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本文对近期日本松下公司推出的14英寸平板CRT电视机的显示器件结构和驱动原理进行了详细的讨论,对这类平板CRT的发展前景作了分析和展望。 相似文献
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一、就技术而言,CRT在较长时间内都将是综合性价比最优的显示技术之一
自诺贝尔物理学奖获得者布劳恩(Braun)于1897年发明阴极射线管(CRT)以来,CRT已经历了100余年的发展,技术上已经相当成熟,与其他近十几年间所发展起来的各种新型平板显示器件(FPD)相比,CRT的综合性价比优势将在较长时间内得以维持。 相似文献
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CR3424是Motorola公司推出的高分辨率混合视频放大器,它的上升和下降时间小于2.9ns。从而解决了限制高分辨率显示器视频放大器的速度问题。本文介绍了它的工作特性及实际应用。 相似文献
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信息显示技术的发展经历了阴极射线管和平板显示器等不同的发展阶段,目前正在向柔性显示和三维立体显示迈进.本文分析了真空技术在一些典型显示器件的应用,从这些分析中可以看出,真空技术广泛应用于发光材料制备和显示器件的结构制备,在未来的新型信息显示技术中,真空电子技术仍然占据重要的地位. 相似文献
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与传统上使用的导电纤维、金属粉、碳粉等不同,四针状氧化锌品须(T-ZnOw)应用于制备抗静电高分子材料具有密度低、颜色浅、添加量少、化学稳定性好、应用范围广等特点,可应用于制备抗静电工程塑料、抗静电涂料、抗静电纤维等。介绍了 T-ZnOw 的一般物理性质、导电机理及其掺杂改性研究和抗静电应用研究的进展。 相似文献
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采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密.薄膜中SiO2为无定形结构,ATO的衍射峰与SnO2一致.研究了SnO2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随SnO2含量增加γ(SnO2/ SiO2)从5至12.5,薄膜的表面电阻降低(从1010Ω/□降低到108Ω/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从89.0%降至84.2%),结合三方面性能,得出最佳SnO2的配比为:γ(SnO2/ SiO2)=10. 相似文献
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采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。 相似文献
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菲利浦新型平板CRT 总被引:2,自引:1,他引:2
本文介绍菲利浦公司新设计的平板CRT的特性及结构特征。文章发表在1997年美国波士顿召开的国际信息显示会议上,其发射电子源是基于一种全面的原理,所制出的平板CRT厚度只有1厘米,且与显示面的尺寸无关。 相似文献
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