不同分散剂对SiC晶须分散作用的探讨

利用离心沉降分光光度法对SiC晶须在4种不同分散剂中的分散行为进行了研究,探讨了不同分散剂的分散效果,并对其分散机理进行了分析.结果表明,分散剂的分散能力顺序为焦磷酸钠＞六偏磷酸钠＞吐温80＞聚乙二醇;不同类型分散剂混合使用的分散效果要比使用1种分散剂的好.     

SiC晶须增韧陶瓷基复合材料及其分散研究

阐述了SiC晶须增韧陶瓷基复合材料的进展，指出晶须增韧过程中遇到的难题；综述了近年来对SiC晶须分散摘要并认为化学键合理论在SiC晶须的分散中是主性的研究及其效果，主要介绍了硅烷偶联剂的化学键合理论和物理作用理论，要的。     

BP－SiC晶须的特性及显微结构研究

本文对稻壳合成的ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）中试产品进行了分析，结果表明：三种ＢＰ－ＳｉＣｗ的形貌及结构各具特点，ＢＰ－１ＳｉＣｗ表面粗糙，呈多节状；ＢＰ－３ＳｉＣｗ表面光滑平整，为完整β－Ｓｉｃ单晶；ＢＰ－ＳｉＣｗ介于两者之间，并含有一定量的弯晶。ＢＰ－ＳｉＣｗ的质量达到了美国、日本同类产品的水平。     

SiC 晶须的显微结构

用分析电镜研究 SiC 晶须的显微结构,按结构特征 SiC 晶须分为一维无序结构和呈竹节状两类。SiC 晶须具有分叉现象,一种是在一个主干上长出几个分支,另一种由一段双晶和分叉成两支晶须两部分组成。SiC 晶须双晶互为{221}孪晶关系,挛晶界面平行于基体的(001)_M;研究了 SiC 晶须的热稳定性,发现α—SiC 的热稳定性更好些。     

SiC微细颗粒分散特性的研究

采用沉降法,以水、聚乙二醇为介质,对SiC微细颗粒的自然分散行为及分散剂、溶液pH值对其分散行为的影响进行了研究。结果表明:颗粒在不同介质中的自然分散行为有着明显差异;分散剂对分散介质具有选择性,不同分散剂的分散效果不同;分散剂用量及溶液pH值对颗粒的分散也有显著的影响。     

稻草制备SiC晶须

以废弃的稻草为原料,在1300～1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须。研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理。结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好;SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h;碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须。晶须以竹节状居多,晶须直径为10～200nm之间,长径比>10。用Fe粉和H3BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小。反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径。     

VLS机制生长SiC晶须研究

采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须.运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响.     

SiC晶须形貌质量检测标准

本文首次提出碳化硅晶须的形貌质量检测标准，该标准包括晶须的长度、直径、长径比、以及晶须的表面光洁率、晶须直晶率、晶须中颗粒物含量几个方面的检测，并已在１９９３年２月，被国家“８６３”高技术结构材料专家组认定，做为我国ＳｉＣ晶须产品形貌质量的检测标准。     

SiC晶须增强铝复合材料EI

本文综述了近年来SiC_W/Al复合材料的发展状况,主要讨论了其制造方法、力学行为、强化模型及界面问题,并对其今后的发展作出初步设想。     

稻壳合成β－SiC晶须及生长机理研究

稻壳是生产ＳｉＣ晶须的一个重要资源，研究表明，稻壳内部结构中的ＳｉＯ２与Ｃ是生成ＳｉＣ颗粒的主要因素，外源ＳｉＯ２的加入能提高ＳｉＣ晶须的产率，ＳｉＣ晶须的含量可达３０％左右，杂质含量影响ＳｉＣ晶须的形貌与结构，并从理论上探讨了ＳｉＣ颗粒及β－ＳｉＣ晶须的生长机理。     

用高岭土低温制备莫来石晶须

用高岭土和硫酸铝为原料,硫酸钠为反应介质,研究了在不同温度和不同反应时间对试样产物的影响。结果表明:莫来石晶须生长的最佳温度为900℃,在1000℃开始有氧化铝生成,在1200℃主要物相为氧化铝和硅铝酸钠;在900℃条件下保温2h,制备了直径在0.5μm左右,最大长度大于7μm的莫来石晶须。     

