掺杂对β-C2S结构和性能的影响

本文通过用XRD测定晶格畸变与晶粒太小，XPS测定电子结合能，FT-IR和Laser Raman法测定结构基团振动谱及微热量热法测定早期水化速率探讨了掺杂，β-C2S的微观结构与性能之间的关系．指出掺杂β-C2S的晶格和SiO4^4-团发生畸变、无序度增加、晶粒细化、电子结合能化学位移是其活性提高、水化加速的根本原因．     

第一性原理研究Mn重掺杂对β-Ga2O3的电子结构和光学性能的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Mn重掺杂对β-Ga2O3物理性能的影响。建立了β-Ga2O3模型,用Mn原子部分替代Ga原子构建Ga2-xMnxO3的超胞模型,实现对β-Ga2O3的掺杂,分别对x等于0.0625、0.125和0.25的模型进行了几何结构优化,获得稳定的晶格结构和晶胞参数,并对它们的能带结构、态密度和光学性能等进行分析。计算结果表明：Mn掺杂后,禁带宽度减小,费米能级上移进入导带,增大了载流子浓度,提高了体系的电导率;介电函数的虚部有明显的变化;β-Ga2O3在400-700nm的范围内,吸收系数和反射率均有不同程度的降低,与未掺杂的β-Ga2O3相比,能量损失谱的峰值发生了红移。     

Cu掺杂对氧化锡纳米晶结构、形貌及其光学性能的影响

以无机盐SnCl2为原料，通过形成配合物前躯体制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶．XRD表明两纳米晶体系均为金红石相SnO2．通过对两纳米晶体系的TEM／HRTEM微结构分析，发现掺杂体系的粒径有明显降低，而且颗粒边界也较未掺杂体系清晰．通过对两纳米晶体系的紫外图谱的研究，发现Cu掺杂后SnO2纳米晶的吸收带边发生红移．且铜离子掺杂后导致体系的UV图谱中出现两激子峰．     

第一性原理研究Mn重掺杂对β-Ga_2O_3的电子结构和光学性能的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Mn重掺杂对β-Ga2O3物理性能的影响。建立了β-Ga2O3模型,用Mn原子部分替代Ga原子构建Ga2-xMnxO3的超胞模型,实现对β-Ga2O3的掺杂,分别对x等于0.0625、0.125和0.25的模型进行了几何结构优化,获得稳定的晶格结构和晶胞参数,并对它们的能带结构、态密度和光学性能等进行分析。计算结果表明:Mn掺杂后,禁带宽度减小,费米能级上移进入导带,增大了载流子浓度,提高了体系的电导率;介电函数的虚部有明显的变化;β-Ga2O3在400~700nm的范围内,吸收系数和反射率均有不同程度的降低,与未掺杂的β-Ga2O3相比,能量损失谱的峰值发生了红移。     

Fe~(3 )、Fe~(2 )对C_3S晶体稳定性的影响

用分析纯试剂配制了C_3S的含Fe~(3 )或Fe~(2 )的两个系列固溶体样品。电子探针分析表明,Fe~(3 )或Fe~(2 )均优先溶解于C_2S中。固溶体分解实验表明,Fe~(3 )和Fe~(2 )进入C_3S晶格均能明显促进其分解;含Fe~(3 )以及少量Fe~(2 )的C_3S固溶体比含纯粹Fe~(2 )的固溶体更容易分解。并比较Fe~(3 )和Fe~(2 )对C_3S晶体化性能的影响。     

硼掺杂对α—Fe2O3—K2O湿敏半导体陶瓷结构与性能的影响

用硬脂酸凝胶法工艺合成不同配比的α－Ｆｅ２Ｏ３－Ｋ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３复合氧化物超微粉,经液相烧结法制得多孔陶瓷材料,采用ＸＲＤ技术、Ａｒｃｈｉｍｅｄｅ排水法及压汞法等研究了材料物相、晶粒度及微孔结构;电导测试实验表明,Ｂ２Ｏ３掺杂相可能以非态均匀包覆在主晶相晶粒表面及晶界处,Ｋ＾＋被吸收包埋在Ｂ２Ｏ３非晶相中;湿敏特性测试结果表明,硼掺杂５％（摩尔分数）左右,全湿区内材料阻－湿特性曲线线性关系好,湿     

