg Cd Te表面自身阳极氧化膜对 n- Hg Cd Te光导器件进行了表面钝化 .对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析 ,实验表明得到的 Cd Te/ Hg Cd Te界面质量已达到器件实用化水平 .     

稳恒磁场中极性晶体膜内电子—表面声子强耦合磁极化子的有效质量

采用Tokuda改进的线性组合算符、Lagrange乘子和变分法,讨论了磁场中极性晶体膜内电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合磁极化子的有效质量,得出了磁极化子的有效质量随膜厚的增加而先减小后增加,最后趋于一个稳定值,随磁场的增加而增加。