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简要地评述了硅微波功率DMOSFET(LDMOS,VDMOS)的发展概况,叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能,特点与BJT进行了比较,并对其应用,发展方向及前景进行了探讨。 相似文献
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简要地评述了硅微波功率DMOSFET (LDMOS, VDMOS) 的发展概况, 叙述了硅微波功率DMOS的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率DMOS的性能、特点与BJT进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。 相似文献
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介绍了X波段1.5W GaAs MMIC的设计,制作和性能测试,包括MESFET大信号模型的建立,电路CAD优化,DOE灵敏度分析及T型栅工艺研究等。微波测试结果为:在频率9.4 ̄10.2GHz下,输出功率大于32dBm,增益大于10dB。 相似文献
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为提高微波等离子体化学气相沉积(MP-CVD)金刚石膜的面积和沉积速率,我们成功研制了5kW水冷不锈钢反应腔式MP-CVD装置。本文主要给出微波模式转换器中微波模式分布的理论假设、实验测定和推导。结论:矩形彼导中的TE10模式或转变为同轴线中的TEM模式,再由TEM模式转变为圆柱形波导中的TM01模式。本文最后给出TEM模式,TM01模式的初相位。 相似文献
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分析研究了一种新型12GHzGaAsMESFET单片混频器,这种混频器采用级联FET作为混频元件。射频(RF)和本振(LO)信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路,在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚0.2mm,面积1.5mm×1.2mm的GaAs基片上实现。设计的MMIC混频器在本振11GHz,射频11.7~12.2GHZ频率范围内的最大变频增益1.8dB。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。 相似文献
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MIM薄膜二极管Ta_2O_5绝缘膜的AFM分析及其I-V特性研究 总被引:3,自引:1,他引:2
黄蕙芬 《固体电子学研究与进展》1999,19(4):372-376
制备了一种用于有源矩阵液晶显示的Ta-Ta2O5-Ta 结构MIM 薄膜二极管。其中,作为介质层的Ta2O5 膜由不同成膜技术得到。采用原子力显微镜(AFM)对Ta2O5 膜进行了表面形貌分析,并对其MIM 二极管的伏安特性进行了测试与比较。结果表明,用溅射/阳极氧化二步法制备的Ta2O5 膜作绝缘层的MIM 二极管,其I-V特性的非线性系数β= 25,远高于阳极氧化法及溅射法所得Ta2O5 膜的MIM 二极管的非线性系数(β= 9和5),电流通断比(105)分别较阳极氧化法及溅射法工艺制备的MIM-TFD高1和3 个数量级,且其伏安特性的对称性也较好 相似文献
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宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关。芯片尺寸为0.97*1.23mm.在DC-10GHZ频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,并关时间小于1ns,在5GHZ下的功率处理能力大于20dBm。此开关具有极低的直流功率耗散。 相似文献
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低压低能耗应用的InGaAs/AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关 总被引:2,自引:1,他引:1
陈效建 《固体电子学研究与进展》1995,15(3):244-251
提出了微波频率下PHEMT在作开关运用时一种简化的等效电路模型,其模型参数可从对实际PHEMT芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能(插入损耗,隔离度,输入及输出反射损耗)的模拟计算表明,与实验结果符合良好。在对串/并联PHEMT型SPDT开关的CAD优化设计基础上进行了InGaAs/AlGaAsPHEMT单片SPDT微波开关的实验研制。从研制的MMIC芯片上在片测试得到的结果为:对应新的个人通信频段的应用,在0~2GHZ范围内,插入损耗<1.0dB,隔离度>50dB,输入及输出反射损耗均优于24dB。研制的这种高性能单片开关还可在低至-2.0V的控制电压下工作。 相似文献
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图1 所示的电路可以降低至少超出音频波段(100Hz到20kHz)35dB的噪声和微波,该音频电路采用标准5V电源供电。对于大多数线性稳压器只能抑制大约100Hz的噪声,并且在便携机方面使用大体积的无源低通滤波器很不方便。图1整个电路的布局很小,其中包括一个SOT-23的晶体管FMMT619CT,一个紧缩型的SO-8运算放大器TLE2027CD和一些无源器件,最大电容是10UF,电阻选用0.1W。所以在便携式产品,例如蜂窝电话和多媒体笔记本电脑等方面应用很方便。本电路可以接受Vcc在4.5到6… 相似文献
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介绍微波电路中单片集成HEMT和HBT的器件结构及其电学特性,采用HEMT-HBT混合工艺的局部分子束外延技术,其器件特性与一工艺的HEMT和HBT基本相同。 相似文献
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采用偏轴直流磁控溅射原位生长YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,以H3PO4为腐蚀液,采用化学湿刻工艺制作YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜微桥,微桥长10μm,宽5μm,在8mm微波源的辐照下,除观察到整数常压台阶外,还观察到n=1/2,1/5,6/5,9/5等分数常压台阶,分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。 相似文献
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工艺因素对Ba_(6-3x)(Sm_(1-y)Nd_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)陶瓷微波特性的影响 总被引:7,自引:2,他引:7
探讨了研磨时间,黏合剂浓度、用量,压力,保压时间,预烧温度,烧结温度,烧结时间等工艺因素对Ba6-3x(Sm1-yNdy)8+2xTi18O54陶瓷(x=0.6,y=0.2,0.3)微波性能的影响,试验结果表明,在其他工艺因素控制得当时,预烧温度和烧结温度对微波性能的影响最大。在预烧温度1050℃,烧结温度1200℃下,其微波特性参数εr=76.19,Q·f=10.2THz,(f=4.5GHz)。本系统陶瓷的烧结温度比一般文献低100℃左右,性能仍不错。进一步研究可为制备低温烧结微波陶瓷提供可能。 相似文献
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将带有TiN,Mo和W阻挡层的Au金属化系统用在高频功率管上,对其EB结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用TiN作阻挡层的器件寿命比用W作阻挡层的器件提高了2.2倍,比用Mo作阻挡层的器件提高了1.3倍。SEM和TEM观察表明,用Ti/TiN/Pt/Au作金属化的产品的失效是由金属化的横向电迁徙导致的开路引起的,X射线分析结果表明Au没有穿过TiN进入Si褡底,TiN起到了良好的阻挡层效果。 相似文献
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sol-gel法制备微波介质陶瓷材料 总被引:10,自引:1,他引:9
以Zr(NO3)4·5H2O、Ti(OC4H9)4、SnCl4·5H2O为原料,用溶胶-凝胶法制备了Zr-Ti-Sn系微波介质超微粉料。实验表明:温度、湿度、溶液浓度、pH值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。采用合适的工艺参数能制备出高Q值的微波介质陶瓷微粉。 相似文献
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研究了不同热压压力、热压方式对Co-Mn-Ni-O热敏材料电性能的影响。热压烧结能够提高材料的电阻率及B值。X射线衍射分析表明,热压烧结材料有MnCo2O4、NiMn2O4和CoNiO2三相组成。从扫描电镜照片可见,热压烧结材料晶粒细小、均匀、气孔率少,是提高其电性能的主要原因。调整热压压力可以有效地控制材料的电学参数 相似文献