开关型LED灯驱动器HV992X系列

近年来，白光LED的发光强度及发光效率有很大的提高，小功率φ5的白光LED在20mA电流时的发光强度可达6000-8000mcd，一些视角小的白光LED可达15000～18000mcd，发光效率一般为30～40lm/W，高的可达90lm/W以上。另外，还开发出大功率1-10W的白光LED。在这种条件下，给开发新型LED灯创造良好的机会，相应地开发出各种用于LED照明灯的驱动器。本文介绍Supertex公司生产的HV992X系列开关型LED照明灯驱动器IC。     

新元器件快讯(七) 白色LED驱动器

白色LED不仅用作小型彩色LCD的背光照明，并H由于它发光强度高（可达10000mcd）、寿命长，现在已逐步用于普通照明（手电筒、应急灯、小型照明灯），并且采用大功率白色LED受利用脉冲大电流供电可制成闪光灯，用于数码相机闪光灯、顿闪设备及广告闪光灯。     

交流供电的白色LED驱动器HV9921/22

白色LED最适用于作小型彩色LCD背光照明,广泛应用在手机、数码相机、游戏机、PDA等产品中,与此同时相应地开发出各种新型白色LED驱动器集成电路,这些电路大部分是由电池供电的。最近开发的高亮度白色LED功率不断增加,电流从几十毫安增加到几百毫安。因此,它不仅用作LCD背光照明     

0．5W直角白光LED

直角DomiLED高光照强度白光LED系列DSW-NSG及暖白光LED系列DSF-NSG可取代现有的DSW-USD产品。当驱动电流仅有20mA时,白光LED的发光强度为1200mcd（典型值）,暖白光LED的发光强度为1000mcd（典型值）。由于其采用硅封装和低热阻设计,因此使用寿命长。     

高亮度AIGalnP红光发光二极管

对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20mA注入电流下,LED的峰值波长为623nm,光强达到200mcd,输出光功率为2.14mW。与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高。     

高亮度AlGaInP红光发光二极管

对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为623 nm,光强达到200 mcd,输出光功率为2.14 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.     

光电与显示器件

Fairchild新型超亮表面安装LED灯飞兆半导体(FairchildSemiconductor)推出QTLP673C系列表面安装PLCC-4封装LED灯,可用于汽车内部照明,以及交通管理信号和标志等。QTLP673C系列能够维持较高的驱动电流,同时减小热阻,一般的发光强度为700~800mcd。InGaN技术则用来为真彩绿和青蓝灯产生一般为920mcd的发光强度,以及为蓝灯产生178mcd的发光强度。QTLP673C系列具有高度的固态可靠性和较长的寿命周期,是汽车和交通照明设备中使用的白炽灯以外的理想选择,QTLP673C系列产品具有清晰的光学特性、防潮封装及120°视角,可生成明亮而持久…     

新型超高亮LED的特性与应用

<正> 与早期的LED发光二极管相比较,新型超高亮LED最显著的特点是亮度提高了近百倍。早期LED的发光强度仅十几～几+mcd,而新型超高亮LED的发光强度最低也可达到1500mcd。另一个明显的区别是发光管颜色的产生机理不同。早期LED是通过着色封装材料来得到某一种颜色的光,也就是说封装材料起着滤色片的作用。而新型超亮LED外壳都是无色透明树脂封装,其发光体本身就能发出某一波长的光,从     

大功率LED的散热设计

近年来,大功率LED发展较快,在结构和性能上都有较大的改进,产量上升、价格下降;还开发出单颗功率为100W的超大功率白光LED.与前几年相比较,在发光效率上有长足的进步.     

