保护器件

Maxim公司的MAX1607 60mΩ限流开关中有故障保护功能块,上限电流能够精确地设置在0.7A至1.0A,为通用串行总线(USB)、PCMCIA卡、及台式机、笔记本电脑和PDA等系统中的热插拔应用提供更可靠的保护。MAX1607具有较低的静态电流(14μA)和待机电流(1μA)。MAX1607可为USB口提供多重保护,内部过热保护电路有     

保护器件

为USB外围设备提供热保护的IC Intersil公司的ISL6119 USB热交换IC能为USB启动的产品提供多种热交换保护,如能使它们在连接期间避免破坏性过载电流以及避免与主机系统切断联系。     

保护器件的选择

首先简要介绍各种过电压和过电流保护器件的分类及保护元件的性能比较。并重点介绍系统的保护选择策略。对保护方案的设计及保护器件的安装中应注意的问题，国际电信联盟关于各种保护器件的相关标准，也进行了简要的阐述。     

无铅PolySwitch保护器件

泰科电子Raychem电路保护部近日发布了其首款应用于电信和网络的无铅自复式PolySwitch保护器件。对于必须符合国际电信联盟(ITU—T)推荐标准的xDSL调制解调器、分离器和总配线架设备来说,这种新型的PolySwitch TRF250-180保护器件有助于提供自复式的过电流保护功能,而且其机械性能也随着绝缘涂层的采用而有所改进。     

专用分立ASD保护器件

“集成分立”乍听起来好象是一个自相相矛盾的措词，但它是意法半导体有限公司（ＳＧＳ－ＴＨＯＭＳＯＮＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）开发的各种新颖先进的产品所依据的技术基础。近日，该公司欧洲总部驻香港的分立器件市场经理ＰａｔｒｉｃｋＢｏｕｌａｕｄ与中国区经理关亮中向本刊介绍了这种新颖的产品。一、在功率处理方面具有优势分立器件引导电流流经硅块，使大电流得到安全控制。但是对于很多具体用途中的独特要求，标准的分立器件无法直接满足，而专用分立器件（ＡＳＤ，ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃＤｉｓｃｒｅ…     

双向硅ESD保护器件

泰科电子（TE）日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电（ESD）器件,以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术（SMT）被动封装配置的各种优势结合在一起。     

双向硅ESD保护器件

SESD0201P1BN-0400-090（0201封装）和SESD0402P1BN-0450-090（0402封装）两种器件的双向操作,可方便地在印刷电路板（PCB）上实现无定向约束安装,并免去了对极性检查的需要。不同于采用焊垫位于器件底部的传统ESD二极管封装,在器件已被安装到PCB上之后,该ChipSESD器件的被动封装还能允许方便的焊接检查。     

PPTC保护器件及其应用

PPTC是Polymeric PositiveTemperature Coefficient的缩写,PPTC器件即高分子聚合物正温度系数器件,该器件能在电流浪涌过大、温度过高时对电路起保护作用。使用时,将其串接在电路中,在正常情况下,其阻值很小,损耗也很小,不影响电路正常工作;但若有过流(如短路)发生,其温度升高,它的阻值随之急剧升高,达到限制电流的作用,避免损坏电路中的元器件。当故障排除后,PPTC器件的温度自动下降,又恢复到低阻状态,因此PPTC器件又称为可复性保险丝。下面分别介绍PPTC器件在无线电子产品、电池组、充电器、电源转换器及变压器中的应用。　保护…     

PTC保护器件的研究

阐述通信设备过流保护用ＰＴＣ器件、电机过热保护用ＰＴＣ器件的设计原理、工作特点、技术性能及有关技术标准。指标有关ＰＴＣ材料制造中的技术关键。     

可插拔PoLYSWITCH保护器件

泰科电子宣布针对汽车市场推出新系列的瑞侃PolySwitch电路保护器件。这种可插拔的PolySwitch保护器件可以用在载客汽车和重型卡车的线路中,实现自复过电流保护,它的端子宽度为2．8mm,便于使用,可以用在12V的汽车系统中取代小型熔断器和II型双金属电路保护器件。     

便携设备的ESD保护器件

随着移动电话、PDA、MP3播放机以及数码相机等的迅速发展,便携电子设备需求出现热潮,消费者正要求越来越先进的性能。将来的便携电子设备不仅要能够处理基于数据的正文,而且还要改善图形乃至视频率信息处理能力。与此同时,一方面要求设计者削减元件数量和减小电路板占用的空间,另一方面还要保证达到适当的EMI和ESD的抑制标准。特别是将来,采用亚微米工艺和甚精细线条宽度布线的复杂半导体功能电路,对电路瞬变过程的影响更加敏感,将导致上述的问题更加激化起来。 此外,在工业标准方面,欧共体的IEC 61000-4-2已     

关于MIS器件的栅极保护

最近,美帝宇宙航行局经研究认为 MOS 集成电路的20%～40%的缺陷是由过量电压和氧化物中存在缺陷而引起的,其结果导致栅极的短路和漏电流的增加。由栅导体电击穿引起的栅短路,使 MOS 晶体管及集成电路的成品率和可靠性都存在问题。在防止过量电压的 MOS 器件的栅极保护方面,过去广泛使用的是 J·莱兰特·赛里的方法,把 PN 结与栅极并列放置,向 PN 结施加反向偏压而使晶体管工作。     

MHP-TA系列：热保护器件

TEConnectivity旗下业务部门TE电路保护部推出了用于锂电池保护的MHP-TA系列超小型（长：5．8mm,宽：3．75mm,高：1．15mm）可重置热关断（TCO）器件,MHP-TA系列具有9VDC额定电压,两种具有不同载流容量水平的产品类型,以及多种额定关断温度。     

新型低电容ESD保护器件

泰科电子Raychem电路保护部推出静电放电（ESD）保护器件，进一步扩展了其电路保护产品阵营。该设计用于USB2．0、IEEE1394、数字视频接口（DVI）和天线开关的输入／输出端口保护，PESD0402和0603保护器件提供电子行业流行的尺寸大小。这款兼容RoHS的产品能够旁路静电放电，使其避开HDTV、打印机、笔记本电脑、手机和其它便携式设备的敏感电路。     

峰值箝位保护器件及其应用

峰值箝位器件由Transil^TM和高压二极管组成，该器件的作用是防止回扫变换器中MOSFET漏极电压超过给定限制。中介绍峰值箝位器件的特性和应用。     

聚合物PTC器件：有效地保护电池

高能量密度及更快速度充电 率会使电池及电池组由于在充电 生事故,而产生过热及过流的情 况。对于电池保护电路,有若干 物PTC(正温度系数)器件、陶 瓷PTC器件、热保险丝及双金属 断路器等。 在这些器件中,聚合物PTC 器件(PPTC)被认为是最有效的 电池电路保护器。这是因为它具     

雷电过电压保护器件配置的考虑

介绍了通信电源用雷电过电压保护器件的要求、各级雷电过电压保护器件作用,论述了通信局（站）电源系统雷这电压保护器件配置的考虑。     

硅器件表面保护材料的选择

作者对GD406、SP937、PH、CDP-1、SU-2等表面保护材料进行了对比实验.本文介绍了实验结果,并给予评价.     

基于霍尔器件的电流保护集成块

本文介绍了一种基于霍尔器件的电流保护集成块的设计。文章依据设计目标参数,对设计方案进行选择,详细介绍了电路各部分设计原理和设计参数。集成块保护电流可达10A,并可调节外接电阻改变保护电流大小,满足使用者的不同需求。