半导体照明应用进展

一般照明光源的优点均偏向单一化．惟LED具有十五种以上的独有光源优点。这是开发新的应用产品的最有利条件。节能、环保、安全、寿命长、低耗、低热、色光、白光、防震、防水、微型、高亮度、易调光、光束集中、减少维修。针对原有照明灯具光源缺点．利用单项、多项优点或全部优点可开发出许许多多半导体照明应用新产品。目前已开发出的LED照明灯具如手机背照明光源、     

磷砷镓铟禁带宽度的光电压光谱法测定

采用光电压光谱法测定InGaAsP/InP单异质结和双异质结外延材料的禁带宽度,为此材料和器件的研制提供了一种简便而有效的测试方法。     

50瓦半导体照明光源技术

发光二极管作为半导体照明光源具有发光效率高、寿命长的优点,但是它在工作时大部分能量都转化成热量,只有小部分能量转化为光能。如果散热问题不解决好,热量的积聚会导致发光二极管PN结的结温升高,     

超高亮度蓝色LED

超高亮度蓝色ＬＥＤ方志烈（教授级高工）（复旦大学测试中心，上海２００４３３）编者按：蓝色ＬＥＤ的研究已有２０余年历史，但进展不大，是全色显示的主要障碍。日本日亚公司最近开发成功并投入批量生产的超高亮度ＧａＮ蓝色ＬＥＤ，在２０ｍＡ下比超高亮度ＧａＡＩＡ...     

发光二极管平板显示（一）

本文综述了发光二极管平板显示的发展和现状。     

超高亮度（烛光级）发光二极管进展

介绍各种发光波长超高亮度发光二极管的材料，器件，特性，结构及其应用，现已发展和生产坎德垃圾的超高亮度橙红色，黄色，绿色和蓝色发光二极管。     

室外全色大屏幕用LED的最佳化

讨论了与室外全色ＬＥＤ大屏幕亮度、视角和色度性能有关的ＬＥＤ的最佳化。     

超高亮度InGaN单量子阱结构绿色LED

发光强度为１２ｃｄ的超高亮度绿色ＩｎＧａＮ单量子阱（ＳＱＷ）结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流２０ｍＡ下分别为３ｍＷ、６．３％、５２０ｎｍ和３０ｎｍ。这种绿色ＩｎＧａＮ单量子阱发光二极管的Ｐ－Ａｌ－ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ｎ－ＧａＮ是用ＭＯＣＶＤ方法生长在蓝宝石衬底上。     

InGaA1P超高亮度发光二极管

介绍了ＩｎＧａＡ１Ｐ超高亮度发光二级管的材料、器件、特性、结构及其应用。现已发展和生产坎德拉级的超高亮度投红色、黄色和绿色发光二极管。     

用光电压光谱法测定磷砷镓铟室温禁带宽度

光电压光谱法基于半导体材料的光生伏特效应。当单色光照射到半导体样品的表面或界面势垒区时,如果光子能量hv大于材料的禁带宽度E_g,光子就能激发出电子一空穴对;在势垒区空间电荷电场作用下,这些电子与空穴被置于势垒两侧,从而在被测样品的受光面和非受光面之间形成一定的电位差。当入射光光子能量hv小于材料的禁带宽度E_g时,就不