再谈旋弧灭弧室驱弧场磁—■相位差的取值问题

分析了I—φ间的相位差θ存在最佳区域30°—60°的原因,同时认为,θ的取值不必作为首要设计参数来考虑。     

旋弧式灭弧室磁场分布与结构参数关系的数值分析

本文采用等参元方法对旋弧式灭弧室似稳态磁场进行了计算。计算结果与测量数据十分吻合。在此基础上,详细计算了灭弧室磁场分布与灭弧室结构参数之间的关系,为旋弧灭弧室的设计提供了一定的理论依据。     

真空灭弧室的直流电弧老炼

简述电弧老炼的必要性、机理、设备、方法及效果。     

纵磁真空灭弧室的临界磁场

简要介绍了美国西屋公司最近研究获得的纵磁真空灭弧室交流临界纵磁经验公式,它对于设计灭弧室纵磁触头结构有重要的参考价值。     

一种新型真空灭弧室纵向磁场电极结构

提出了一种新型纵向磁场电极结构UAME(UPDATED AXIAL MAGNETIC ELECTRODE).对其纵向磁场分布进行了计算和分析,并利用外径为60mm的户外真空断路器用小型真空灭弧室在同等条件下与 6×1/4匝杯状及4×1/4匝线圈式电极结构进行了开断实验,结果表明:UAME结构的开断能力与6×1/4匝杯状结构相比提高了31%;与4×1/4匝线图式结构相比提高了29%.     

线圈式纵向磁场真空灭弧室磁场特性

分析了1/2、1/3和1/4匝纵向磁场真空灭弧室触头设计参数对纵向磁感应强度分布、触头片上涡流分布、纵向磁场滞后时间以及导体电阻值的影响。研究表明:增加触头直径、线圈高度或触头开距会减弱纵向磁感应强度,线圈厚度及触头材料采用CuCr50或CuCr25对其影响不大;减小触头直径、增加开距可使纵向磁场滞后时间减小。触头片上开槽数以及触头材料会对滞后时间产生影响;增加触头直径、线圈高度、线圈厚度、都可以减小导体电阻,而触头片上开槽数以及触头材料也会对导体电阻产生影响。由于设计参数的变化对纵向磁感应强度分布、触头片上涡流分布、纵向磁场滞后时间以及导体电阻值会产生不同的影响,因此设计者应综合考虑各种参数的影响,得到综合性能优的结果。     

引弧片在灭弧室中的应用发展

本文指出在低压开关灭弧室中采用引弧片后可缩小或取消了弧角与栅片的间隙，加速弧根的移动并降低弧根温度，同时促使弧柱尽快进入栅片从而加速灭弧。最后介绍我国自行设计的大容量断路器ＤＷ１５因灭弧室采用了引弧片加速灭弧从而提高了该系列产品短路分断能力的裕度。     

真空灭弧室中自生磁场效应和外加纵向磁场的作用

基于磁场对电流的作用力的观点，计算分析了真空电弧自生磁场的收缩效应及对分断电弧的影响：分析讨论了外加磁场中纵向磁场分量和径向磁场分量对减小自生磁场收缩效应的作用；计算比较了线圈式结构触头产生的外加磁场的纵向磁场分量和径向磁场分量在空间分布的比值，进一步探讨了纵向磁场提高真空灭弧室分断性能的机理。     

五种纵向磁场真空灭弧室触头磁场特性分析比较

用三维有限元法研究了线圈、杯状,两极和四极及双线圈五种纵磁真空灭弧室触头的纵向磁感应强度分布、触头片上涡流分布和纵向磁场滞后时间.研究表明:(1)电流峰值时纵向磁场由强到弱依次排列为:线圈式触头、两极式结构、双线圈式触头、杯状和四极式触头;(2) 电流过零时剩余磁场由弱到强依次为:四极式触头、两极式触头、杯状触头、双线圈式触头和线圈式触头; (3)纵向磁场较强处滞后时间由小到大依次为:两极式触头、四极式触头、线圈式触头、双线圈式触头和杯状纵磁触头.     

