GaAlAs/GaAs外延层多层膜X射线干涉条纹的研究

作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在实验样品具有一定曲率半径(在本实验条件下10—30米)的情况下,用X射线双晶形貌法摄取了这种干涉条纹相,并对弯曲外延片的成相几何进行了分析;通过测量貌相图上干涉条纹的振荡周期,计算出了外延片的曲率半径.     

在微重力下生长的GaAs：Si单晶结构缺陷的X射线研究

本文对空间生长ＧａＡＳ：Ｓｉ单晶，沿着生长方向用Ｘ射线形貌和双晶衍射方法进行了研究，Ｘ射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区．双晶衍射表明，在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高．     

双晶位向测定的新方法

双晶的轴／角对是重合位置点阵的特征参数，双晶间两对平行方向的测定是获得轴／角对的基础，本文介绍了利用系统倾转技术测定特征参数的方法，其避免了菊池极法的局限性。     

Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释这种温度的影响.进一步解释了GaN外延层表面形貌中"凹坑"的形成及"凹坑"与缓冲层生长温度的关系.结果表明,温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.     

AlGaSb三元化合物的液相外延生长及其参数测量

在 GaSb 衬底上用过冷却技术在550℃的饱和温度下生长了晶格匹配的AlGaSb 外延层。用金相显微镜测量了外延层的厚度并观察了形貌。用 X 射线双晶衍射和低温光致发光技术分别测量了材料的晶格常数和禁带宽度,并因此确定了外延层的组分。     

Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）技术和扫描电子显微镜（SEM）分析这些样品，比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响，并提出利用动力学模型解释这种温度的影响．进一步解释了GaN外延层表面形貌中“凹坑”的形成及“凹坑”与缓冲层生长温度的关系．结果表明，温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌．     

大直径HgCdTe晶体的结构缺陷分析

用加压-改进Bridgman法生长的大直径HgCdTe(φ=40mm)晶体,通过X射线形貌技术分析表明,晶体结构包含有大量的亚晶粒,同时在晶片中观察到夹杂、位错、应力区等结构缺陷.结合X射线双晶衍射回摆曲线分析表明,亚晶粒和测试晶面间的取向差约为40\     

用于红外探测的短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长

用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格,探索了最佳的生长厚度,优化了各种生长参数,并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明,生长的超晶格材料可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌和外延层质量.     

MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为1.33×104和0.66×104Pa的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.     

MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了高Al组分的AlGaN薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为1.33×104和0.66×104Pa的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.     

Si基复合衬底碲镉汞液相外延技术的研究

文章报道了采用Si基复合衬底,利用液相外延方法成功进行中波碲镉汞薄膜生长的情况,并且采用X光双晶衍射、X光形貌、红外付立叶光谱仪等手段对碲镉汞薄膜进行了表征。Si基复合衬底碲镉汞外延膜晶体结构为单晶,并且它的双晶衍射半峰值接近国外同类产品的先进水平。     

采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌

使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.     

采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌

使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.     

用激光测量PECVD膜层应力

一、前言红外探测器采用等离子体增强化学汽相淀积(简称(PECVD)法制造钝化膜。在沉积过程中,由于淀积膜组分的差异、热应力的影响、膜层同基体的匹配差别,以及膨胀系数的不同等因素,会给膜层引入一定的应力。这种应力在某种程度上会引起位错的增生或运动,致使膜层产生形变,严重时甚至会导致膜层开裂。近年来,国内外文献中有关膜层应力测定的报告大致有四种主要方法:文献[1]的作者报告了以激光为光源的光学测量方法;文献[2]的作者提出了X光双晶衍射法;文献[3]的作者采用了扫描电镜观察的弯曲梁法;文献[4]的作者则在应用X光形貌相法。方法虽然各异,但     

用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷

用x射线劳埃大斑点,以及x射线形貌术法,观察晶体表面结构,近年来已成为检查晶体的完整性和作为晶体选片的一种有效的方法之一。它的特点是照相速度快而且直观,其表面的相衬度与被分析晶片的表面结构,有非常好的对应关系。本文报导,用x射线研究碲镉汞晶体表面在热处理前后,其组织结构的状态变化,碲镉汞晶体生长方向的纵向偏离,小角度晶界的大小,以及碲溶剂法与再结晶法生长的碲镉汞晶体缺陷形态的比较。实验用(111)原子面做为参考面,(440)原子面为衍射面。x射线源为Cuka_1。在Lang相机上摄取形貌像。摄取劳埃大斑点像系用Co的连续谱为x射线源。其样品表面在拍照前,     

高Tc超导GdBa_2Cu_3O_7薄膜弱连接双晶结研究

为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结，我们在ＹＳＺ（钇稳定的氧化锆）双晶基片上，制备了高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜，晶界夹角为２４°和３２°两种，采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥，晶界贯穿桥区而形成双晶结，观测了结的直流１－Ｖ特性和在１０ＧＨｚ微波辐照下临界电流的压缩和Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为，在实验基础上，对结的特性进行了理论分析，并将双晶结用于光探测获得成功。     

Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射

运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si-SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θ-ω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系.     

高Tc超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜弱连接双晶结研究

为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结，我们在ＹＳＺ（钇稳定的氧化锆）双晶基片上，制备了高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜，晶界夹角为２４°和３２°两种，采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥，晶界贯穿桥区而形成双晶结，观测了结的直流Ｉ－Ｖ特性和在１０ＧＨｚ微波辐照下临界电流的压缩ｈａｐｉｒｏ台阶，实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为，在实验基础上，对结的特性进行了理论分析，并将双晶结用于     

高反光表面三维形貌测量技术

陶瓷、古文物以及金属工件等高反光物体表面的三维形貌测量在各个领域有大量的需求和应用。由于表面反射率变化范围较大以及相机灰度范围有限等问题,传统的条纹投影方法不能正确地测量高反光表面的三维形貌。综述了高反光表面三维形貌测量技术的国内外研究现状、应用领域和未来发展方向。首先,根据所采用原理和测量方法的不同,将现有的高动态范围三维形貌测量技术分为下述六类进行详细的介绍:多重曝光法、投影图案强度法、偏振滤光片法、颜色不变量法、光度立体技术以及其他技术。然后,详细的比较了各种技术的优缺点并归纳其适应性分析。最后,总结了高反光表面三维形貌测量技术的应用领域并展望了该技术的未来研究方向。基于文中综述的内容,使用者可根据不同的应用需求和测量条件选择相应的最佳三维测量方法,进而更精确的重建高反光表面的三维形貌。     

变温循环热处理对液相外延Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量的影响

采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度(EPD)技术对开管变温热处理前后的液相外延(LPE)Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量进行了研究.变温循环热处理能有效减小液相外延Hg1-CdxTe薄膜材料的FWHM、释放材料中的应力、减少材料的腐蚀坑密度,说明变温循环热处理是一种简单而有效的改善Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量的方法.