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基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容 低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益 频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。 相似文献
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研究了防坠落装置的基本原理,并对区域电网公司防坠落装置的应用情况进行了总结,比较出各种防坠落装置的优缺点,所得结论对输电线路的运行维护有一定的参考价值。 相似文献
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提出了一种基于电流比较的无基准电压型Cap-less LDO。将输出电压转换为电流后与参考电流比较,无需独立的基准电压模块,可降低功耗。在环路中插入了一个带有源反馈补偿网络的误差放大器,可增加环路增益,从而提升精度,在减少片上补偿电容的同时维持宽负载范围内的环路稳定性。该LDO采用65 nm标准CMOS工艺仿真验证,仿真结果显示,当负载电容为100 pF时,静态电流为9.4μA,片上补偿电容仅需0.25 pF,当输出负载在100μA和50 mA之间处切换时,恢复时间小于1μs,带有源反馈LDO的上冲和下冲分别为94 mV和21 mV,和不带有源反馈的LDO相比,上冲和下冲分别减少了28%和79%。 相似文献