Fairchild新型超亮表面安装LED灯

飞兆半导体(FairchildSemiconductor)推出QTLP673C系列表面安装PLCC-4封装LED灯,可用于汽车内部照明,以及交通管理信号和标志等。QTLP673C系列能够维持较高的驱动电流,同时减小热阻,一般的发光强度为700~800mcd。InGaN技术则用来为真彩绿和青蓝灯产生一般为920mcd的发光强度,以及为蓝灯产生178mcd的发光强度。QTLP673C系列具有高度的固态可靠性和较长的寿命周期,是汽车和交通照明设备中使用的白炽灯以外的理想选择,QTLP673C系列产品具有清晰的光学特性、防潮封装及120°视角,可生成明亮而持久的光源,且视觉散射范围广。QTLP6…     

两种美制LED

东芝美国电子元件公司制造的 TLYA 190P 琥珀色 LED,采用 InGaAIP 技术,在4°观看角范围发光强度达到6000 mcd,透镜直径10 mm,峰值波长590 nm。基片上方的反射器用以防止光吸收。各种不同的透镜直径、发光强度和视角可组成多种多样的 LED。     

Vishay推出采用小尺寸0402 ChipLED封装的多色彩新型超亮LED

Vishay Intertechnology,Inc.光电子产品部发布新VLMx1500-GS08系列采用小型表面贴装0402 ChipLED封装的大红、浅橙、黄、嫩绿、蓝色和白色的超亮LED。VLMx1500-GS08系列器件的尺寸为1.0×0.5 mm,高0.35 mm,180mcd的发光强度实现了超群亮度。VLMx1500-GS08系列中的蓝色和白色LED使用高效InGaN技术,大红、浅橙、黄色和嫩绿色器件使用最先进的AllnGaP     

宽反射角DBR红光发光二极管

对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为630 nm,轴向光强达到137 mcd,输出光功率为2.32 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.     

Vishy推出采用超亮InGan技术的新款LED

日前,Vishay宣布,推出一款新型白光、无散射的3mmLED—VLHW4100。该LED针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术,在20mA电流下的发光强度为4500mcd至11250mcd。     

灯和指示器

当电流为20mA时,FX5366X系列LED的亮度最高可达2500mcd。该A1GaInP器件有635nm(最大亮度为1800mcd)、609nm(最大亮度为2500mcd)和     

高亮度白光LED

最近，日本丰田合成公司用蓝光LED和黄光荧光粉组合得到白光。他们在蓝光LED外延层结构上做了改进而得到高效发光。在20mA电流下发光强度为1300mcd，其亮度是现在手机背光LED(600mcd)的2倍以上，另外还采用了耐热树脂，使寿命是现在LED的1．5倍。     

白色LED与照明系统

1 前 言白色发光二极管(LED)作为下一代节能照明光源已崭露头角。利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(InGaN,AlGaInP)开发了电光转换效率非常高的LED,从而使具有极高发光强度的固体光源实用化,发光效率在10年中约提     

安捷伦为户外标志和信号应用推5mm椭圆形AlInGaP LED

这一系列的AlInGaP(磷化铝铟镓)LED可在高达70mA的电流下工作,实现更高的光输出,新型中等功率红色(波长为630nm)和琥珀色(波长为590nm)LED采用椭圆形发光模式的5mm(T-13/4)半圆形双孔直插封装技术。其红色和琥珀色LED在70mA的正向电流下分别可实现3309mcd和2521mcd的典型发光度。如果以相同数量的LED来设计标志,则可大幅提升亮度,改善易读性和对比效果。其引线间距和封装都与传统的高亮度5m m椭圆形LED相兼容,因此在升级时不需要做任何机械的改变。椭圆形发光模式的LED与标准的LED产品相比,不但扩大了视角,而且增强了亮度,这使…     

全色LED照明器

三洋电子公司制成直径5mm 的全色 LED 照明器,发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光。这种全色 LED 照明器有亮度为3mcd(正向电流5mA)的磷化镓红色芯片,亮度为8mcd(15mA)的磷化镓绿色芯片和总亮度为1.3mcd(2片40mA)的2片碳化硅蓝色芯片,它们安装在网孔系统中。一红色芯片和一绿色芯片连接于接头的上部,两个蓝色芯片连接于接头的     

Vishay推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装技术的白光功率SMD LED

口前,Vishay Intertechnology,Inc．推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMD LED——VLMW63．．系列和VLMW64..系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石InGaN／TAG技术、2240mcd至5600mcd的高光功率。