Cu掺杂对氧化锡纳米晶结构、形貌及其光学性能的影响

以无机盐SnCl2 为原料 ,通过形成配合物前躯体制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶 .XRD表明两纳米晶体系均为金红石相SnO2 .通过对两纳米晶体系的TEM HRTEM微结构分析 ,发现掺杂体系的粒径有明显降低 ,而且颗粒边界也较未掺杂体系清晰 .通过对两纳米晶体系的紫外图谱的研究 ,发现Cu掺杂后SnO2 纳米晶的吸收带边发生红移 .且铜离子掺杂后导致体系的UV图谱中出现两激子峰     

掺杂对SnO2薄膜性能影响研究

SnO2薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视,本文就各种掺杂对SnO2薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

Zn掺杂对SnO_2纳米线的气敏性能的影响

为了提高SnO2纳米线基气敏传感器在实际应用中存在着灵敏度低、选择性差等问题,采用物理热蒸发法制备纯SnO2纳米线和不同质量百分比（7%,8%,9%,10%）的Zn掺杂SnO2纳米线,将制得的气敏基料制备成旁热式气敏元件,应用静态配气法对浓度均为500ppm的无水乙醇蒸汽、CO及CH4分别进行气敏性能测试.实验结果显示,Zn掺杂SnO2纳米线相比纯SnO2纳米线的气敏性能有了明显提高（乙醇提高2.46倍,CO提高13.88倍,CH4提高1.43倍）,并得出无水乙醇气敏性能在工作温度为280℃最高,CO,CH4在300℃最好.当Zn的掺杂比例为质量百分含量为9%时,各种比例材料所制成的气敏元件气敏性能最高.     

掺杂对SnO_2薄膜性能影响研究

ＳｎＯ２薄膜具有良好的光学特性,优良的气敏特性越来越受到人们的普遍重视。本文就各种掺杂对ＳｎＯ２薄膜性能的影响进行了综合评述,并探讨了掺杂作用机理。     

应用量子化学算法研究硅酸二钙的结构与性能

用量子化学的自洽场离散变分Ｘａ方法对β，γ－Ｃ２Ｓ的结构与特性进行了研究，计算结果表明：β，γ－Ｃ２Ｓ中Ｓｉ－Ｏ键的强弱相差不大；β－Ｃ２Ｓ水化活性高于γ－Ｃ２Ｓ的本质原因在于其离子键较弱。     

CeO_2掺杂对染料敏化太阳能电池光电性能的影响

采用水热法制备不同浓度CeO_2掺杂TiO_2薄膜,并以其为光阳极组装染料敏化太阳能电池(DSSCs),同时考察不同CeO_2掺杂浓度对TiO_2光阳极的光电转换效率的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)等测试手段、紫外可见漫反射谱(UV-Vis DRS),对制得的光阳极薄膜进行晶体结构、表面形貌、微观结构、元素价态以及光学特性的表征,并对组装的DSSCs进行光电性能测试。结果表明:适量浓度的CeO_2掺杂可提高太阳能电池中的短路电流与光电转换效率;与纯TiO_2光阳极相比,0.015mol·L~(-1) Ce(NO_3)_3修饰的CeO_2/TiO_2光阳极的光电转换效率从2.44%提高到5.91%。     

Ag@Ag_2S核壳结构的制备及其光热性能研究

采用牺牲模板法在室温下原位硫化类球形Ag纳米颗粒制备得到Ag@Ag_2S核壳结构。利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪(UV-Vis)等测试手段对样品进行分析表征。用实验室自组装的光热转换测试装置测试了Ag@Ag_2S核壳结构及单组份Ag、Ag2S纳米颗粒的光热转换性能。结果表明:在808nm激光的照射下,Ag@Ag_2S核壳结构具有比单组分Ag、Ag_2S纳米颗粒更优异的光热转换性能。     

