共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
氩离子轰击对射频溅射法制备的a—SiC:H膜退火形成6H—SiC的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
本对射频溅射法沉积的a-SiC:H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程。在较高的射频功率下沉积的a-SiC:H膜经800℃60分钟等时退火后转变为6H-SiC相,该温度低于在低功率下制备的a-SiC:H形成6H-SiC(1000℃)。高功率可导致6H-SiC形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失,同时高能量的氩离子轰击 相似文献
2.
毛友德 《微电子学与计算机》1993,10(11):47-48,F003
利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积a-C:H膜,通过测量Al/a-C:H/SiMIS结构的高频C-V曲线讨论了a-C:H/Si界面的电子特性,结果表明a-C:H/Si膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。 相似文献
3.
4.
用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co—Si化合物薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过离子束辅助淀积与真空淀积多层膜技术相结合,淀积合成Co-Si薄膜,RBS和XRD分析表明:在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Co/Si多层膜,得到的是由a-Co与非晶Si组成的薄膜,薄膜与Si(111)基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散,而用复合方法镀制的薄膜与Si基底以及各层之间都产生了混合和扩散,并已有Co2Si,CoSi相生成,750℃退火30分钟后,无轰击样品只在硅基底与薄膜界 相似文献
5.
以WSi复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,在不同氩气(载能粒子)压力条件下,800℃、17min退火前后WSi/GaAs系统的性能。包括用显微显像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化;SEM分析系统断面、AES分析膜层与GaAs衬底的界面情况;并通过肖特基二极管I-V特性的测量研究其整流特性。实验结果表明,在1.3--1.6pa氩气压力下淀积的WSi膜层与GaAs衬底所构成的系统具有 相似文献
6.
采用PECVD技术在P型硅衬底上制备了a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜,利用AES和TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为,结果表明:a-SiOxL:H/a-SiOy:H多层薄膜经退火处理形成nc-Si/SiO2多层量子点复合膜,膜层具有清晰完整的结构界面,纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构,颗粒大小随退火温度升高而增大小随退火温度升高而增大,在一定的实验条件下,样品在650℃下退火可形成尺寸大 相似文献
7.
本文通过离子束辅助淀积(IBAD)与真空淀积多层膜技术相结合,淀积合成Co-Si薄膜,RBS和XRD分析表明:在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Co/Si多层膜,得到的是由α-Co与非晶Si组成的薄膜.薄膜与Si(111)基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散,而用复合方法镀制的薄膜与Si基底以及各层之间都产生了混合和扩散,并已有CO2Si、CoSi相生成.750℃退火30分钟后,无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散,而复合方法该制的样品则形成均匀的CoSi2薄膜。 相似文献
8.
9.
本文对PECVD法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究,调查了B2H6/SiH4比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形式的影响,结果表明,在350~400℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜,再1000℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺,不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深,而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。 相似文献
10.
用新的催化CVD法在约350℃的低温条件下研制出了a-Si薄膜。本文是利用催化剂,使SiH和H2混合气体在一定温度下反应而裂解,在衬底上沉积a-Si薄膜。所制出的a-Si膜膜具有良好的光电特性,光电灵敏度超过10^6,电子自旋密度约2.5×10^6cm^-3。 相似文献
11.
本文研究了在SF6,CBrF3和CHF3与氧相混合的几种氟化气体等离子体中,SiC薄膜反应离子刻蚀(RIE)的深度。通过监测射频等离子体的光发射谱及产生等离子体的直流偏压来研究刻蚀机理,为了更精确地定量分析刻蚀工艺,使用氩光能测定技术使等离子发射强度转换为相应的等离子物质浓度。为获得选择性的SiC-Si刻蚀及SiC薄膜的各向异性图形,对等离子体条件,如气体混合物的构成,压力和功率进行了研究。首次采 相似文献
12.
13.
GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用同步辐射光电子能谱研究了CH3CSNH2钝化的GaP(100)表面和稀土金属Gd淀积到S-GaP(100)表面的界面形成,结果表明CH3CSNH2溶液对GaP(100)表面具有钝化作用,形成了Ga和P的硫化物钝化层,对钝化表面退火,P-S键逐渐消失,而仅仅留下了Ga-S键.Gd淀积到硫钝化退火的GaP表面,P的扩散被有效地阻止,而S仍保持在界面处,Gd与表面的元素态P和二聚体Ga反应,形成金属Ga向淀积的Gd金属层扩散,导致金属Ga在表面偏析. 相似文献
14.
分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
15.
16.
在a-Si:H和a-SiCx:H中共注稀土铒和氧。300℃和400℃热退火后,测得了来自发光中心Er3+内层4f电子跃迁的1.54μm光致发光。400℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加,发光强度逐渐减弱,这可能是由于碳的引入减弱了间隙氧退火时的迁移能力所致。 相似文献
17.
18.
研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响,实验事实表明,在380℃以下的退火处理a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升趋势,对a-SiN:H TFT的工作特性和可靠性有明显的改善,温度进一步升高时,介电常数减小,a-Si:HTFT的特性变坏。 相似文献
19.
《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献