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李淑芳 《固体电子学研究与进展》1990,(4)
<正>据《Semiconductor International》1990年第6期报道,IBM公司T.J.Watson研究中心的B.Meyerson采用超高真空CVD技术(UHV/CVD)生长掺硼SiGe基区制出了75GHzHBT.而IBM的同质结Si晶体管的最高频率是52GHz.因此,这一HBT达到了用Si技术制造器件的最高频率.器件结构如附图所示.HBT的SiGe基极生长前在基片上制作集电极,基 相似文献
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报道了具有最高单位电流增益截止频率(fT)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作,器件的fT值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(Rbi)17kΩ/□,发射极宽0.9um,该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍,45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。 相似文献
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在Si/SiGe/SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系,成功地制备了fT为2.5CHz、fmax为2.3GHz的射频Si/SiGe/SiHBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 相似文献
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英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益高至19dB。英飞凌的RF晶体管的典型过渡频率为42GHz,1.8GHz下的噪声系数0.5dB,6GHz下0.75dB。这些器件1.8GHz下的最大稳定功率增益Gms为28dB,6GHz下最大可用功率增益Gma典型值为19dB,它们可用于宽RF频段和无线用途,如无线局域网(WLAN)。该公司的HBT芯片还具有金金属化的特点。英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管@陈裕权… 相似文献
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《电子科技文摘》1999,(5)
Y98-61303-789 9905776固体器件:先进的双极器件和 MOS 器件(含7篇文章)=Session 32:solid state devices-advanced bipolar andMOS devices[会,英]//1997 IEEE International Elec-tron Devices Meeting.—789~818(G)本部分7篇文章的主要内容是有关基于 SiGe 的器件和新的 MOS 工艺的现代技术水平。具体论述了130GHz f_T SiGe 异质结双极晶体管(HBT)工艺,采用具有9.3ps ECL 相延滞的 SMI 电极的选择外延 SiGe-HBT,无线频率 SiGe HBT 的大信号特性,碳结合对SiGe HBT 性能和工艺极限的影响,采用低成本 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1991,(3)
<正>据日本《电子材料》1990年第6期报道,美国IBM公司已研制成最高工作频率为75GHz硅和锗合金的双极晶体管,其速度比通常硅双极晶体管快两倍.异质结双极晶体管(HBT)采用IBM公司发明SiGe合金的 UHV(Ultra-High-Vacuum)CVD法中沉积工艺来制作.该工艺比现在的生长工艺温度低.据IBM公司报道,SiGe HBT的功能早在1987年已确定.1989年SiGe晶体管的工作频率为40GHz. 相似文献
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基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于再生长n GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm。此外,采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅。由于器件尺寸的缩小,在Vgs= 1 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm,峰值跨导达到462 mS/mm。根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz,该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值。 相似文献
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正DOTSEVEN是一个欧盟财团非常雄心勃勃的3.5年研发项目,预算经费1.2亿元,目标是截止频率(FMAX)高达700 GHz的硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)技术的开发。特别值得注意的是,它展示了能在CMOS工艺上的制造和集成,以及展示了700GHz的SiGe HBT技术在0.1至1THz(太赫兹)范围内的基准电路和系统应用的功能和优点。 相似文献
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报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz... 相似文献