采用单级CMOS-SEED集成芯片的ATM光交换模块

提出了一种ATM光交换模块的系统结构.这种ATM交换模块采用了单级CMOS-SEED混合集成电路芯片及少量的光学元件,具有吞吐量大、稳定性高、封装调试容易等特点.对模块所采用的光电子混合集成芯片及系统的光学结构进行了描述.     

光电集成电路的设计自动化技术

光电子技术是继微电子技术之后近十几年来迅速发展的高技术，像微电子集成电路设计一样，不论是器件级模拟还是电器级模拟，光电子集成电路的设计都离不开电子自动化设计（EDA）。目前光电子设计软件的发展跟不上光电子技术的发展，因此光电子器件和光电子集成电路的EDA软件研究已越来越受到重视。     

OEIC_s的现状和未来

本文介绍系统集成OEIC的进展,阐述该领域集中研究的三个系统目标——集成先发射机、集成光接收和集成光开关芯片。最后介绍了日本光技术实验室(OTL)构思的九十年代OEIC发展蓝图。预言下一世纪的信息产业中光电子将与微电子平分秋色,互为融合。     

2.5Gb/s混合集成光发射机

介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.     

2.5Gb/s混合集成光发射机

介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.     

2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用

全球网络流量急速增长，数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加，传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电路和电子集成电路大规模集成在硅衬底上等优势，能满足下一代数据传输系统的迫切需求。2.5D/3D硅基光电子集成技术可以有效缩短光芯片和电芯片之间电学互连长度、减小芯片尺寸，从而减小寄生效应、提高集成密度和降低功耗。文章介绍了硅基光电子集成技术的不同方案和最新进展，并展望了硅基光电子芯片结合2.5D/3D集成技术在数据通信、激光雷达、生化传感以及光计算等领域的应用前景。     

硅基光电器件研究进展

在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用,然而,因为硅是间接湿润地导体,度图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难,为解决这一困难,人们发展了多种与同电子集成电路兼容的光电子器件制造技术,本文介绍最近几年这方面技术的发展状况。     

微波光纤技术的应用和发展概况

所谓微波光纤系统是指必须接收微波输入信号并提供微波输出信号的、包括光发射机、光接收机、光纤和其它有关元件的完整装置。随着光纤技术和高速光电子器件的迅速发展，光纤子系统已进入微波应用的领域。最近几年微波光纤技术取得了很大的进展。本文简单介绍国际上微波光纤系统的市场情况，以及微波光纤系统在通信、雷达和电子战等方面的应用。     

基于LTCC技术的雷达接收前端组件研究

随着微波混合集成电路的发展，雷达设备对微波电路的体积、可靠性提出了越来越苛刻的要求，迫使微波集成电路的设计从平面向立体发展，本文介绍了一种可用于微波立体电路设计的材料：低温共烧陶瓷，并应用该陶瓷进行了雷达接收前端的设计。     

三大热点成光电子产业引擎

光学光电子技术在信息时代的关键作用是不容置疑的，而且正在发挥越来越重要的作用，因为光电子同集成电路和软件一样，是高技术和传统产业发展的基础。光学光电子行业涉及光学材料、光学元件、光学镀膜、光学系统、光电子材料、集成光电子器件、激光器件、发光二极管及显示屏、液晶显示器件、光纤光缆、光纤光学元件、激光全息显示及制品、光盘机与光盘、光通信、太阳能电池及应用、光电子输入输出设备、激光加工及检测、激光医疗、激光测距及雷达、红外材料、红外夜视及成像、红外遥感及跟踪、CCD及摄像机、光学及光纤传感器等多个领域。     

韩国的OEIC研究

本文按年代介绍韩国光电子和光电集成电路（OEIC）的进展以及用于通信的OEIC发射机和接收机，用于光开关和光计算的半导体激光逻辑器件。     

InGaAs(P)/InP光电子集成(OEIC)器件的研究与进展

单片集成光电子器件是采用光电子集成(OEIC)技术,将集成光路与集成电路融合为一体的一种器件,以完成发射、接收等特定的电路功能.本文着重于1.0～1.6μm波长范围的单片集成先电子器件,简要介绍目前正在广泛研究的OEIC的结构类型及其性能水平,讨论有关的材料生长技术和某些关键的工艺技术问题.     

根据行为级模型方法对CMOS 图像传感器的BJPG 晶体管的分析

本文提出一种新的用于CMOS图像传感器像素的光电检测器－－双极结型光栅晶体管。由于引入p^ n注入结，光电荷的读出速率大大增加，改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度。尽管传统的光电集成电路的电路级模拟采用微电子集成电路的模拟方法，但是光电子集成电路不仅含有微电子器件和电信号还含有光电检测器和光信号，采用传统的集成电路模拟方法有其局限性。本文提出一种行为级模拟方法（光电子检测器设计的新方法，利用C、MATLAB和HSPICE等语言写出光电子器件的模拟器）来模拟分析双极结型光栅晶体管的特性。基于0.6μm CMOS工艺的分析结果表明双极结型光栅晶体管在不同栅氧化层厚度随栅压变化与传统光栅晶体管的特性一样，但光电流密度呈指数式增长且光电流密度增大，因此改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度。     

具有强代换功能的红外遥控接收电路CX20106A

<正> CX20106A(国内同类产品型号为D20106A)是日本索尼公司生产的在红外遥控系统中作接收预放用的双极型集成电路。它还可广泛用于视频系统、家用电器遥控电路以及通信系统等。这种IC性能优越,封装形式及体积与许多遥控信号接收器IC相同或相似,故可用来代换多种型号的遥控信号接收集成电路。本文拟对CX20106A集成块作一简要介绍,然后另文介绍用其代换其它IC的方法。 CX20106A的内电路方框图及信号流向如图1所示,其典型应用电路图如图2所示。CX20106A可用来完成遥控信     

Si基高速0EIC光接收机芯片的研究

Si基光电子集成(OEIC)光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径。     

半导体光电子元器件技术现状与趋势

光电子元器件技术是光电子技术发展的核心和关键,本文集中评述近一、二年来光电子元器件技术,包括红外焦平面阵列、可见光固体图像传感器件(CCD和CMOS图像传感器件)、光通信用有源器件和无源器件(光发射器件、光接收器件、光开关、光调制器、光连接器、光纤耦合器、波分复用器等)的新技术发展现状与趋势。     

全硅光电子集成电路的研究进展

全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制造工艺，能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上，叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。     

混合集成电路用的封装材料

首先介绍混合集成电路封装技术的发展，然后讨论混合集成电路封装材料的选择及其依据，最后介绍新的混合集成电路封装材料。     

光纤通信芯片有望国产化

最近,东南大学射频与光电集成电路研究所在光纤通信用超高速集成电路研究和开发上取得了阶段性成果。 该所承担了国家“十五863计划”光电子主题中“有关10 Gb/s~40 Gb/s(千兆比特每秒)光收发关键器件芯片技术”的研究项目,最近通过多项目晶圆合作计划,成功研制了基于0.2 靘砷化镓工艺的集成电路芯片,其中一个芯片达到了24Gb/s的工作速率。利用这一具有世界先进水平的芯片,与高速激光器等连接构成光纤发射与接收系统,将可以把我国目前的信息高速公路通行速度提高10倍。 光纤通信芯片有望国产化     

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

正南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始,该研究室