碘的简并四波混频信号的饱和效应研究

本文研究了常温下I2四波混频(DFWM)信号强度与泵浦光能量的关系以及0℃下I2的DFWM光谱随压强的变化．本实验采用后向四波混频光路，用脉冲Nd：YAG激光器泵浦染料激光器，其输出波长在552～570nm范围内连续可调，脉宽为10nm，激光重复频率为10Hz．通过选定I2的共振波长，改变泵浦光能量Ef，测得常温、     

竹红菌甲素衍生物13－SO_3Na－DDHA电化学及光诱导还原的研究

本工作研究了化合物１３－ＳＯ＿３Ｎａ－ＤＤＨＡ在不同ｐＨ的缓冲溶液中的电化学氧化还原行为．实验证明：化合物中羰基的还原电位与ｐＨ之间存在线性关系，其直线的斜率为６０ｍＶ／ｐＨ．并证明了此过程为一步两电子、两质子还原过程：Ｑ＋２Ｈ￣＋＋２ｅ＝ＱＨ＿２．ＤＭＦ作为非质子溶剂，具有很好的稳定自由基的作用．向缓冲溶液中加入ＤＭＦ后，化合物１３－ＳＯ＿３Ｎａ－ＤＤＨＡ为两步单电子还原过程，相应溶液中的光诱导电子转移吸收光谱证实了以上电化学的结果．     

界面张力与润湿性对化学渗吸的影响——以延长油田杏子川低渗油藏为例

化学渗吸是提高低渗油藏渗吸效果的重要方式,针对杏子川低渗油藏条件,利用amott瓶自发渗吸法,研究了不同界面张力-润湿性组合的渗吸液体系对静态渗吸的影响。实验结果表明：化学渗吸受界面张力和润湿性的共同影响,渗吸液体系界面张力为0.05～0.20 mN·m^-1、润湿角为27.1°～52.1°时对杏子川低渗岩心渗吸促进作用较为明显,化学渗吸较地层水渗吸采收率可提高20%以上。杏子川低渗油藏化学渗吸液体系不必追求超低界面张力(10^-3 mN·m^-1)和较小的润湿角,最佳渗吸体系为0.075%～0.200%的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺与0.025%～0.200%的脂肪醇聚氧乙烯醚复配体系,其室内静态渗吸采收率高于30%。     

智能工作站主机的MMPIS实验模型研究──一个全互连式结构MMPIS硬件环境的设计与实现

本文介绍中日国际合作开发研究的Ａ１型智能网（Ａ１型ＩＮ）智能工作站（ＩＷ）主机的并行推理硬件结构的实验模型设计与实现，给出了一种并行推理硬件支持环境实现方案和该方案在实现中若干问题的解决方法。     

Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器

报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。     

C波段pHEMT单片Gilbert混频器

采用0.5μmpHEMT工艺研制了Gilbert式单片混频器,设计采用了电流注入技术及跨导级源端负反馈技术,在C波段测试表明:变频增益大于1.5dB,单边带噪声系数典型值为12.5dB,变频带宽约为DC～1GHz,所需本振功率实测值为1.6dBm。     

一款W波段GaN HEMT高谐波抑制八次倍频器MMIC

报道了一款采用0.1μm GaN HEMT工艺制作的W波段八次倍频器芯片。该芯片集成了3个二次倍频器和1个驱动放大器。二次倍频器采用有源平衡电路结构以实现较好的功率输出和有效的基波和奇次谐波抑制;驱动放大器采用单级负反馈电路结构,在实现良好输入输出匹配的同时兼顾增益平坦度。最终实现的八次倍频器芯片3 dB工作带宽为16 GHz(84～100 GHz),输出功率大于13 dBm,谐波抑制度大于40 dBc,带内谐波抑制度大于60 dBc。芯片面积3.6 mm×1.7 mm。     

基于90 nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计

基于TSMC 90 nm CMOS工艺设计了一款18~100 GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优化偏置电压VGS来最小化CMOS混频器的传输损耗。混频器带宽为18~100 GHz,带宽内变频损耗为(4±1)dB,端口隔离度优于15 dB,45 GHz处1 dB压缩点输入功率为4 dBm,芯片面积仅为0.36 mm2。该混频器在低功耗的环境下具有良好的变频损耗性能,非常适合用在低功耗的通信系统当中。     

Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景.