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1.
以纳米非晶-Si3N4、微米α-Si3N4、微米AlN、纳米Al2O3和纳米Y2O3为初始原料,采用放电等离子烧结工艺制备了Sialon陶瓷。通过调整配方中Si3N4对应原料的种类,研究了不同结构的Si3N4对合成Sialon陶瓷的影响。通过XRD和SEM对试样的物相和显微结构进行了表征,同时测试了试样的体积密度、抗弯强度、断裂韧性和维氏硬度。实验结果表明,配方中的Si3N4全部采用α-Si3N4,经SPS烧结后可获得α/β-Sialon陶瓷,当用纳米非晶-Si3N4逐步替换α-Si3N4时,所合成的Sialon陶瓷中的α-Sialon晶相的相对含量减少;当全部采用纳米非晶-Si3N4时,则试样中仅含有β-Sialon相。 相似文献
2.
Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料显微结构 总被引:3,自引:0,他引:3
利用日立H-800透射电境、日立S-570型扫描电境及RAX-10A型X射线衍射仪对Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料的微观组织、结构和成分进行了研究.结果表明,TiC纳米颗粒弥散分布在基体β-Si3N4晶内和晶界,所制备的材料为晶内/晶间混合型纳米复合陶瓷.通过对Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料断裂方式的观察表明,材料断裂为沿晶断裂和穿晶断裂复合型,纳米粒子对裂纹扩展起到偏转和钉扎作用.纳米Si3N4颗粒的加入促进了基体长柱状β-Si3N4晶粒多峰分布的形成,类晶须晶粒在裂纹扩展过程中产生桥接和拔出. 相似文献
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纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了纳米SiC粉体和纳米SiC(N)复相粉体在8.2-12.4GHz频率范围的介电特性及其与微波的作用机理,发现纳米SiC(N)复相粉体介电常数的实部(ε′)和虚部(ε′′)在8.2-12.4GHz范围内随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε′′/ε′)较高,是较为理想的微波吸收材料。纳米SiC粉体的ε′、ε′′和tgδ明显小于纳米SiC(N)复相粉体的,对微波的吸收不理想。提出了纳米SiC(N)复相粉体对微波的吸收机理。纳米SiC(N)复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米SiC(N)复相粉体中形成大量的带电缺陷,这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流,强烈的极化驰豫过程导致大的介电损耗。 相似文献
4.
Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料显微结构 总被引:1,自引:0,他引:1
利用日立H-800透射电境、日立S-570型扫描电境及RAX—10A型X射线衍射仪对Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料的微观组织、结构和成分进行了研究.结果表明,TiC纳米颗粒弥散分布在基体β—Si3N4晶内和晶界,所制备的材料为晶内,晶间混合型纳米复合陶瓷.通过对Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料断裂方式的观察表明,材料断裂为沿晶断裂和穿晶断裂复合型,纳米粒子对裂纹扩展起到偏转和钉扎作用.纳米Si3N4颗粒的加入促进了基体长柱状β-Si3N4晶粒多峰分布的形成,类晶须晶粒在裂纹扩展过程中产生桥接和拔出。 相似文献
5.
以SiC和Si3N4为主要原料,采用陶瓷制备工艺无压烧结制备了Si3N4-SiC吸热陶瓷材料。采用现代测试技术,测试和分析了烧结样品的烧结收缩率、抗折强度、吸水率、气孔率、体积密度、耐火度、氧化增重率、物相组成以及显微结构。结果表明,最佳配方是1 360℃烧结的D2样品,其Si3N4添加量为20%,抗折强度为79.60 MPa、气孔率为22.23%、吸水率为10.32%、体积密度为2.15g/cm3、耐火度为1 650℃、1 300℃氧化5h后的样品氧化增重率为1.333mg/cm2。XRD和SEM分析表明烧结样品由α-SiC、Si3N4、莫来石和石英组成,Si3N4在样品中呈短棱柱体分布,添加纳米SiC对Si3N4可以起到钉扎作用,阻止Si3N4晶粒长大,从而提高样品的抗折强度和抗热震性能。Si3N4-SiC吸热陶瓷具有高的强度以及良好的微观组织结构,是一种适合塔式太阳能热发电吸热器用吸热材料。 相似文献
6.
