透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管

研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×10~3Ω~(-1)cm~(-1))禁带宽(E_g(Γ)=2.5eV)的氧化镉(CdO)透明膜,形成宽发射区。测试结果表明,该管具有较宽的波长响应(λ=0.5～1.6μm),共发射极电流增益h_(fe)为10(V_(CE)=3V,I_C=1mA)。并对发射结的伏安恃性、h_(fe)-I_C及暗电流等进行了讨论。     

亚毫微秒GaAlAs双异质结激光器

当双异质结连续激光器加上大于阈值的阶跃脉冲时,激光器的光脉冲前沿便产生张驰振荡,振荡频率f_r为:f_r=1/(2π)[1/τ_(ph)τ_s(I/I_(th)-1)-I~2/(4τ_s~2I_(th)~2)]~(1/2)式中I为注入激光器的峰值电流;I_(th)为阈值电流;τ_(ph)为光子寿命;τ_s为载流子自发复合寿命.当I/I_(th)=2,τ_s=2毫微秒,τ_(ph)=1.2微微秒时,f_r=4千兆周;当I/I_(th)更大时,f_r更高.我们用一个峰值电流     

传感器讲座 第五讲 磁电式传感器(上)

磁电式传感器,范围很广。本文仅介绍对自动控制及检测仪器关系比较大的磁致伸缩换能器、霍尔效应和磁阻效应传感器、变μ式传感器以及磁进动式传感器四类,对涡流式传感器限于篇辐,暂不介绍。在介绍具体的传感器前,简单介绍一些磁学基本原理。设μ_0为真空的导磁率(4π×10~(-7)亨/米),B为磁感应强度(韦伯/米~2),H为磁场强度(安/米),J为磁化强度(韦伯/米~2),k为磁化系数,则对真空 B=μ_0H; (4-1)在铁磁物质中,由于它的磁化,产生一个附加的磁感应强度μ_0J,J=kH,大大地加强了总磁感应强度,其公式如下: B=μ_)(H+J)=μ_0(1+x)H=μ_0μ_rH; (4-2)μ_r称为相对导磁率,与k一样无量纲,其值与铁磁材     

GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。     

铅和锡在氟硼酸镀液中电极过程的研究

本文用循环伏安法和稳态电位扫描法研究了铅和锡在氟硼酸镀液中的电极过程。实验表明,Pb~(2+)和Sn~(2+)的阴极还原反应为准可逆并由扩散控制的电极过程。相应的峰电流(I_p)和极限电流(I_d)与铅锡在镀液中的浓度成很好的线性关系。这是电化学法分析铅或锡浓度的依据。求出了扩散系数和扩散层厚度分别为D_(pb)~2=0.31×10~(-5),D_(sn)~(2+)=0.70×10~(-5)δ_(pb)~(2+)=1.2×10~(-2),δ_(sn)~(2+)=1.5×10~(-2)。另外,由稳态阴极和阳极电极过程的研究,得出了当阴极电流密度为1—1.5A/dm~2时镀液中合理的Pb和Sn浓度范围为8—12g/L和15—25g/L,合理的阳极电流密度为0.9A/dm~2,阳阴极面积比应在1.1—1.7之间。可采取调节ia的方法控制镀液中Sn~(2+)的浓度。     

磁控管输出窗位置的确定

本文叙述了从输出窗和谐振腔反射波的迭加,使合成驻波系数等于谐振腔驻波系数便可求得输出窗位置的公式:S=1/2β[(2n+1)π+arc cos ((1/2Γ_1)/(Γ_2))-2β_2l_β]+l_0。输出窗放在 S 位置上测得的冷参数就是谐振腔真实的冷参数。     

InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究

本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2),τ_1=2.2×10~(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV~(-1)·cm~(-2),τ_Q=1.5×10~(-2)s     

长波大面积HgCdTe光导红外探测器的研究

研制的长波大面积HgCdTe光导红外探测器的面积为2.1×2.1mm~2,在80K时探测率D_p~*=1.86×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),响应率R_p=386VW~(-1),长波限λ_(co)(50%)>18μm.还研制了带有低温聚光器组合件结构的新型探测器,D_p~*=7.3×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),λ_(co)(50%)>16μm.     

上海交通大学电子技术专业自学考试试题及题解

试题名称:信号与系统 一、填充(共48分) 1.线性非时变系统不失真的条件是_(8分),信号经过线性非时变系统产生的失真称为线性失真,是由…(2分)失真和.…(2分)失真共同形成。 2.线性非时变系统在右。时刻的状态是_咚分),图1系统可选_(2分)个状态变量,若令状态变量为_(2分),用状态变量和输入。(才)的组合表示.:(t)和?’O(孟): 。:(右)一(2分),f。<云)~(2分)。群群几十、辞丁砚ic(t)圣竺一工少梦,巨品址二;线}1图3 3.一个带宽为20千赫的低频信号f(均,进行时域抽样时,正确的抽样间隔应取_(续分)。低频信号f(2约的带宽为_千赫(2分),抽样间隔为 (2…     

