卫星地球站上变频器的电平设置与维护

在卫星地球站的上行设备中,上变频器起着关键性作用。它不仅对中频信号起着放大作用,而且还对变频后的L波段,亦即C或Ku波段信号也起着放大作用。在对它进行设置时,不仅要考虑变频频率、工作范围内的线性特性,而且要考虑它与前后级的接口电平、工作稳定性等因系。因此,对它进行合理设置和维护是至关重要的。     

数字信号相对模拟视频信号的电平设置

数字QAM频道不仅用于VOD点播,也用于直播电视,已在有线电视系统中大量部署,并且与模拟频道同时传输。如何正确设置二者的电平,关系到系统的性能指标和长期运行的稳定性。先给出了视频信号的概念和定义,然后详细描述了模拟与数字信号合成总功率的计算方法,最后介绍了数字平移后电平的调试方法。     

DC-20GHz射频MEMS开关

描述了DC－200GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺。开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷（SPST）并联设置的金属－绝缘体－金属接触。开关通过上下电极之间的静电力进行控制,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容。测试结果如下：射频MEMS开关驱动电压约为20V,在“开”态下DC－20GHz带宽的插入损耗小于0．69dB;在“关”态下在14－18GHz时离小于13dB,在18－20GHz时隔离大于16dB。本器作为国内首只研制成功的宽带射频MEMS开关。     

自动测试系统中的射频与微波开关

电子信息技术快速发展,射频、微波设备的应用日渐广泛,在航空航天、消费电子等领域中得到了很好的应用。随之而来的,测试系统中的应用射频和微波特性测试的仪器也实现了良好的发展和进步。新型的自动测试系统中,射频和微波开关产品是极具特点的,其结构、功能以及器件原理都有自身的特点。本文就自动测试系统中的射频与微波开关进行简要的阐述与分析。     

有线电视网络模数混传系统各关键点电平设置

通过对有线电视网络模、数混传系统各关键点电平设置的讨论,为有线电视网络模数混传时期系统的调试和维护提供参考数据。     

射频切换开关的原理与维护

我台DX-400中波发射机是在Harris公司生产的DX-600中波发射机的基础上拆除一个PB-200单元,外加一个单/并机射频切换开关的改型机,故障或者实验情况下,可以实现单/并机的切换。     

手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.     

手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析

采用GaAs 75mm 0.7μm离子注入场效应晶体管(MESFET)标准工艺技术研制出手机用GaAs双刀双掷(DPDT)单片射频开关(以下简称单片开关).成品率分析表明,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括:材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等.优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在90%左右,微波成品率稳定在80%左右,接近国际上砷化镓标准加工线的水平.     

DC-20GHz射频MEMS开关

描述了DC-20GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺.开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷(SPST)并联设置的金属-绝缘体-金属接触.开关通过上下电极之间的静电力进行控制,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容.测试结果如下:射频MEMS开关驱动电压约为20V,在"开”态下DC-20GHz带宽的插入损耗小于0.69dB;在"关”态下在14-18GHz时隔离大于13dB,在18-20GHz时隔离大于16dB.本器件为国内首只研制成功的宽带射频MEMS开关.     

一种实用的高输出电平射频调制器

一种实用的高输出电平射频调制器黄进在共用天线电视系统中，通常需要放录像和自办节目。然而，电视中心利用录像机或摄像机的射频输出端输出的信号多数在７０ｄＢ左右，不能满足大、中型共甲天线电视系统使用。为了使录像信号或摄像信号能与经放大器放大后输出的高达１０...     

直接调制光发送机中的射频调制电平

直接调制光发送机中的射频调制电平,影响到激光器输出光波的非线性失真,其大小应幕顾传输系统的载噪比和非线性失真两个方面来综合考虑。由激光器的偏置电流I_(bisa)和射频信号中的频道数N可以确定射频调制电平的最佳值。     

DCDC—20GHz射频MEMS开关

描述了 DC— 2 0 GHz射频 MEMS开关的设计和制造工艺 .开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构 ,形成一个单刀单掷 (SPST)并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触 .开关通过上下电极之间的静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容 .测试结果如下 :射频 MEMS开关驱动电压约为 2 0 V,在“开”态下 DC— 2 0 GHz带宽的插入损耗小于 0 .6 9d B;在“关”态下在 14— 18GHz时隔离大于 13d B,在 18— 2 0 GHz时隔离大于 16 d B.本器件为国内首只研制成功的宽带射频 MEMS开关     

可调闭合阈值的微加速度开关

本文描述利用凸凹翘曲现象的可调加速度开关的设计制造和测试。一套ＳｉＯ２／Ｐ＾＋－Ｓｉ双层晶体梁加工成不同长度８００μｍ、９９０μｍ和１０００μｍ。在加工中，双层晶体梁因两个不同薄膜之间的残余应力差而被弯曲。已测得使每个梁翘曲转换电压分别为３２Ｖ、５６Ｖ、７６．５Ｖ。检测质量为７μｇ的每个微梁开关的阈值加速度，通过在内电极上加０－６７Ｖ的偏置电压，可以在０－１０ｇ、０－２４ｇ、０－３８ｇ范围内调节。     

射频开关及其在通信系统中的应用

主要针对无线通信系统中的身频电子开关进行分类讨论。总结了射频开关的带宽、插入损耗、隔离度、功率容量、开关速度、VSWR、功耗、使用寿命和尺寸等主要性能指标。讨论了铁氧体／机械开关、固态开关(PIN开关和FET开关)和MEMS开关的工作机理、各项技术指标以及优缺点。列表比较了各类开关。简述了开关矩阵在未来无线通信系统阵列天线中的作用及应用。最后,指出了射频开关的发展方向和动态。     

模拟接口与数字接口互连中的电平设置

目前,广播电视技术正在逐渐由模拟向数字化过渡。当然这种过渡还需要有一个相当长的时间。在这个过程中,模拟设备在一个系统中还会起到一定的作用。一句话,模拟设备在一定的时间内还要与数字设备同时存在并发挥作用。这就出现了模拟设备和数字     

多比特相位量化数字射频存贮技术及寄生电平

该文讨论多比特相位量化的原理和方法,给出易于单片集成的相位量化器的拓扑结构形式;研究了影响寄生电平的因素,给出了寄生电平与量化比特数的表示式,并着重讨论了相位量化器输入的I,Q信号幅、相不平衡对寄生电平的影响。     

SOI射频开关测试结构特性参数分析

以0.2μm SOI RF工艺平台为基础,对射频开关测试结构基本特性参数进行分析研究。研究内容包括:a)栅极和衬底通过反向二极管连接;b)浮体器件;c)衬底通过大电阻接地(HR GND);d)衬底通过大电阻连接到栅极控制端(HR,Vsub=Vg)等四种结构。比较分析了其插入损耗、隔离度及谐波特性,并阐明产生差异的机制。研究结果可以为射频开关器件结构和电路设计做参考。     

一种应用于射频功率放大器的ALC电路设计

阐述一种电路ALC(Automatic Level Control)设计,这种电路用来连续波射频功率放大器,是一种自动电平控制电路。电路特点是衰减量可以依照输出信号的功率进行控制,对放大器的增益和输出功率进行调节。放大器工作频率范围为300kHz～1GHz,在室温条件下,当输入功率在-15dBm～15dBm范围变化时,在ALC电路控制下放大器输出功率稳定在设定功率处,降低甚至消除放大器工作条件变化对放大器特性的影响。