GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究

介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明，该系统行之有效。     

共面微波探针在片测试技术研究

本文描述了使用共面微波探针的半导体芯片在片测试技术.设计研制出的多种微波探针性能参数稳定,使用寿命在十万次以上,用于在片检测各种GaAs共面集成电路芯片.触头排列为GSG的微波探针,-3dB带宽及反射损耗分别为14GHz和小于-10dB.     

GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究

介绍了ＧａＡｓ高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理和系统组成。利用该系统对部分ＧａＡｓ高速电路进行的测试结果表明, 该系统行之有效     

GaAs MMIC在移动通信中的应用

便携式无线通信系统是ＧａＡｓＭＭＩＣ潜在的民用大户。在简要陈述该新兴市场现状及前景的基础上，着重讨论ＧａＡｓＭＭＩＣ占据该市场并成为其核心技术的策略。     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。     

MMIC微波S参数测试

阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理,测试方法和自动测试程序。     

MMIC微波S参数测试

阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理、测试方法和自动测试程序。     

GaAs MMIC可靠性研究与进展

介绍了GaAs器件及MMIC的可靠性研究现状 ,给出了GaAs器件的几种失效模式和失效机理     

共面波导馈电宽带矩形边蝶形缝隙天线的仿真分析与设计

对一种共面波导馈电的宽带缝隙天线进行了仿真分析。着重研究了共面波导馈线各参数的变化对天线阻抗性能的影响,总结出了相应的规律和参数选取准则。根据分析结果,给出了合理调节共面波导馈线的参数以提高缝隙天线的阻抗性能的方法,并利用所得到的变化规律,给出了该天线的一种宽频带设计方案。     

A Ka-band Four-stage Self-biased Monolithic Low Noise Amplifier

A Ka-band four-stage self-biased monolithic low noise amplifier has been developed using a commercial 0.18-μm pseudomorphic high electron-mobility transistor (pHEMT) process. For the application of self-bias technique, the low noise amplifier (LNA) is biased from a single power supply rail. The LNA has achieved a broadband performance with a gain of more than 18 dB, a noise figure of less than 3.8 dB in the RF frequency of 26 to 40 GHz. The chip size is 3 × 1 mm².     

共面波导(CPW)馈电单极子天线的设计与研究

给出一种工作于900MHz的共面波导(CPW)馈电单极子天线的设计。该单极子天线以共面波导的中心导带为辐射单极子，以中心导带两边的金属导体作反射板，结构简单紧凑。但是由于天线与共面波导之间缺少有效的隔离，造成天线性能受共面波导尺寸的影响较严重。本文通过模拟计算和实验测量详细分析了共面波导尺寸的变化对天线性能的影响，给出了结合共面波导尺寸设计的工作在900MHz的单极子天线结构数据。     

毫米波频率综合器研究进展

频率综合器的性能对通信系统有极大的影响,本文简要介绍了频率综合器的基本原理,系统全面地综述了毫米波频率综合器的国内外研究进展,着重报道了单片微波集成电路(MMIC)工艺实现的60GHz锁相频率综合器理论和实验研究最新成果,分析了各种电路实现的优点和不足之处,预测了毫米波频综的发展趋势及相关技术要求,提出了一些有益建议。     

基于IFM的小型化线性射频放大器设计

采用六级VMMK-2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8～8 GHz频带内,其小信号增益达70 dB,增益平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比等技术指标优良。由于VMMK-2503采用晶片级封装技术与内匹配设计,电路设计简单,缩短了研发周期,降低了设计成本,提高了技术指标,有利于射频电路的小型化与集成化,放大器电路尺寸仅为92 mm×9 mm×1.2 mm。并对其进行了模块电磁兼容设计,以提高组件稳定性,最终满足用户要求,已成功用于某型号瞬时测频接收机中。     

一种2. 8～6GHz 单片双平衡无源混频器

采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT 工艺研制了2.8~6 GHz 的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand 巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8 ~6 GHz 频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO 到RF 的隔离度大于40 dB,输入1 dB 压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。     

A compact broadband MMIC sub-harmonic mixer using quasi-lumped transmission lines

A compact broadband monolithic microwave integrated circuit (MMIC) sub-harmonic mixer using an OMMIC 70 nm GaAs mHEMT technology is demonstrated for 60 GHz down-converter applications. The present mixer employs an anti-parallel diode pair (APDP) to fulfill a sub-harmonic mixing mechanism. Quasi-lumped components are employed to broaden the operational bandwidth and minimize the chip size to 1.5×0.77 mm². The conversion gain is optimized by a quasi-lumped 90° phase shift stub. Experimental results show that from 50 GHz to 70 GHz, the conversion gain varies between −12.1 dB and −15.2 dB with a LO power level of 10 dBm and 1 GHz IF. The LO-to-RF, LO-to-IF and RF-to-IF isolations are found to be greater than 19.5 dB, 21.3 dB and 25.8 dB, respectively. The second harmonic component of the LO signal is suppressed. The proposed mixer has an input 1 dB compression point of -2 dBm and exhibits outstanding figure-of-merits.     

共面波导馈电的超宽带天线的研究

本文设计一种共面波导馈电的超宽带天线（UWB）,其阻抗带宽达到341%。所设计的天线印刷在尺寸为28×21×1.6mm3,介电常数为2.65的聚四氟乙烯介质基板上。并利用电磁仿真软件HFSS对影响天线性能的主要物理参数进行仿真、分析和优化,得到天线的理想尺寸。最后,对优化的超宽带天线进行制作,测试。实验结果表明,该天线比传统微带贴 片天线性能有了较大的提高,从而证明利用共面波导馈电的超宽带天线设计方法,能够实现兼容多种通信系统的可行性和有效性。     

一种应用于WLAN 的双频对称型单极子天线

设计了一种应用于无线局域网的由共面波导馈电的双频单极子天线。该天线在2.45 和5.5 GHz 频率下谐振,其(10 dB)阻抗带宽分别为2.40～2.52 GHz 和4.80～7.30 GHz,覆盖了无线局域网2.4/5.2/5.8 GHz 的工作频带。另外,在工作频带内,还获得了良好的全向辐射方向图和天线增益。     

小型化AGC模块研制北大核心CSCD

AGC(Automatic Gain Control)模块应用于卫星无线通信系统中,实现中频信号放大以及自动增益控制功能,具有增益高、动态范围大的特点。随着系统小型化需求日益迫切,必须在保持性能和可靠性指标的基础上推进AGC模块小型化。文中首先采用单片电路技术改造混合集成工艺的单元电路,利用E-pHEMT(增强型高电子迁移率晶体管)单片工艺设计了一款电调衰减器及放大器芯片,使单元电路的面积分别缩减至0.9 mm×0.9 mm和0.4 mm×0.6 mm,仅为原单元电路的1/30。通过单元电路与整体电路联合设计优化,在保证整体电路性能的基础上,简化了电路结构,减少了6个元器件。在芯片化改造的基础上,进一步小型化整体电路,使整体电路体积减小了18%。通过上述系列措施,最终将电路体积缩小至18 mm×15 mm×3.5 mm,仅为原电路的1/3且增益和遥测电压性能指标进一步提升。