JSM—T_(300)扫描电镜物镜电路分析

扫描电镜的物焦镜距与加速电压和物镜电流有关。扫描电镜要求物镜电流具有较大的变化范围。T_300扫描电镜物镜电路如图所示。IC8为D/A转换器。波段开关S_3、二极管矩阵电路(D_10～D_27)、R_52～R_60、R_B_(23)组成了二进制码编码电路,为D/A转换器提供八位二进制码。D_8、R_(50)、IC9_1组成的电路为D/A转换器提供参考模拟电压V_REF。D_8(IS2192)的稳压值为8.2V,即A点的电压为8.2V。电压跟随器IC9_1输出的电压V_B=V_REF=V_A=8.2V。D/A转换器的输出电压Vout=-(V_REF/R_49)·R_51(A_8/2~1+A_7/2~2+A_6/2~3+A_5/2~4+A_4/2~5+A_3/2~6+A_2/2~7+A_1/2~8)。若当S_3的刀与第一掷相接时,D_10导通,D_11～D_27均不导通,D/A转换器的数字输入端A_8=0,A_7～A_1,均为1。因此D/A转换器的输出电压Vout=4V。D/A转换器的输入状态和输出电压与S_3对应关系如表1所示。从中可看到D/A转换器的输出电压范围为-4～-8.1V。D/A转换     

基于T型分支线结构的小型化差分滤波器

基于T型分支线结构设计了两种新型的小型化差分滤波器,一种是单通带滤波器,另一种是双通带滤波器。其中,单通带滤波器在中心对称线处增加开路支节,构成T型分支结构,可以实现良好的共模抑制。为了验证上述的理论分析,本文设计两个滤波器(ε_r=2.65,h=1mm),单通带滤波器的差模通带中心频率f0为2.5GHz,阻带范围为3.1~9.7GHz,-3dB相对带宽为14.7%(2.2~2.8GHz);双通带滤波器的差模通带中心频率分别为2.2GHz和6.4GHz,-3dB相对带宽分别为18.2%(2~2.4GHz)和9.2%(6.2~6.8GHz)。实测结果与理论预期一致。     

光谱线自然增宽的半经典处理

用半经典处理方法,将经典振子的辐射与原子在激发态的几率的衰减率联系起来。振子的辐射功率的平均值等于在激发态的原子因自发发射而损失的功率,其中电偶极矩用量子力学计算.考虑到无辐射跃迁和辐射跃迁是同时发生的,自发发射所发射的光以指数衰减,时间常数是τ,因此自然线宽是△γ_N=1/2πτ,式中τ~(-1)=τ_3~(-1)+τ_nr~(-1),τ、τ_3和     

Cr~(3+):LiNbO_3晶体的光谱特性

分别用分光光度计和激光感生荧光技术测量了Cr~(3+):LiNbO_3晶体的吸收谱和荧光谱。测得晶体的晶场参数D_q/B=2.49,~4T_2与~5E能级的能量差⊿=114cm~(-1),~4T_2-~4A_2跃迁的发射截面σ_(?)=6.58×10~(-20)cm~2,荧光寿命τ_f=2μs。最后从理论上阐明了Cr~(3+)在LiNbO_3晶体中的能级结构。     

宽范围可调稳压器

图1是一可调稳压器的简化框图,该稳压器可提供对电流和电压的精密控制并且能自动从一种模式转换到另一种模式。图中电位器R_v设定所稳定的电压;R_1决定稳定电流。此设计避免了在电流电压稳定电路中经常的折衷,因精密运放IC_3作为一电压跟随器并作为具有零下降电压的电流传感器。利用从电压调整环中移去负载电流传感工作的方法,此运放允许电路完成电流和电压的精密调整;即IC_3仅允许负载电流I_s在自己的反馈电阻R_3内流过而强迫V_(OUT)等于被稳定的电压(V_(AB))。因而电压工作模式有下面关系存在: V_(OUT)=V_(AB)+∈_V=V_(REF)R_V/R_1+∈_V, 式中∈是加到V_(AB)上的误差电压: ∈_V=±V_(OS)-I_LR_S/A_O V_(OS)和A_O分别是IC_3的输入失调电压和开环增益。例如将运放07的保证说明书与I_SR_S的最大值相结合(0.6V)得到对于任何输出电压,∈_V≤27V。在电流控制模式, I_L=I_S+∈_1≈V_(REF)R_I/(R_2R_S)+∈_1, 和∈_1=±(I_(OS)+I_B/2) 式中∈为IC_3的误差贡献,I_B和I_(OS)是IC_3的输入偏置和失调电流。再者,从OP-07保证说明书得到作为一个绝对值,对于任何负载电流∈_1≤4nA。利用补偿Q_1的截止电流I_(CO)的方法,电流吸收I_Q>I_(CO)把输出电流的较低限范围扩展到接近于零。二极管D_1和D_2保证此补偿使输出接近于0V。图2给了一实际的电路图,它可提供范围从0-300V和10nA到20mA的稳定输出。精度和漂移实际上与REF-05稳压器(IC_5)相同。额外的元件(同图1比较)加强了分辨力和可靠性。例如,D_8-D_(13)防止运放输入过载。频率补偿元件是在电压环内C_1,R_5,C_2和R_7以及在电流环内的C_3和R_1~0。Q_4提高IC_4的输出电流能力。Q_3,D_1,D_2和R_2构成电流吸收电路(如图1中I_Q)。为了修正在主电流控制环内慢响应引起的任何可靠性损失,Q_2和R_1形成输出电流的快速控制通道。     

