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隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。 相似文献
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为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。 相似文献
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胜利炼油厂气体分离装置的模拟与操作分析严国祥，鲍杰，袁树承，柯成贵，周学俊（齐鲁石化公司研究院）（胜利炼油厂）一、前言胜利炼油厂气体分离装置是以催化裂化液态烃为原料，生产丙烯、丙烷、烷基化料、橡胶料、碳五和液化气等产品。装置年加工能力为１６万吨催化裂... 相似文献
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我矿在5188掘进三层网下运输道时,常因伪顶来压,压垮拱形支架造成冒顶埋压掘进机的事故,经过现场观察,发现冒顶多是因为在距迎头4～11米处,拱形支架搭接部分被压缩而使支架逆掘进方向严 相似文献
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