用激光干涉法实时监控同轴磁控溅射ZnO薄膜的厚度

本文介绍了一种在我所生产的TCJ-300型同轴磁控溅射设备上采用激光实时监控ZnO薄膜厚度的方法.实验结果表明,该方法与其它膜厚监控方法相比较具有多种优点:它可以在溅射过程中实时显示薄膜的厚度、均匀性和溅射速率等;本实验装置简单;操作方便;其监控精度优于1.5%.     

微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

低温沉积薄膜技术在制作先进的微电子学器件和集成多功能传感器方面非常重要。最近,应用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法沉积成高性能、高沉积速率和低基片温度的ZnO薄膜。本文叙述应用微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO膜的制法及其性能。     

准分子激光溅射法制备高温超导薄膜

利用准分子激光光束照射钇钡铜氧超导体,取得了零电阻温度为85K 的钇钡铜氧超导薄膜;研究了淀积条件与退火过程对薄膜成份及超导性能的影响。     

溅射法制备ZnO薄膜结构及光学特性

采用直流磁控溅射镀膜工艺在玻璃基片上沉积了具有良好c轴择优取向的znO薄膜.用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率均在85%以上;用AXRF分析了退火前后薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.样品通过空气中退火,薄膜结晶质量明显提高,晶粒有所长大,取向更加一致.在室温下用荧光分光光度计分析了薄膜的发光特性,观测到明显的紫外光发射(波长为386 nm)和波峰为528nm的一"绿带"宽峰.紫外发射是由于导带和价带之间的电子跃迁,宽峰是源于晶体的缺陷.     

退火对溅射ZnO薄膜光吸收性能的影响

利用射频磁控溅射制备了高c轴取向的ZnO薄膜,采用X-射线衍射仪、扫描电镜和紫外-可见光分光光度计研究了退火对ZnO薄膜的结构和光吸收性能的影响。结果表明,退火可以改善ZnO薄膜的质量和光吸收性能。退火后薄膜的结构、形貌和光吸收性能得到改善,薄膜中缺陷减少,晶粒长大致密化,尺寸较均匀;紫外吸收峰变窄,强度增加,吸收边变得陡峭并向长波方向移动,光学带隙降低。450℃退火的ZnO薄膜具有最佳的结晶质量和紫外吸收性能。     

飞秒激光溅射沉积法制备碳薄膜

在气压为1.33×10-4Pa和衬底温度为室温条件下,利用飞秒激光剥落石墨的方法在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜;探究了激光能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜情况的影响。通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析;利用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来显示薄膜的表面结构;实验结果显示,辐照时间对ID/IG的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响,并且高能量的飞秒激光脉冲能够促进碳晶粒的结晶。同时,在高能量的激光脉冲下沉积碳纳米薄膜,在Si表面发现了特殊图案的碳纳米结构:雪花状,方块状及四角星状。     

氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响.所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大.最小方块电阻可达17.6 Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10~(-4) Ω·cm.另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上.     

用激光自聚焦装置测量薄膜厚度

西德莱茨·韦茨拉尔有限公司研制的微机控制MPY-SP型薄膜测厚仪可确定透明薄膜的厚度。这种根据分光原理工作的测厚仪可在生物、医学、物理中分析最小物体时作薄膜检查，且备有激光自聚焦系统。用于积木式检查和测量设备的激光自聚焦系统使半导体生产中掩模和薄膜的控制更为可靠和经济。显微镜将激光束自动聚焦到预选的平面上，精度为0.1 μm。采用光切片法利用磨片的反射表面进行精确调节。利用激光自聚焦减轻了操作人员的反复手工调节，减少了眼睛疲劳，而且在最大调节过程中聚焦时间可减少到几乎观察不到的程度。     

用阴极溅射法制造窄带干涉滤光片用的装置

介绍用阴极溅射法制造窄带干涉滤光片用的装置。讨论了在蒸镀过程中光电测量控制膜厚的简图。     

溅射条件对ZnO薄膜气敏特性的影响

<正> 一、前言 气体敏感元件是一种将气体的成分、浓度等非电学量转变成电学量的元件。可以用半导体、金属、磁性材料等制备。目前普遍使用的是半导体材料SnO_2和ZnO。SnO_2的熔点较低,制备工艺简单,所以已进行了大量的研究;而对ZnO的研究则较少,原因是ZnO的熔点很高,需用复杂的溅射方法制备。用ZnO制备的气敏元件不仅老化特性比     

用离子束溅射法培植高温超导精细薄膜

本文描述了用离子束溅射法培植高温超导精细薄膜的原理和技术。探讨了工艺状态的实施和外部因子对薄膜生长过程影响的一些问题,给出许多具体实例。图1为溅射装     

激光能量对脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜性能的影响

脉冲激光沉积技术(PLD)易于获得高质量的氧化物薄膜已成为一种重要的制备ZnO薄膜的技术.采用脉冲激光沉积(PLD)(KrF准分子激光器:波长248 nm,频率5 Hz,脉冲宽度20 ns)方法在氧气气氛中以高纯Zn(99.999%)为靶材、在单晶硅和石英衬底表而成功生长了ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、表面轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了激光能量变化对其性能的影响.实验结果表明我们使用PLD法可以制备出(002)结晶取向和透过率高于75%的ZnO薄膜,激光能量为450 mJ的ZnO薄膜的发射性能较好,但激光能量的增加不能改善薄膜的透光率.     

Au薄膜溅射功率对ZnO/Au复合薄膜质量的影响

在ZnO薄膜上采用不同溅射功率制作了Au薄膜,研究不同溅射功率对Au膜成膜速率、结晶质量和结合力的影响,表明在本实验中100 W功率下Au膜的成膜质量比较好。同时对ZnO薄膜电阻的影响进行了研究,结果表明溅射功率越高,ZnO导通的可能性越大,通过实验,溅射工艺在100 W下制备的Au薄膜对ZnO电阻影响最小。     

RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究

通过RF磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,并研究了磁控溅射中各生长参数,如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响。结果表明:溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响,并对不同的溅射工艺进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件:RF溅射温度小于300℃,功率为50W,ψ(Ar:O2)为20:5,退火温度550~600℃,并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。     

溅射薄膜可进行光学集成

铁电溅射膜可能在集成光学领域内得到应用，尽管大多数波导作用元件以单晶结构为基础。众所周知，多晶体或陶瓷材料有明显的电-光效应。溅射薄膜很容易制备，并可淀积在便宜的玻璃或石英基板上。遗憾的是由于晶体边界的散射，溅射薄膜的多晶性质会产生损耗。现在正在寻找减少这种损耗的制备条件。     

脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展

基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点。综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400 nm时,呈现出了近似块状的性质。采用PLD技术,可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜。     

用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜

用射频偏压溅射在较高氧压下沉积的六角密排结构的Ｃ轴平行于衬底的混合晶向结构的多晶ＺｎＯ薄膜，对紫外光的照射有较快的光响应．在此ＺｎＯ膜上再沉积层氮掺杂的ＺｎＯ膜，可使其光响应得以大大改善．     

溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响

采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜。利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征。结果表明,不同溅射功率下生长的AlN薄膜都沿(002)择优生长,且随着功率的增大,薄膜的沉积速率增加,晶粒长大,AlN薄膜的(002)取向性变好。同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征,结果显示AlN薄膜呈柱状生长。