用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料

本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。     

InGaAsP/InP异质结双极晶体管的研究

用液相外延方法研制了InGaAsP/InP异质结双极晶体管(HBT),并研究了其直流特性。该HBT的发射区和集电区材料为InP(禁带宽度为1.35eV),基区材料为InGaAsP(禁带宽度0.95eV)。器件采用台面结构,发射结、集电结面积分别为5.0×10~(-5)cm~2、3.46×10~(-5)cm~2。基区宽度约为0.2μm,基区掺杂浓度为(2～3)×10~(17)/cm~3。在I_c=3～5mA,V_(ce)=5～10V时。共射极电流放大倍数达到30～760。符号表 q 电子电荷ε介电常数 k 玻耳兹曼常数 T 绝对温度β共射极电流放大倍数γ发射极注入效率 A_e 发射结面积 I_(ne) 发射极电子电流 I_(pe) 发射极空穴电流 I_(rb) 基区体内复合电流 I_(gre) 发射结空间电荷区产生-复合电流 I_(sb) 基区表面复合电流 I_(nc) 被集电极收集的电子电流 m_(pb)~* 基区中空穴有效质量 m_(?)~* 发射区电子有效质量 N_(Ab) 基区中受主掺杂浓度 N_(D(?)) 发射区施主掺杂浓度 N_(D(?)) 集电区施主掺杂浓度 W_b 基区宽度 L_(ab) 基区中电子扩散长度μ_(ab) 基区中电子迁移率τ_(ab) 基区中电子寿命 V_(no) 从发射区注入到基区电子的平均速度 V_(p(?)) 从基区注入到发射区空穴的平均速度△E_g 发射区与基区的禁带宽度差△E_c 异质结交界面导带不连续量△E_v 异质结交界面价带不连续量。且有:△E_c+△E_v=△E_g A_(?) 基区表面有效复合面积     

驱动压电管的高压放大器

在扫描隧道显微镜中驱动操作装置的压电管状定位器需要使用高压低电流驱动电路。图1所示电路具有6kHz的-3dB带宽，可驱动高阻低电容的压电负载。该电路成本低，可代替商用驱动器。晶体管Q3和Q4构成了一个电流反射镜，R3设定Q4的集电极电流。该集电极电流可由IC3=IC4=[VCC-（-VCC）-VBE（Q4）/R3公式确定。     

GGG:Ho~(3 )晶体的光谱强度参数

本文应用Judd-Ofelt理论,由晶体的吸收光谱获得了Gd_3Ga_5O_(12):Ho~(3 )(简写GGG:Ho~(3 )振子强度的实验与计算值,用最小二乘方法拟合出的强度参数为Ω_2=0.24×10~(-20)cm~2、Ω_4=1.41×10~(-20)cm~2、Ω_6=1.09×10~(-20)cm~2。进而计算了电偶跃迁几率与辐射寿命。     

单向二次谐波输出

一、基本装置和原理图1所示装置是洛克希德导弹和空间公司研制成的用于由Nd:YAG激光器的内腔倍频获得单频单向二次谐波输出。就图中几何形状和边界条件而言,对1.6和0.53微米辐射的无限平面波的非线性互作用研究结果表明,单向二次谐波总功率取决于下式:P_2 (l_c)∝4B~2l_c~2sinc~2(ΔKl_c/2)×cos~2(ΔKl_c/2+φ_2/2-φ_1)(1)式中sin CX=sin X/X,B=μ_0ω_2~2E_1~2/     

硫脲ν_(N-C=S)红外光谱研究

测定硫脲分子N-C=S伸缩振动模式(ν_(N-C=S))的红外光谱(IR)。研究发现:在1500 cm-1~1430 cm-1、1450 cm-1~1350 cm-1和1120 cm-1~1050 cm-1的频率范围内,硫脲分子ν_(N-C=S)分子中分别存在着3个特征谱带,分别归属于ν_(N-C=S)(Ⅰ)-1、ν_(N-C=S)(Ⅱ)和ν_(N-C=S)(Ⅲ)。最后采用二维红外光谱技术(2D-IR)进一步来研究温度变化对于硫脲ν_(N-C=S)红外吸收强度及其变化顺序的影响。本项研究拓展了二维红外光谱技术在ν_(N-C=S)的研究范围。