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相似文献
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1.
一种高性能CMOS采样/保持电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
罗阳  杨华中 《微电子学》2005,35(6):658-661
介绍了一种高性能CMOS采样/保持电路.该电路在3 V电源电压下,60 MHz采样频率时,输入直到奈奎斯特频率仍能够达到90 dB的最大信号谐波比(SFDR)和80 dB的信噪比(SNR).电路采用全差分结构、底板采样、开关栅电压自举(bootstrap)和高性能的增益自举运算放大器.采用0.18 μm CMOS工艺库,对电路进行了Hspice仿真验证.结果表明,整个电路消耗静态电流5.8 mA.  相似文献   

2.
王照钢  陈诚  任俊彦  许俊 《微电子学》2004,34(3):306-309
介绍了一个低电压高精度的高速采样/保持电路。该电路的电源电压为1.8V,在125MHz频率时钟采样时,可达到10位以上的精度;采用栅源电压恒定的栅压自举开关,极大地减小了采样的非线性失真,同时,有效地抑制了输入信号的直流偏移;高性能增益自举的折叠式级联运算放大器减小了有限增益和不完全建立带来的误差。整个电路以0.18μm CMOS工艺库验证,功耗仅为11.2mW。  相似文献   

3.
一种100 MHz采样频率CMOS采样/保持电路   总被引:5,自引:2,他引:3  
谭珺  唐长文  闵昊 《微电子学》2006,36(1):90-93
设计了一种高速采样保持电路。该电路采用套筒级联增益自举运算放大器,可在达到高增益高带宽的同时最大程度地减小功耗;优化了采样开关,获得了良好的线性度,减少了输出误差;电路的采样频率达到100 MHz。采用Charter半导体公司的0.35μm标准CMOS工艺库,对整体电路和分块电路进行了性能分析和仿真。  相似文献   

4.
一种高速高精度采样/保持电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨斌  殷秀梅  杨华中 《半导体学报》2007,28(10):1642-1646
介绍了一种用于12bit,100MS/s流水线模数转换器前端的采样/保持电路的设计.该电路在3V电源电压100MHz采样频率时,输入直到奈奎斯特频率仍能够达到108dB的无杂散动态范围(SFDR)和77dB的信躁比(SNR).论文建立了考虑开关之后的采样保持电路的分析模型,并详细研究了电路中开关组合对电路性能的影响,同时发现了传统的栅源自举开关(bootstrapped switch)中存在的漏电现象并对其进行了改进,极大地减小了漏电并提高了电路的线性性能.  相似文献   

5.
杨斌  殷秀梅  杨华中 《半导体学报》2007,28(10):1642-1646
介绍了一种用于12bit,100MS/s流水线模数转换器前端的采样/保持电路的设计.该电路在3V电源电压100MHz采样频率时,输入直到奈奎斯特频率仍能够达到108dB的无杂散动态范围(SFDR)和77dB的信躁比(SNR).论文建立了考虑开关之后的采样保持电路的分析模型,并详细研究了电路中开关组合对电路性能的影响,同时发现了传统的栅源自举开关(bootstrapped switch)中存在的漏电现象并对其进行了改进,极大地减小了漏电并提高了电路的线性性能.  相似文献   

6.
新型CMOS采样/保持电路的设计研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
讨论了目前各种先进的采样/保持电路结构,基于底极板(BottomPlate)采样技术和引导开关技术,设计了一种新型的全差分开关电容双采样保持放大器,有效地消除了电荷注入和时钟馈通效应,并保证了较高的单位增益频率、采样速率和信号建立时间。电路设计基于TSMC 0.35μm CMOS工艺Bsim3模型,并采用Hspice工具对设计进行了仿真验证。  相似文献   

7.
给出了一种适合于高速模数转换器(ADCs)的高性能采样/保持电路的设计方法,该电路采用全差分结构、底板采样和高性能增益自举运算放大器来抑制电荷注入误差和时钟馈通误差,从而极大的减小了非线性误差,保证了较高的精度.  相似文献   

8.
文章对影响采样/保持电路精度的电荷注入效应和时钟馈通效应进行了分析,提出了一种全差分CMOS采样/保持电路的设计方案,有效地消除了电荷注入效应误差和时钟馈通误差,极大地减小了其非线性误差,并保证了较高的精度。设计的电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺提供的PDK,在Cadence SpectreS环境下进行仿真验证。测试结果表明,电路信噪比达-81 dB,积分非线性为±0.25 LSB。该电路已运用到一种高速高精度A/D转换器中,性能良好。  相似文献   

