用于高性能锁相环的CMOS电荷泵的设计

一般的CMOS电荷泵有充放电流失配的问题.电流失配导致了相位偏差.本文研究了一般CMOS电荷泵电流失配产生的原因,提出了一种新型的电荷泵.利用误差放大器和参考电流源以获得良好的电流匹配特性,降低了锁相环的相位噪声;利用电荷移除管有效地抑制了电荷共享.采用chartered 0.35umCOMS工艺进行仿真.仿真结果显示该电路有很好的电流匹配特性.     

基于最优扫描结构的分形IP核设计

描述平板显示系统中最优扫描结构所对应的自相似分形拓扑结构图,提出分形扫描核心模块架构,分析n位分形扫描的递推结构,研究扫描过程中的子空间码与位码序列的关键特征,推导出序列生成的通用逻辑算法。在此基础上,设计了适合各种灰度等级的参数化的分形IP核并得到仿真结果,同时给出了分形IP核的系统应用,证明所设计的IP核可以有效提高灰度扫描的利用率和FPD画面质量。     

一种利用比较器实现可靠启动的带隙基准电压源

提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动后正常关闭启动电路以缩减功耗消耗,同时避免了其它启动电路存在的问题:引起电路抖动或者求助一些系统中很少使用的上电复位信号等.该带隙电压基准电路提供0.9V的带隙基准电压时,可以工作的电压范围和温度范围分别是1.2V～3.6V和-40～110℃,而且该输出电压在给定的电压和温度范围内仅有5％的变化.     

用于空调控制器的嵌入式CPU核的设计

目前一般概念上的嵌入式CPU应用于PCB板级上,随着集成电路技术成本的大幅度下降,芯片内系统集成技术已成为ASIC设计的主流,而芯片内嵌入式CPU已经成为片内系统的重要组成部分。应用于定频空调的控制器中的基于RISC架构的嵌入式CPU核。采用RISC方式实现CISC方式译码,用状态控制器来实现核心控制单元,通过中断来实现各种事件与CPU之间的通信。处理器正常工作频率为8MHz,运行速度最高可以达到27.6MHz。     

面向近眼式应用的快速瞳孔中心定位算法

针对Hough圆变换、最小二乘法椭圆拟合瞳孔中心定位算法中运算量大的问题,提出一种基于椭圆外切矩形的快速瞳孔中心定位算法。该算法从人眼图像中通过阈值分割得到瞳孔区域,对瞳孔区域进行边缘像素点的提取,然后利用椭圆外切矩形模型定位出瞳孔中心。通过Matlab对中国科学院自动化研究所公开的虹膜数据库中756张人眼图像进行遍历实验验证,所提算法定位准确率为98.3%,平均用时0.192 s。在同等条件下,与Hough圆变换、最小二乘法椭圆拟合算法进行对比,在保证定位准确率的同时,所提算法平均用时更少。实验结果表明,所提算法能够快速准确地完成瞳孔的中心定位。     

基于电阻电流镜的低压灵敏放大器设计

提出一种适用于低压快闪存储器的电流模式的低压灵敏放大器.该灵敏放大器在基准电流产生电路中使用电阻电流镜代替传统的晶体管电流镜,使得基准电流产生电路的工作电压减少了一个阈值电压,从而降低灵敏放大器的工作电压.位线电压控制电路中运算放大器的使用减少了由于温度和工艺变化所引起的位线电压变化,进而提高读取操作的精度.采用中芯国际90nm工艺设计,提出的灵敏放大器在1.2V电源电压时的读取时间是14.7ns,相对于传统的结构,单个灵敏放大器的功耗被优化了13%.     

0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响

本文中,在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下, 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。     

Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS devices are measured using the transmission line pulsing （TLP） measurement technique. The relationships between snapback parameters and layout parameters are shown and analyzed. A TCAD device simulator is used to explain these relationships. From these results, the circuit designer can predict the behavior of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level. Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.     

电机控制的MCU芯片设计

根据运动控制和电机控制的功能和特性，本文为数字电机控制设计了带有微处理器的芯片。微处理器采用两个机器周期完成一条指令、与M51系列兼容8位微处理器；在数字电机控制模块(PWM模块)中，设计了包括：产生控制数字电机的PWM电路，控制避免上下路同时导通的死区发生电路，用于反馈电机转子的位置和速度信息的捕获单元；通讯口设计了SPI(串行同步通讯)、SCI(串行异步通讯)；A／D、D／A转换器；设计了一套统一安排的中断系统；8位与16位的内核与外设转换模块。     

功率开关电源集成电路

本文系统地介绍了一种集成电路开关电源。该芯片集成有PWM控制器，过流、过热、过压保护功能，自动重启功能。文章基于计算机仿真分析了其内部电路。