目的制备高气孔率、高强度的氮化硅陶瓷,分析复合助剂A、Al2O3、碳粉、烧结温度等因素对高气孔率、高强度的氮化硅陶瓷材料微观结构的影响.方法采用部分烧结工艺和添加造孔剂工艺制备实验材料.利用阿基米德法、三点弯曲法测试了材料的密度、显气孔率及弯曲强度;借助扫描电子显微镜(SEM)进行微观结构分析.结果成功制备出结构比较均匀并且有高气孔率和较高强度的氮化硅陶瓷,当气孔率高达51.14%时,强度仍具有172MPa.结论均匀气孔获得主要是由长柱状β-Si3N4晶粒在三维空间搭接构成的,烧结温度提高有助于长柱状β-Si3N4的转变与发育;柱状晶强度高、缺陷少是获得高强度的主要原因.在一定范围内.碳粉含量增加有助于气孔率的提高. 相似文献
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纳米SiC粉中的氧含量对Al_2O_3陶瓷无压烧结的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了纳米 SiC中的氧含量对 Al2O3/ SiC纳米复相陶瓷性能的影响 .发 现当氧含量偏高时,烧结体难以致密化,同时在组织中出现大尺寸气孔 .实验证明,氧含量 较低的纳米β SiC可以使烧结体密度和强度得到极大提高;而氧含量偏高的 Si/C/N非晶 复合粉,提高性能的作用甚微 .其根本原因就是,粉体中的氧与硅形成蒸气,从而使烧结体 中出现气孔 . 相似文献
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纳米SiC粉中的氧含量对Al2O3陶瓷无压煤结的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
讨论了纳米SiC中的氧含量对Al2O3/SiC纳米复相陶瓷性能的影响,发现当氧含量偏高时,烧结体难以致密化,同时在组织中出现大尺寸气孔,实验证明,氧含量较低的纳米β-SiC可以使烧结体密度和强度得到极大提高;而氧含量偏高的Si/C/N非晶复合粉,提高性能的作用甚微,其根本原因就是,粉体中的氧与硅形成蒸气,从而使烧结体中出现气孔。 相似文献
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用经典的有效媒质公式(包括Maxwell Garnet公式、Bruggeman公式、Polder-van Santen公式和相干准晶近似公式(quasicrystalline approximation with coherent potential,QCA-CP)研究了含纳米SiC(N)粉体的复合材料的微波介电特性,计算结果表明,经典的有效媒质公式对含纳米SiC(N)粉体的复合材料是不适合的,应寻求新的方法来求解纳米复合材料的微波介电常数。研究表明,不同纳米SiC(N)粉体含量的复合材料的介电常数实测值与纳米粉体体积分数(f)之间有非常好的拟合关系,复合材料微波介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)与纳米粉体体积分数之间符合二次多项式(ε′、ε″=Af^2 Bf C)关系,根据二次多项式可以非常方便而准确地计算纳米复合材料的微波介电常数。 相似文献
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吸波材料SiC对微波烧结纳米TiO2的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
纳米TiO2是一种无机功能材料.采用溶胶一凝胶法及微波烧结联合制备了纳米TiO2,研究了添加吸波材料SiC对纳米TiO2晶型和粒径的影响,并利用微波烧结机理对结果进行了分析.研究结果表明:微波烧结时间短,比传统的烧结时间大大的缩短,效率提高了2倍以上;添加吸波材料SiC烧结纳米TiO2成型的时间要短;SiC的添加方式不同,导致了烧结成型的时间也不相同,制备复合SiC/TiO2粉体的烧结成型时间要比用SiC铺床的方法进行烧结的时间短,但TiO2不够纯.其中含有SiO2. 相似文献
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N,N''''-二仲丁基对苯二胺抗氧剂的合成 总被引:2,自引:0,他引:2
以对苯二胺、丁酮为原料,在自制的铜铬催化剂和氢气存在下合成了N,N'-二仲丁基对苯二胺.研究了催化剂的制作工艺,并考察了催化剂用量、反应温度、压力、反应时间对产物收率的影响,寻找到合适的催化剂制作工艺条件及抗氧剂的制备条件硝酸铜、硝酸铬、硝酸钡按10101质量比混合后,于400℃下分解1.5 h,然后经水洗活化制得催化剂;催化剂加入量占对苯二胺的质量分数为4%;反应温度160℃,压力3.3~5.6MPa,反应时间12 h,N,N'-二仲丁基对苯二胺收率超过95%.将合成的N,N'-二仲丁基对苯二胺加入汽油(30μg·g-1)中,汽油诱导期较加入常规的抗氧化剂明显增加. 相似文献
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以对苯二胺、丁酮为原料,在自制的铜铬催化剂和氢气存在下合成了N,N′-二仲丁基对苯二胺。研究了催化剂的制作工艺,并考察了催化剂用量、反应温度、压力、反应时间对产物收率的影响,寻找到合适的催化剂制作工艺条件及抗氧剂的制备条件:硝酸铜、硝酸铬、硝酸钡按10∶10∶1质量比混合后,于400℃下分解1.5 h,然后经水洗活化制得催化剂;催化剂加入量占对苯二胺的质量分数为4%;反应温度160℃,压力3.3~5.6MPa,反应时间12 h,N,N′-二仲丁基对苯二胺收率超过95%。将合成的N,N′-二仲丁基对苯二胺加入汽油(30μg.g-1)中,汽油诱导期较加入常规的抗氧化剂明显增加。 相似文献
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介绍了小波变换的基本理论以及基于小波变换的图像分解和重构过程.对储粮害虫图像实现了2种图像压缩方法.通过实验结果表明,小波变换用于粮虫图像压缩有很高的实用价值. 相似文献
