高分辨电子显微像结合1000keV电子衍射测定"Pb"-1223的无公度调制结构

（Ｐｂ０．５Ｓｒ０．３Ｃｕ０．２）Ｓｒ２（Ｃａ０．６Ｓｒ０．４）２Ｃｕ３Ｏｙ（简称“Ｐｂ”－１２２３）是一维无公度调制结构［１］，超空间群是Ｐｍｍｍ（ν０１／２）［２］。其基本结构的晶胞参数ａ＝ｂ＝０．３８２ｎｍ，ｃ＝１．５３ｎｍ，调制波矢为：ｑ＝０...     

染料激光泵浦Nd:GdCOB实现基频光和自倍频光运转

ＮｄＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体。ＢｄＣＯＢ属单斜双轴晶,空间群为Ｃｍ,晶胞参数为ａ＝０．８０９５ｎｍ,ｂ＝１．６０１８ｎｍ,ｃ＝０．３５５８ｎｍ,β＝１０１．２６°。吸收光谱呈强烈偏振特性,Ｅ∥ｘ具有最强的吸收...     

铁电钛酸铋超微粉及陶瓷的研究

采用类溶胶－凝胶方法制备了铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超微粉，分别用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、激光散射粒度仪和差热分析仪对其结构、形貌、粒度和相变特性进行了测试分析。结果表明，超微粉形成了正交晶系Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构，晶粒尺寸为１０～５０ｎｍ。由微粉制备了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２陶瓷，其介电常数和损耗角正切分别为ε＝１０５．６和ｔｇδ＝０．０５２（１００Ｈｚ）及ε＝９７．２和ｔｇδ＝０．０００３６（４ＭＨｚ），铁电参数矫顽电场Ｅｃ为２．９１×１０６Ｖ／ｍ，剩余极化强度Ｐｒ为７×１０－３Ｃ／ｍ２。     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

Ti_(80－x)Nd_xSi_(20)纳米复合材料的显微结构特征

Ｔｉ８０－ｘＮｄｘＳｉ２０纳米复合材料的显微结构特征李斗星平德海叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）化学成分为Ｔｉ８０－ｘＮｄｘＳｉ２０（ｘ＝０，０．０５，０．１，０．２，０．４，０．８）合金，用锤砧快冷法制成Ｔｉ...     

纳米硅／非晶硅多层膜室温可见光致发光研究

本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）／氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）多层膜中，未经任何后处理工艺，观察到室温可见光致发光（ＰＬ）．当ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ层厚度由４．０ｎｍ下降至２．１ｎｍ时，ＰＬ峰波长由７５０ｎｍ兰移至７０８ｎｍ．本文将这种对量大于Ｓｉ单晶能隙的光发射归因于多层膜中ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ子层的量子尺寸效应．     

含间苯连接的聚醚醚酮酮的结晶结构及计算机模拟

用透射电子显微镜和计算机模拟手段研究了含间苯连接的聚醚醚酮酮（ＰＥＥＫｍＫ）聚合物的结晶结构，结果表明，ＰＥＥＫｍＫ单胞是由两个具有镜像关系的分子链组成，分子链为平面锯齿构像，平均锯齿角和二面角分别为１２６°和３０．２°。由电子衍射结果计算出单胞参数为：ａ＝０．７９３ｎｍ，ｂ＝０．５９０ｎｍ，ｃ＝０．９７９ｎｍ。     

Ti：Al_2O_3晶体荧光浓度猝灭及其能量转移机理

根据Ｄｅｘｔｅｒ敏化发光理论建立Ｔｉ３＋－Ｔｉ３＋离子间能量共振转移模型，计算出Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３晶体发生浓度猝灭的Ｔｉ３＋离子临界距离Ｒｃ及晶体掺杂的临界浓度Ｎｃ与实测光谱数据进行比较，认为浓度达到Ｎ＝１．２８×１０２０ｃｍ－３（或０．３８ｗｔ％），相应峰值吸收系数为α４９０＝６．０ｃｍ－１时，仍未发生明显的浓度猝灭现象。     

Cu-Al-Ni合金的马氏体和界面

从１１７３Ｋ淬火的Ｃｕ－１１．２Ａｌ－２．９Ｎｉ合金试样中共存有两类马氏体，一种为Ｍ２Ｈ结构、点阵常数为：ａ＝０．４４６ｎｍ、ｂ＝０．５４０ｎｍ、ｃ＝０．４２４ｎｍ，β＝９２°，由微孪晶组成，另一种为Ｎ９Ｒ结构、含有高密度的层错。研究表明：一片层错型Ｎ９Ｒ马氏体实际上是由许多小的、具有Ｎ９Ｒ或ＦＣＣ或２Ｈ结构的极薄片堆垛起来的混合物。而且９Ｒ型和２Ｈ型两类马氏体在结构上有十分密切的内在联系。本文用电子显微镜等技术研究了这两类马氏体的细结构以及有关界面的特征、稳定性和电子束辐照的影响     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