低压断路器灭弧室中磁驱电弧的数学模型

针对低压断路器灭弧室中的磁驱电弧建立了链式电弧数学模型。模型中结合激波理论研究了电弧的运动,并利用控制容积法结合能量平衡方程对电弧的径向温度分布进行了计算。结果表明,应用这一电弧数学模型可以准确的模拟电弧的开断过程,方便地计算电弧的特性参数。     

真空灭弧室弧后介质强度恢复的不稳定性

本文通过测量真空灭弧室弧后恢复电压和屏蔽罩电位的波形，发现在弧后介质强度恢复过程中，屏蔽罩 电位波形在接近真空灭弧室极限开断电流时，会产生严重的无规律畸变，并伴随有弧后残余粒子消散时间的延长。从而证实真空灭弧室的弧后介质强度的恢复过程不仅存在着速度的快慢，而且存在着不稳定性，这种不稳定程序随极限开断电流的临近而加剧。它与真空灭弧室 的弧后击穿和开断失败有着密切的联系。     

一种新型纵向磁场结构的真空灭弧室设计

本文介绍了一种新型纵向磁场的真空灭弧室，对其纵向磁场分布特性进行了设计计算，计算结果表明这种结构的真空灭弧室具有较强的纵向磁场。     

SF6旋弧灭弧室设计中的几个主要问题

本文论述SF_6旋弧灭弧室设计中应注意的几个主要问题,提出了解决这些问题的办法。文中就Ι、ψ间的相差θ为什么存在最佳区域作了分析,但同时认为θ的取值不必作为首要设计参数来考虑。     

改善真空灭弧室纵向磁场分布的研究

本文对真空灭弧室触头纵磁场进行了研究,并提出了一种触头结构,以期增强纵磁场效应。由于这种改进结构,使触头的烧蚀减少,并已被实验证明。本文也给出了相应的数学模型和计算机程序。     

旋弧式灭弧室驱弧磁场及、■间相位差的研究

本文实测了模型灭弧室的磁密分布及驱弧线圈电流I与弧区磁密B的相位差。提出了推算磁密B和相差θ的简化计算模型,计算表明理论值与实测值较好地符合。     

杯状纵磁真空灭弧室磁场特性分析

用三维有限元法研究了7个设计参数对杯状纵磁触头的纵向磁感应强度、纵向磁场滞后时间、杯中和触头片中电流密度最大值以及导体电阻值的影响。研究表明:譹增加触头直径或开距会减弱纵向磁感应强度,增加杯指旋转角或杯指数目可使其增强,而杯指和水平面夹角、触头片上开槽数及触头材料采用CuCr50或CuCr25对其影响不大。譺设计参数在较大范围内变化时,纵向磁场滞后时间的变化很小。譻增加触头直径或触头片开槽数、减小杯指旋转角、合理选择杯指与水平面夹角和杯指数目或采用CuCr50触头材料可减少杯中或触头片中的电流集中。譼增加触头直径或杯指与水平面夹角,或减小杯指旋转角和杯指数目、减小触头片开槽数及采用CuCr25触头材料可减小导体电阻。     

真空灭弧室纵向和横向磁场触头及其优化应用

0概述 真空灭弧室主要用于配电、工业用断路器和电机控制的接触器上.真空灭弧室主要由真空密封外壳和安置在壳内的1对触头构成.为了其中1个触头能进行关合和开断动作,灭弧室还使用了不锈钢波纹管.     

膨胀式SF_6旋弧灭弧室的光学分析

<正> 膨胀式断路器采用了一种基于气体膨胀和电弧旋转两种物理效应的新型灭弧室。这种新型断路器与常规的活塞式断路器相比,其操作功大大地减少了。     

两极纵向磁场电极结构的真空灭弧室

介绍了两极纵向磁场电极的结构，并对纵向磁场进行了计算和估计，结果表明这种电极结构适合用于高电压和大电流的真空断路器。