SiC晶须增韧陶瓷基复合材料的研究进展

介绍了SiC晶须增韧陶瓷基复合材料的烧结合成方法，将各动力学因素（晶须含量、混合工艺和烧结温度）对热压烧结法制备SiC晶须增韧陶瓷基复合材料的影响进行了详细阐述，叙述并讨论了SiC晶须增韧的不同机理，并展望了该领域的研究方向。     

SiCw生长的速率控制步骤的研究

以稻壳为原料是合成ＳｉＣｗ的一个重要方法，本文对ＶＬＳ机理下ＳｉＣｗ的生长速率控制步骤进行了研究，并以此研制了亲的复合催化剂，提高了生成速率，结果表明，稻壳原料中心ＳｉＯ２与Ｃ在高温下生成ＳｉＯ的反应不仅是生成ＳｉＣｐ也是生成ＳｉＣｗ的生长速率控制步骤。     

SiC颗粒和Y—TZP强化增韧莫来石陶瓷

用碳化硅颗粒 SiC(p)、Y-TZP 作为补强剂,单一强化增韧莫来石陶瓷,其复合材料的力学性能获得一定程度的改善。在此基础上用 SiC(p)和 Y-TZP 共同强化增韧莫来石陶瓷,制备的 SiC(p)/Y-TZP/莫来石(M)复合材料室温强度达500MPa,韧性达6.1MPa·m~(1/2),室温至1000℃范围内,强度随温度升高下降很小。同时材料的抗热震性能得到显著改善。用 SEM 和 TEM 分析材料断口等显微结构,确定 SiC(p)/M复合材料中裂纹偏转和分支对强化增韧起主要作用;Y-TZP/M 复合材料中微裂纹增韧起重要作用。     

含氢硅油制备SiC晶须的研究

以高含氢硅油为原料,在石墨基体上生长出SiC晶须。主要研究石墨基体的表面状态和加热温度对SiC晶须生长的影响,探究SiC晶须形成过程。影响SiC晶须形核和生长的主要因素为热处理温度,随着热处理温度的升高,SiC晶须的结晶产量也相应增高。石墨基体的表面状态对SiC晶须的形成也有一定的影响,随着石墨基体缺陷提供形核点的增多,SiC晶须的结晶产量提高,并且出现相互搭接的现象。SiC晶须的形成过程分为形核和生长两个部分,低温形核,高温生长,遵循VLS(气-液-固)生长机理。     

SiC晶须增韧Al_2O_3陶瓷组成优化及其断裂行为的研究

对ＳｉＣ晶须增韧Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷刀具材料的晶须配比进行了理论分析，提出了最佳晶须配比的原则，导出了晶须含量与界面最大剪应力对基体最大正应力比值的关系。采用ＳＥＭ和有限元法分析了该材料的断裂模式。结果表明晶须含量为２０～３０Ｖｏｌ％时增韧效果最佳，在此配比范围内的ＳｉＣ晶须增韧Ａｌ２Ｏ３陶瓷材料的断裂过程为：晶须和基体界面拉伸开裂→晶须基体界面剪切分离→晶须或基体断裂。     

SiC晶须制备工艺的研究

实验以高含氢硅油(H-PSO)为原料, 在石墨材料表面制备SiC晶须, 利用“正交试验法”以结晶率为指标, 研究热处理温度(T)、保温时间(t)、保护性气氛流量(f)和基体孔隙率(P)这四个因素对SiC晶须生成的影响。通过扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱及X射线衍射等测试手段, 分析了SiC晶须形貌及结构特点。实验结果表明, 热处理温度是影响SiC晶须生成最重要的因素, 其影响程度远远大于其他参数, 其次是气流量、孔隙率和保温时间。安全流量范围内, 较高的气流量使SiC晶须生成反应充分进行; 较小的孔隙率有利于SiC晶核的长大; 高的热处理温度及长的保温时间能促进SiC晶须的继续生长。SiC晶须是以SiC晶相为核, 以硅的氧化物为壳的核壳结构。     

SiC晶须特性对复合材料力学性能的影响EI

鉴于Ｓｉｃ晶须特性和Ｓｉｃ晶须增强复合材料制作工艺对加工后复合材料的强度和韧性具有相当的影响，本文根据国内外有关Ｓｉｃ晶须增强陶瓷基和铝基复合材料的理论和实验数据，以国产ＢＰ－ＳｉＣ晶须及国外的几种晶须为例，对晶须的长径比、直径、直晶和弯晶、晶型、表面物理形貌和化学性质以及颗料含量与复合材料力学性能的关系进行了分析和评述。