Ti3Al-Nb合金不同组织状态下的室温拉伸变形机制

在扫描电镜和Ｈ－８００透射电子显微镜上，研究了Ｔｉ３Ａｌ－Ｎｂ（Ｔｉ－２４Ａｌ－１４Ｎｂ－３Ｖ－０．５Ｍｏ）（ａｔ．％）合金不同组织状态下的室温拉伸变形机制。利用双倾技术和双束条件下ｇ．ｂ＝０不可见判据，分析了合金中具有Ｄ０１９结构的α２相和ｂｃｃ结构的Ｂ２相在拉伸变形后的位错类型和滑移系。结果表明，初生α２相体积分数高时，α２相内部出现致密且平行的滑移带，ａ型位错在基面｛０００１｝上形成大量亚晶界和六角位错网络，使初生α２晶粒产生形变，并且协调了晶界的变形。另外，还有ａ型刃位错及少量ｃ型位错在柱面｛１０１０｝上滑移，初生α２相体积分数低时，基体Ｂ２相上形成宽而长的滑移带，ａ／２〈１１１〉刃型位错在｛１１０｝面上滑移是Ｂ２相的主要变形模式。     

表面加工性能对低合金Mo丝的耐疲劳强度的影响

本文研究了ｄ＝１．０，５及０．２ｍｍ的技术纯度Ｍｏ（０．０２５Ｃ－０．００５Ｎ－０．１６Ｔｉ）丝和ｄ＝０．３ｍｍ的Ｍｏ－０．１Ｈｆｃ－０．１ＨｆＮ合金丝经过各种加工（拉伸，金刚砂加工处理，电抛光）后，其表面微缺陷的相对尺寸Ｒ／ｄ的变化对疲劳性能的影响，Ｒ／ｄ值从０．０６减小到０．００１导致疲劳持续时间增加了一个数量级，并且观察到性能的最大变化是在Ｒ／ｄ＝０．００２～０．００４，而Ｒ／ｄ值的继续减小     

中温热补偿MLC陶瓷

本文研究了ＢａＯ－ＴｉＯ２－Ｎｄ２Ｏ３（ＢＴＮ）系陶瓷的结构和介电性质。在该系统中加入适量的玻璃和添加剂，获得了一系列中温热补偿独石电容器（ＭＬＣ）陶瓷，实验结果证实：当Ｔｉ／Ｂａ＝１．００３时，ＢＴＮ系陶瓷的居里温度（Ｔｃ）随Ｎｄ２Ｏ３含量的增大而产生逐步漂移。用ＸＲＤ确定了陶瓷的主晶相，ＳＥＭ照片显示出晶粒尺寸对Ｎｄ＾３＋含量的依赖关系，分析了Ｔｉ／Ｂａ比对陶瓷介电系数温度系数（ａｅ）的影响。     

InxGa1—xAs／AlyGa1—yAs多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在浓氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／     

复合晶体Sr＿（10）Nd＿4Cu＿（24）O＿（41）调制结构的选区电子衍射和会聚束电子衍射研究

Ｓｒ＿（１０）Ｎｄ＿４Ｃｕ＿（２４）Ｏ＿（４１）选区电子衍射和会聚束电子衍射研究表明，它的整体结构由两个沿ｃ方向相互穿插的基本结构Ⅰ和Ⅱ构成。两个基本结构Ⅰ和Ⅱ的空间群和晶胞参数分别为Ｇ＿１＝Ｆｍｍｍ，ａ＿１＝１１．３８，ｂ＿１＝１２．９０，ｃ＿１＝３．９１和Ｇ＿２＝Ａｍｍｍ，ａ＿２＝１／２ａ＿１＝５．６９，ｂ＿２＝１２．９６，ｃ＿２＝２．７４。利用超空间群理论，描述调制的整体结构和调制的亚结构对称性的空间群由会聚束电子衍射测定的基本结构的对称性推导获得。它们为，（γ＿０＝ｃ＿１／ｃ＿２），调制波矢。     

In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究

用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

GaInP材料生长及其性质研究

用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高、Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源．１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关．     

低损耗玻璃光波导的溶胶-凝胶法制备

采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－ｇｅｌ）技术制备了ＳｉＯ２－ＴｉＯ２低损耗平面光波导,在６３３ｎｍ处的传输损耗为０．５７ｄＢ／ｃｍ。同时在硅基板上制备了脊型Ｙ形波导分束器,分束比为１１。     

Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，界面表现出金属性．我们认为这是铁磁交换积分导致３ｄ能带分裂的结果．另外，从Ｍｎ３ｓ芯能级的多重分裂来看，至少从θ＞０．４ｎｍ开始，Ｍｎ的原子局域磁矩大小就不再变化．