9.
AD781是Analog Devices公司生产的快速采样保持放大器,它具有采样时间短、下降速度慢、保持误差小、功耗低、功能齐备、体积小等优点,十分适用于高速AD转换器的前端电路。本文介绍了采样保持放大器AD781的性能参数及应用电路。  相似文献   

10.
一种用于流水线A/D转换器的低功耗采样/保持电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈曦  何乐年 《微电子学》2005,35(5):545-548
文章介绍了一种适用于10位20MS/s流水线A/D转换器的采样/保持(S/H)电路。该电路为开关电容结构,以0.6μm DPDM CMOS工艺实现。采用差分信号输入结构,降低对共模噪声的敏感度,共模反馈电路的设计稳定了共模输出,以达到高精度。该S/H电路采用低功耗运算跨导放大器(OTA),在5V电源电压下,功耗仅为5mW。基于该S/H电路的流水线A/D转换器在20MHz采样率下,信噪比(SNR)为58dB,功耗为49mW。  相似文献   

11.
A newly designed sample-and-hold(S/H) integrated circuit based on the 1.5 micron N-well CMOS technology for 8-bit high-speed analog to digital converter is described. It can realize the 40-MHz sampling rate and 8-bit resolution. The good performance of S/H circuit benefits from the use of a newly designed regulated cascode operator amplifier, which has a DC gain of 140-dB, unity-gain bandwidth of 407-MHz, phase margin of 53 degree and power consumption of 90mW. It is superior to the operator amplifier of 60-dB, 107-MHz, 13 degree, and 33mW respectively, which is used in the similar S/H circuit based on the 0. 8 micron technology and designed by Michio Yotsuyanagi.  相似文献   

12.
兀革  石寅 《半导体学报》2000,21(9):843-848
The sample-and-hold (S/ H) circuit is a key module for many applications[1 ] totransform a continuous time signal into discrete one. In analog to digital (A/ D)converters,the front-end of the S/ H amplifier must be of both high speed...  相似文献   

13.
用于10位100 MS/s流水线A/D转换器的采样保持电路   总被引:2,自引:0,他引:2  
设计了一个用于10位100 MHz采样频率的流水线A/D转换器的采样保持电路。选取了电容翻转结构;设计了全差分套筒式增益自举放大器,可以在不到5 ns内稳定在最终值的0.01%内;改进了栅压自举开关,减少了与输入信号相关的非线性失真,提高了线性度。采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,2.5 V电源电压,对电路进行了仿真和性能验证,并给出仿真结果。所设计的采样保持电路满足100 MHz采样频率10位A/D转换器的性能要求。  相似文献   

14.
陈达  于奇  吴霜毅  宁宁  伍翠萍  王浩娟 《微电子学》2007,37(6):848-851,856
提出了一种基于时间交织原理的双采样/保持电路;分析了其相比于传统单采样技术实现高速度、高精度,同时降低功耗的优点。设计的栅压自举开关有效提高了采样的线性度。另外,为满足双采样技术的特殊应用,设计了带双边型开关电容共模反馈的全差分运放。采用SMIC0.18μmCMOS工艺仿真设计的双采样/保持电路可实现12位采样精度、100 MSPS采样速率、92.34 dB线性度和29 mW功耗的高性能。  相似文献   

15.
This paper describes the design of a high-speed CMOSTrack/Hold circuit in front of an ADC. The Track/Hold circuit employsdifferential open-loop architecture, very linear source follower inputbuffers, NMOS sampling switches and bootstrap sampling-switch drivercircuits for high-speed operation with 3.3 V supply voltage. SPICEsimulations with MOSIS 0.35 m CMOS BSIM3v3 parameters showed thatit achieves a signal-to-(noise+distortion)-ratio (SNDR) of morethan 50 dB for up to 100 MHz sinusoidal input at 200 MS/s with 40 mWpower consumption.  相似文献   

16.
分析了Flip-around结构采样保持电路产生失真的原因。采用增加哑开关管的自举开关,消除与输入有关的电荷注入和时钟馈通;采用增益增强技术,提高运算放大器的直流增益,并通过调整辅助运放的负载电容大小,实现主运放建立时间特性的优化。设计了一个Flip-around结构的高速采样保持电路;对电路各模块进行了功能仿真,给出了整个采样保持电路的仿真结果。  相似文献   

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