3-氨基-1,2,4-三氮唑自组装膜对Cu-Ni合金缓蚀作用及吸附机理研究

利用3-氨基-1,2,4-三氮唑(ATA)金属处理剂在Cu-Ni合金表面制备了自组装单分子膜(SAMs),用电化学方法研究ATA SAMs对Cu-Ni合金的缓蚀作用及其吸附行为.结果表明, ATA分子易在Cu-Ni合金表面形成稳定的ATA SAMs,抑制了Cu-Ni合金的阳极氧化过程,改变了电极表面双电层结构,使零电荷电位正移,固/液界面双电层电容明显降低,有良好的缓蚀效果,这与交流阻抗和极化曲线得到的结论一致.同时研究表明ATA的吸附行为符合Langmuir吸附等温式,吸附机理是典型的化学吸附.     

植酸自组装膜对白铜缓蚀作用的光电化学研究

用动电位伏安法和光电化学方法研究了植酸自组装单分子膜(SAMs)对白铜B30的缓蚀作用.结果表明,植酸分子易在白铜B30表面形成稳定的植酸SAMs,光电化学测试白铜B30表面膜显示p-型光响应,光响应来自电极表面的Cu2O层,植酸SAMs的形成使其光响应明显减弱,有良好的缓蚀效果,这与交流阻抗得到的结论一致,同时微分电容曲线表明植酸SAMs的形成改变了电极双电层结构,使得电容值减小,其缓蚀机理为化学吸附过程.     

模拟冷却水中黄铜管耐蚀性影响因素的光电化学研究

针对模拟冷却水中各种离子对黄铜管的耐蚀性影响采用光电化学方法和交流阻抗法进行了研究。在模拟水中黄铜电极表面膜显示p-型光响应,光响应来自电极表面的Cu2O层,改变模拟水溶液中Cl-、SO42-和S2-浓度时,其表面膜的半导体性质仍为p-型,但阴极光电流峰值的大小会发生变化,阴极光电流峰值越大,其耐蚀性能越好。随着Cl-、SO42-和S2-浓度的增加,黄铜的阻抗逐渐增大,耐蚀性能提高,当Cl-、SO24-和S2-浓度分别高于49.92 mg/L、80.8 mg/L、10 mg/L时,黄铜耐蚀性能降低,腐蚀越严重。     

聚天冬氨酸对铜缓蚀作用的光电化学研究

用光电化学方法研究了绿色水处理药剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用,铜在硼酸-硼砂缓冲溶液（pH=9.2）中,表面的Cu₂O膜显p-型光响应,添加适量缓蚀剂聚天冬氨酸（PASP）后,PASP吸附在铜电极表面成膜促使Cu₂O膜增厚,体现在电位在负向扫描过程中Cu₂O膜的p-型光电流增大。 p-型光电流越大,缓蚀性能越好。当PASP浓度为3 mg·L^-1时,Cu₂O膜的p-型光电流最大,缓蚀性能最好。 Cl^-的存在会阻止PASP在铜电极表面的吸附,使Cu₂O膜暴露而受侵蚀,导致了PASP的缓蚀性能变差。     

植酸自组装单分子膜对白铜B30缓蚀作用的研究

用一种环境友好型金属处理剂植酸在白铜B30表面制备了自组装单分子膜(SAMs),研究了该膜在3%NaCl中对白铜B30的缓蚀作用.通过交流阻抗法和极化曲线法的研究表明,在酸性和碱性环境中,植酸SAMs对白铜B30均有良好的缓蚀效果,其对白铜B30的缓蚀效果在酸性环境中要优于碱性环境;且组装时间6h效果最好,缓蚀率为84.87%,同时分析表明其缓蚀机理为化学吸附过程.