机械合金化法制备Co掺杂β-FeSi_2热电材料

采用机械合金化法—后续热处理法成功制备Co掺杂β-FeSi_2热电材料。用X射线衍射法分析球磨机转速和烧结工艺对混合粉末合金化进程的影响,测试样品的电学性能。结果表明:球磨时间为50h,球磨机转速为365 r/min时,球料质量比为15:1的球磨粉末在890℃烧结15 h(Ar气氛)后可完全生成β-FeSi_2,其中Fe_(0.97)Co_(0.03)Si_2具有最大功率因子,在600℃为74μW·m~(1).K~(-2)。而未掺杂FeSi_2的功率因子在600℃只为6.6μW.m~(-1).K~(-2)。     

铅掺杂对草酸结构和形貌的影响

研究了铅的不同掺杂工艺和掺杂量对草酸钴结构和形貌的结构，建立工艺１可让纳米级铝化合物基本分布在草酸钴晶粒外面，而应用工艺２则让铝进入草酸钴晶格中，用费氏粒度仪测量样品的粒度；Ｘ射线衍射仪测晶型结构；扫描电镜观察形貌，结果表明，使用工艺１不会改变草酸钴的结构而应用工艺２只需掺入少量铝即可侃草酸钴由α－晶型为为β－晶型，随着草酸钴中铝掺杂量的增加，掺杂草酸钴的粒度增大，而草酸钴外形轮廓不发生明显改变。     

非磁性离子掺杂对Na0.8CoO2的结构和输运特性的影响

利用非磁性Ga离子对Na0.8CoO2的Co位进行了掺杂,得到了单相的Na0.8Co1-zGazO2（0≤z≤0.15）样品.通过对材料的晶体结构和电输运特性的研究发现：Ga的固溶极限约等于0.2;Ga离子掺杂后晶胞参数c明显增大;Ga的掺杂虽然使Na0.8CoO2的电阻率有所升高,但对其金属导电行为无显著影响.     

Cr掺杂量对Zn1-xCrxO稀磁纳米材料的结构及性能影响

利用水热法制备了Zn1-xCrxO稀磁纳米材料,采用XRD、FESEM、EDS、PL和VSM等方法对样品的结构与性能进行了表征与分析,考察了Cr掺杂量对Zn1-xCrxO样品的结构与性能影响。XRD分析表明Zn1-xCrxO样品为ZnO六方纤锌矿结构,随着Cr掺杂量增加样品的结晶性能下降,并且样品的形貌由较好的六角棒状结构逐渐变得杂乱;磁滞回线分析表明Zn1-xCrxO样品具有良好的室温铁磁性,Cr掺杂量不同,样品的磁性不同;PL谱表明适量Cr掺杂对ZnO的发光性能有促进作用。     

金属离子掺杂TiO2光催化材料的光催化性能研究

用溶胶-凝胶法制备金属离子掺杂的TiO2光催化剂,以紫外灯和太阳光为光源,用罗丹明B溶液为模拟废水,研究TiO2掺杂金属离子催化剂光催化性能,探讨金属离子的半径、价态及电子构型等因素对掺杂TiO2催化活性的影响.     

Ce掺杂对纳米TiO2结构和光催化性能的影响

以钛酸丁酯和硝酸亚铈为实验原料,采用溶胶-凝胶法制备了Ce掺杂的TiO2纳米粒子,并利用XRD、DRS、TEM、BET等测试技术对样品进行了表征,且以高压汞灯为光源,甲基橙水溶液的脱色为模型反应,考察了Ce掺杂对纳米TiO2光催化活性的影响．结果表明：Ce掺杂能提高纳米TiO2的光催化活性,有效抑制TiO2纳米粒子的生长和在高温下的相变,增大其比表面积,并使TiO2纳米粒子的光谱响应范围拓展到可见光区,当掺杂Ce的物质的量分数为0．5%时,TiOz纳米粒子的光催化活性达到最佳．