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sol-gel法制备微波介质陶瓷材料 总被引:10,自引:1,他引:9
以Zr(NO3)4·5H2O、Ti(OC4H9)4、SnCl4·5H2O为原料,用溶胶-凝胶法制备了Zr-Ti-Sn系微波介质超微粉料。实验表明:温度、湿度、溶液浓度、pH值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。采用合适的工艺参数能制备出高Q值的微波介质陶瓷微粉。 相似文献
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制备条件对SnO_2/Si性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了沉积温度、SnCl4溶液的浓度、掺Pd等对SnO2/Si光电压的影响,测量了SnO2/Si的光电压谱,得出最佳的制备条件,进行了有关计算和分析。 相似文献
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GaAs表面钝化的新方法:S_2Cl_2处理 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的表面AES谱显示含有S,Ga,AS,C和少量Cl原子而不含O原子.XPS谱说明S原子和Ga、As原子都成键.与(NH4)2S处理的比较结果显示,几秒钟的.S2Cl2处理即可达到或超过几十分钟(NH4)2S处理的钝化效果. 相似文献
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ZnCr_2O_4陶瓷湿度检测新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
电阻型湿敏陶瓷在湿度检测上的应用有一定局限性,采用ZnCr2O4系陶瓷检测湿度可以避免这种局限性。通过实验研究了CO、CO2、SO2、H2S、NH3、CH3OH及C2H5OH七种气体对湿度检测的干扰情况。结果证明,这种方法是可行的。 相似文献
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Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了优化的p-n型Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Cr/Au和AuGeNi/Au制作下面栅线和背面电极,并分别在450℃和350℃下快速合金化形成欧姆接触。采用NH4OH:H2O2:H3PO4:H2O体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的GaAs接触层。采用真空蒸发技术制备ZnS/MgF2双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了 相似文献
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ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征 总被引:7,自引:0,他引:7
本文利用化学共沉淀法分别制得Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Al(OH)3、Mg(OH)2以及Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Sb(OH)3、Bi(OH)3、Sn(OH)4、Co(OH)3、MnO(OH)2两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ZnO及相应的添加剂陶瓷复合粉体.TEM分析结果表明:两种陶瓷复合粉体的粒径均小于100nm.利用前者,通过添加适当的Al2O3和MgO,制备出了电阻率约10~2000Ω·cm,V-I特性较好的ZnO线性陶瓷电阻.利用后者,通过适当的杂质配比,在100 相似文献
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脉冲激光等离子体合成SiC陶瓷粉末过程研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用强TEACO2脉冲激光诱发SiH4+CH4等离子体化学气相反应制备出纳来SiC陶瓷粉末,分析并讨论了制备粉末材料的实验过程,得到了粉末合成的最佳工艺条件。 相似文献
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GaAs衬底层选择性腐蚀技术 总被引:2,自引:1,他引:1
本文在GaAsGaAlAs选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀GaAs衬底层获得GaA/GaAlAs外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了C3H4(OH)(COOH)3.H2O-H2O2系选择性腐蚀液和H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得了快速,可控制,重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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SnO2压敏电阻的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了Co2O3的含量对SnO2.Co2O3.Ta2O5系列压敏电阻性能的影响。实验发现,在温度为1350℃下烧成的99.2%SnO2+0.75%Co2O3+0.05%Ta2o5材料具有最大的击穿电压。应用晶界缺陷模型解释了SnO2.Co2O3.Ta2O5压敏电阻产生肖特基势垒的原因。按照这一模型,Co在肖特基势垒的的形成中起到一个关键作用。 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构CV特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性,在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理,SiNxECR-CV 相似文献
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本文主要是以SiH4、N2O和Si3H4、NH3、N2作为气体源,在平行板电容耦合式淀积设备上,采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2-Si3N4复合钝化膜。 相似文献