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Electroless copper plating process of N, N, N′, N′-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine (THPED) chelating agent was
researched comprehensively. The results indicate that plating rate decreases with the increase of concentration for THPED,
CuSO4 · 5H2O and HCHO, pH value and bath temperature. The additive of K4[Fe(CN)6] · 3H2O, 2, 2′-dipyridyl and polyethylene glycol(PEG) decrease plating rate and K4[Fe(CN)6] · 3H2O has a bad effect on deposits quality, but 2, 2′-dipyridyl and PEG make deposits quality improve greatly. Low concentration
of 2-mercaptobenzothiozole (2-MBT) increases plating rate and improves deposits quality, but decreases plating rate and worsens
deposits quality when 2-MBT reaches 5 mg/L. The optimal conditions of this electroless copper plating process are that the
concentration of THPED, HCHO, CuSO4 · 5H2O, PEG, 2, 2′-dipyridyl and 2-MBT are 16.8 g/L, 16.0 mL/L, 13.3 g/L, 0.5 g/L, 5.0 mg/L and 2.0 mg/L, respectively, pH value
is 12.75, bath temperature is 30 °C. Plating rate reaches 9.54 μm/h plating for 30 min in the bath. The SEM images demonstrate
that the surface of copper film is smooth and the crystal is fine.
Foundation item: Project supported by Hubei Daye Nonferrous Metal Corporation of China 相似文献
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Electroless copper plating process of N, N, N′, N′-tetrakis (2-hydroxypropyl)ethylenediamine(THPED) chelating agent was researched comprehensively. The results indicate that plating rate decreases with the 3H2O has a bad effect on deposits quality, but 2, 2′-dipyridyl and PEG make deposits quality improve greatly. Low concentration of 2-mercaptobenzothiozole (2-MBT) increases plating rate and improves deposits quality, but decreases plating rate and worsens deposits quality when 2-MBT reaches 5 mg/L. The optimal conditions of this electroless MBT are 16.8 g/L, 16.0 mL/L, 13.3 g/L, 0.5 g/L, 5.0 mg/L and 2.0 mg/L, respectively, pH value is 12.75,bath temperature is 30 ℃. Plating rate reaches 9.54 μm/h plating for 30 min in the bath. The SEM images demonstrate that the surface of copper film is smooth and the crystal is fine. 相似文献
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沈海军 《青岛科技大学学报(自然科学版)》2006,27(5):402-406
采用扩展的Hückel方法与格林函数方法,研究了Au电极作用下,B18N18、B30N30与B90N90富勒烯分子的电子结构与电子输运特性,并将B30N30富勒烯与C60富勒烯的电子结构与导电性进行了对比。结果表明,B18N18、B30N30与B90N90富勒烯分子与Au电极“接触”后为一种弱结合,其HOMO、LUMO间的能隙减小;3种BN富勒烯的电子输运性能依次为B90N90>B18N18>B30N30;C60富勒烯的导电性明显优于B30N30的导电性。 相似文献